LB膜中の分子間電荷移動を利用した1次の電気光学効果に関する研究
LB膜中の分子間電荷移動を利用した1次の電気光学効果に関する研究
批准号:
08236201
负责人:
中村 貴義
金额:
$1.15万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份:
1996
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
1996 至 --
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分子間の電荷移動およびその光励起状態を用いると、2次の分子超分極率(β)を極めて大きくできる可能性があることが指摘されている。これは基底状態と励起状態が例えば錯体の中性状態とイオン性状態に対応するため、両者の双極子モーメントの差が大きくできる為である。本研究では、高い非線形感受率が期待できるドナー・アクセプターの系をLB法を用いて配列制御し、分子間の電荷移動励起状態を利用した非線形光学材料の構築を試みた。2次への非線形性を得るために、膜に非対称構造を持たせる必要がある。そこで、1)ドナー・アクセプターの交互ヘテロ膜、2)長鎖アクセプターと無置換ドナーとの錯体のX型膜を形成した。前者について前年度までに合成した4種(C_<17>C_<18>DMTTF,C_<18>DCNQI,C_<18>Q,C_18HQ)の分子を用いてLB膜を作製した。この中でC_<18>HQとC_<18>Qの組み合わせについて分子間電荷移動が確認できた。この膜について電場変調スペクトルおよびメーカーフリンジ法を用いて2次の非線形光学特性を評価した。後者についてはOMTTF-C_<10>TCNQおよびBEDOTTF-C_<10>TCNQ錯体を合成し、水平付着法でLB膜を形成した。得られた膜について電場変調スペクトルおよびメーカーフリンジ法で評価した。BEDOTTF-C_<10>TCNQについては比較的大きな2次の非線形光学特性が観察された。一方、OMTTF-C_<10>TCNQは、スペクトル特性からN-I転移近傍に存在することが判り、現在詳細な物性測定を進めている。
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T. Nakamura et al.: "Conductivity of Floating Monolayers Based on BEDO-TTF Charge Transfer Complex at the Sir-Water Interface" Thin Solid Films. 284-285. 508-511 (1996)
T. Nakamura 等人:“基于 Sir-水界面处 BEDO-TTF 电荷转移复合物的浮动单分子层的电导率”固体薄膜。
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
T. Nakamura et al.: "Langmuir-Blodgett Films of Molecular Conductors based on AlkylTCNQ Derivatives" Synthetic Metals. (1997)
T. Nakamura 等人:“基于烷基TCNQ 衍生物的分子导体的Langmuir-Blodgett 薄膜”合成金属。
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
T. Akutagawa et al.: "Intermolecular CT in the Langmuir-Blodgett Films : Formation of Mixed and Alternate-Layer LB films of Quinhydrone and TTF-TCNQ Derivatives" Molecular Crystals and Liquid Crystals. (1997)
T. Akutakawa 等人:“Langmuir-Blodgett 薄膜中的分子间 CT:醌氢醌和 TTF-TCNQ 衍生物的混合层和交替层 LB 薄膜的形成”分子晶体和液晶。
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
T. Nakamura et al.: "Langmuir-Blodgett Films of Binary Mixture of Donors and Acceptors with Long Alkyl Chains" Synthetic Metals. (1997)
T. Nakamura 等人:“具有长烷基链的供体和受体的二元混合物的 Langmuir-Blodgett 薄膜”合成金属。
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
T. Nakamura et al.: "Conducting Monolayers and Langmuir-Blodgett Films Based on BEDO-TTF and Decyl-TCNQ Complex" Molecular Crystals and Liquid Crystals. 284. 235-246 (1996)
T. Nakamura 等人:“基于 BEDO-TTF 和 Decyl-TCNQ 复合物的传导单层和 Langmuir-Blodgett 薄膜”分子晶体和液晶。
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
共 6 条
低次元分極配列に基づくリラクサーおよび新奇磁気電気効果の開拓
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批准号:22H00311
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
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资助金额:$27.71万
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财政年份:2022
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负责人:中村 貴義
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依托单位:
『巨大分子』ポリオキサメタレートの機能化および材料化
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批准号:17655054
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项目类别:Grant-in-Aid for Exploratory Research
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资助金额:$2.11万
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财政年份:2005
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负责人:中村 貴義
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依托单位:
多価イオンポリマーをテンプレートとして用いた新規分子性材料の開発
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批准号:04F04138
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$1.54万
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财政年份:2004
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负责人:中村 貴義
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依托单位:
金属ジチオレン錯体を用いた分子磁性体の機能開拓
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批准号:03F00271
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$0.77万
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财政年份:2003
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负责人:中村 貴義
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依托单位:
金属ジチオレン錯体を用いた分子磁性体の機能開拓
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批准号:03F03271
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$1.15万
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财政年份:2003
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负责人:中村 貴義
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依托单位:
固相での分子モーターの構築
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批准号:14654126
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项目类别:Grant-in-Aid for Exploratory Research
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资助金额:$2.11万
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财政年份:2002
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负责人:中村 貴義
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依托单位:
分子エレクトロニクスの化学
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批准号:13894019
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额:$2.24万
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财政年份:2001
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负责人:中村 貴義
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依托单位:
水素結合を利用した超分子複合構造の構築と電子機能の動的制御
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批准号:13031001
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)
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资助金额:$1.02万
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财政年份:2001
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负责人:中村 貴義
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依托单位:
マクロサイクリックTTF系の開発と機能開拓
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批准号:12020202
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)
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资助金额:$1.15万
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财政年份:2000
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负责人:中村 貴義
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依托单位:
d-π複合電子系単成分電気伝導体の次元構造制御
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批准号:12023201
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)
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资助金额:$1.02万
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财政年份:2000
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负责人:中村 貴義
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依托单位:
d-π複合電子系単成分電気伝導体の次元構造制御
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批准号:11136201
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)
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资助金额:$1.09万
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财政年份:1999
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负责人:中村 貴義
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依托单位:
マクロサイクリックTTF系の開発と機能開拓
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批准号:11133201
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)
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资助金额:$1.28万
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财政年份:1999
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负责人:中村 貴義
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依托单位:
d-π複合電子系単成分電気伝導体の次元構造制御
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批准号:10149201
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)
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资助金额:$0.96万
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财政年份:1998
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负责人:中村 貴義
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依托单位:
分子組織体-微電極インターフェース
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批准号:10874095
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项目类别:Grant-in-Aid for Exploratory Research
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资助金额:$1.28万
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财政年份:1998
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负责人:中村 貴義
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依托单位:
金属錯体塩における電子伝導系とイオンチャネルのハイブリッド化と電気伝導制御
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批准号:08874086
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项目类别:Grant-in-Aid for Exploratory Research
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资助金额:$1.28万
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财政年份:1996
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负责人:中村 貴義
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依托单位:
LB膜中の分子間電荷移動を利用した1次の電気光学効果に関する研究
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批准号:07246203
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.15万
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财政年份:1995
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负责人:中村 貴義
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依托单位:
分子性導体の単分子膜およびLB膜に関する研究
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批准号:07232202
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$0.96万
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财政年份:1995
-
负责人:中村 貴義
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依托单位: