自己組織化法による半導体ナノ粒子の構築
自己組織化法による半導体ナノ粒子の構築
批准号:
08247201
负责人:
魚崎 浩平
金额:
$0.96万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份:
1996
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
1996 至 --
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量子サイズ効果の発現が期待される粒径数nmの半導体超微粒子は、多くの場合媒質中に分散した状態で調製される。本研究では電極上に形成させたアルカンジチオール自己組織化単分子層と硫化カドミウム(CdS)超微粒子の結合を利用して、CdS超微粒子層膜の作製を試み、その構造と光電気化学特性について検討した。CdS超微粒子は、過塩素酸カドミウムと硫化ナトリウム水溶液をそれぞれ含むエ-ロゾルOT(AOT)逆ミセル/n-ヘプタン溶液を混合することにより調製した。ジチオール単分子層は、それぞれのエタノール溶液に金基板を浸潰して形成させ、これをCdS超微粒子の逆ミセル溶液に浸潰して超微粒子を固定した。また、電子供与体としてトリエタノールアミン水溶液に交互累積層電極を浸潰し、光電流応答を測定した。ジチオール溶液とCdS逆ミセル溶液に交互に浸漬した各階段のFT-IRRASでは、AOTに帰属されるピークの出現/消失が繰り返して観測されるとともに、ジチオール分子のアルキル鎖のCH2伸縮振動のピーク強度が除々に増加した。これは、CdS逆ミセル溶液にジチオール修飾基板を浸漬するとAOTに覆われたCdS粒子が末端チオールによって固定され、さらにジチオール溶液へ浸漬すると溶液中のジチオール分子がAOTと置換したためと考えられる。さらに、XPS測定により、基板上のCdSの存在が確認された。このように構築した交互累積層膜光電流応答の観測を行うと、固定前のCdS逆ミセル溶液の吸収スペクトルとほぼ一致する作用スペクトルが観測された。したがって、この系では、CdSが光吸収して生じた正孔がロ子トリエタノールアミンを酸化し、電子が電極に注入されたと考えられる。
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T. Nakanisi: "Construction of Semiconductor Nanoparticle Layers on Gold by Self-Assembly Technique" Jpn. J. Appl. Phys. 36 (in press). (1997)
T. Nakanisi:“通过自组装技术在金上构建半导体纳米颗粒层”Jpn。
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
M. Koinuma: "Atomic Structure of Bare p-GaAs (100) and Electrodeposited Cu on p-GaAs (100) Surfaces in H_2SO_4 Solutions : An AFM Study" J. Electroanal. Chem.409. 45-50 (1996)
M. Koinuma:“H_2SO_4 溶液中裸 p-GaAs (100) 和 p-GaAs (100) 表面上电沉积 Cu 的原子结构:AFM 研究”J. Electroanal。
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
M. Koinuma: "AFM Tip Induced Selective Electrochemical Etching of and Metal Deposition on p-GaAs (100) Surface" Surf. Sci.357/358. 565-570 (1996)
M. Koinuma:“AFM 尖端诱导选择性电化学蚀刻和 p-GaAs (100) 表面上的金属沉积”Surf。
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
R. Yamada: "An STM Investigation of the Self-Assembly Process of Decanethiol on Au (111)" Denki Kagaku. (in press). (1997)
R. Yamada:“Au (111) 上癸硫醇自组装过程的 STM 研究”电气化学。
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
K. Uosaki: "Study of the Electronic Structure of GaAs (100) Single Crystal Electrode/Electrolyte Interfaces by Electrochemical Tunneling Spectroscopy" Bull. Chem. Soc. Jpn.69. 275-288 (1996)
K. Uosaki:“通过电化学隧道光谱研究 GaAs (100) 单晶电极/电解质界面的电子结构”公报。
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
異種金属多核錯体からの合金ナノ粒子の作製と電極触媒への応用
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批准号:20036004
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$2.82万
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财政年份:2008
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负责人:魚崎 浩平
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依托单位:
多核金属錯体の固体表面への固定と触媒作用
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批准号:20037001
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$2.3万
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财政年份:2008
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负责人:魚崎 浩平
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依托单位:
異種金属多核錯体からの合金ナノ粒子の作製と電極触媒への応用
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批准号:19027004
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.54万
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财政年份:2007
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负责人:魚崎 浩平
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依托单位:
ヘテロ多核金属錯体を用いた高活性燃料電池触媒の開発
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批准号:19028002
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.15万
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财政年份:2007
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负责人:魚崎 浩平
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依托单位:
分子内の電子伝導に及ぼす分子内相互作用の効果
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批准号:06F06704
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$0.77万
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财政年份:2006
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负责人:魚崎 浩平
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依托单位:
フォーカスマイクロ波を用いた超高密度自己組織化単分子膜(SAM)の新形成法
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批准号:17655053
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项目类别:Grant-in-Aid for Exploratory Research
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资助金额:$1.79万
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财政年份:2005
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负责人:魚崎 浩平
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依托单位:
金表面への有機薄膜の構造制御成長に関する研究
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批准号:04F04746
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$1.54万
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财政年份:2004
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负责人:魚崎 浩平
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依托单位:
