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金属錯体塩における電子伝導系とイオンチャネルのハイブリッド化と電気伝導制御

金属錯体塩における電子伝導系とイオンチャネルのハイブリッド化と電気伝導制御
金属络盐中电子传导系统和离子通道的杂化及电传导控制
批准号：
08874086
负责人：
中村 貴義
金额：
$1.28万
依托单位：
Hokkaido University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Exploratory Research
财政年份：
1996
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
1996 至 1997
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-08874086/
关键词：
分子性導体金属錯体イオンチャンネル超分子バンドフィリング制御

项目摘要

项目成果

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分子性導体であるNi(dmit)_2とクラウンエーテルの組合せを中心に、カウンターカチオンとしてLi^+,Na^+,K^+,Rb^+,NH_4^+,Cs^+を用いて、錯体形成を行った。多くの組合せにおいて、イオンチャネル構造が出現した。クラウンエーテルとの間の錯形成定数が小さいイオンを用いると、イオンチャンネル構造が形成しやすいことが判明した。実際に、結晶作製時の溶媒を変え、錯形成定数を変化させるて、イオンチャネル構造を持つ錯体を優先的に晶出させることも可能であった。イオンチャンネル内へのイオンのド-ピング(バンドフィリング制御)は、Cs^+錯体について、結晶作製条件を変化させることで可能であった。イオンチャネル構造が出現しない錯体についても、結晶内で特異な構造をもつ超分子イオン場が形成されることが明らかとなった。クラウンエーテルだけでなく、直鎖のポリエーテルを用いても結晶内に類似の超分子イオン場が形成した。中心金属として、Niの代わりにPd,Pt,Auを用いた系を検討した。結晶構造の解析には至らなかったが、結晶内にクラウンエーテルが取り込まれることを確認した。結晶の電気伝導特性と超分子イオン場の構造との間に相関が見られた。特に、イオンチャンネル内のイオンの動的挙動に伴い、電気伝導挙動が変化する系も存在することが示唆され、将来の分子デバイス構築へ向けての展開の足がかりが得られた。
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会议论文
T.Akutagawa: "A Supramolecular Cation in an Electrically Conducting Nickel-dithiolate Salt" Journal of Materials Chemistry.7. 183-185 (1997)
T.Akutakawa：“导电二硫醇镍盐中的超分子阳离子”材料化学杂志7。
DOI： --
发表时间：
期刊：
影响因子： --
作者： []
通讯作者：
T.Akutagawa: "Structures of Ni (dmit)_2 (dmit=2-thioxo-1,3-ditiol-4,5-dithiolate) Salts of Lithium or Ammonium lncluded in Crown Ether Assemblies" Thin Sold Films. (in press).
T.Akutakawa：“冠醚组件中包含的 Ni (dmit)_2 (dmit=2-thioxo-1,3-ditiol-4,5-dithiolate) 盐或铵盐的结构”薄膜。
DOI： --
发表时间：
期刊：
影响因子： --
作者： []
通讯作者：
低次元分極配列に基づくリラクサーおよび新奇磁気電気効果の開拓
  • 批准号：
    22H00311
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
  • 资助金额：
    $27.71万
  • 财政年份：
    2022
  • 负责人：
    中村 貴義
  • 依托单位：
    Hokkaido University
『巨大分子』ポリオキサメタレートの機能化および材料化
  • 批准号：
    17655054
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Exploratory Research
  • 资助金额：
    $2.11万
  • 财政年份：
    2005
  • 负责人：
    中村 貴義
  • 依托单位：
    Hokkaido University
多価イオンポリマーをテンプレートとして用いた新規分子性材料の開発
  • 批准号：
    04F04138
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
  • 资助金额：
    $1.54万
  • 财政年份：
    2004
  • 负责人：
    中村 貴義
  • 依托单位：
    Hokkaido University
金属ジチオレン錯体を用いた分子磁性体の機能開拓
  • 批准号：
    03F00271
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
  • 资助金额：
    $0.77万
  • 财政年份：
    2003
  • 负责人：
    中村 貴義
  • 依托单位：
    Hokkaido University
海外基金