自己組織化的積層化による分子スーパーキャパシタの構築
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批准号:13874085
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项目类别:Grant-in-Aid for Exploratory Research
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资助金额:$1.41万
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财政年份:2001
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负责人:魚崎 浩平
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依托单位:
分子組織体修飾電極の構築と評価
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批准号:01F00077
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$1.15万
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财政年份:2001
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负责人:魚崎 浩平
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依托单位:
電子構造制御表面における界面電子移動ダイナミクス
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批准号:12042202
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)
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资助金额:$2.3万
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财政年份:2000
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负责人:魚崎 浩平
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依托单位:
走査プローブ顕微鏡の探針を用いた表面ナノ化学
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批准号:11874093
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项目类别:Grant-in-Aid for Exploratory Research
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资助金额:$0.38万
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财政年份:1999
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负责人:魚崎 浩平
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依托单位:
半導体電極上への構造規制金属電折に関する研究
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批准号:97F00506
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$0.96万
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财政年份:1998
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负责人:魚崎 浩平
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依托单位:
界面の構造と電子移動ダイナミクス
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批准号:09237101
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)
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资助金额:$58.24万
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财政年份:1997
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负责人:魚崎 浩平
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依托单位:
走査プローブ顕微鏡を用いてナノ加工した半導体表面での光電極反応
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批准号:08218204
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.15万
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财政年份:1996
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负责人:魚崎 浩平
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依托单位:
機能性単分子層の自己組織化と電気化学走査プローブ顕微鏡による超構造制御
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批准号:08231203
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.41万
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财政年份:1996
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负责人:魚崎 浩平
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依托单位:
構造規制機能界面の構築と電極反応
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批准号:08355024
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额:$0.0万
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财政年份:1996
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负责人:魚崎 浩平
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依托单位:
走査型電気化学トンネル分光法による金属及び半導体/電解質溶液界面の電子物性
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批准号:08874085
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项目类别:Grant-in-Aid for Exploratory Research
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资助金额:$1.28万
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财政年份:1996
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负责人:魚崎 浩平
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依托单位:
機能性単分子層の自己組織化と電気化学走査プローブ顕微鏡による超構造制御
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批准号:07241203
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.47万
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财政年份:1995
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负责人:魚崎 浩平
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依托单位:
電子移動方向制御を目的とする自己組織化海面の構築
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批准号:07215202
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.47万
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财政年份:1995
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负责人:魚崎 浩平
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依托单位:
走査型電気化学トンネル分光法による金属及び半導体/電解質溶液界面の電子物性
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批准号:07225202
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.28万
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财政年份:1995
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负责人:魚崎 浩平
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依托单位:
海外基金