走査型電気化学トンネル分光法による金属及び半導体/電解質溶液界面の電子物性

使用扫描电化学隧道光谱研究金属和半导体/电解质溶液界面的电子特性

• 批准号: 07225202
• 负责人: 魚崎 浩平
• 金额: $ 1.28万
• 依托单位: Hokkaido University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
• 财政年份: 1995
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 1995 至 无数据
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-07225202/
• 关键词: 走査型トンネル顕微鏡; トンネル分光; 電気化学; 金; 白金; 半導体電極

固体/溶液界面での電子構造を決定することを目的に、本研究を行っている。本年度はすでに開発済の電気化学トンネル分光装置を種々の系に適用し、その有効性を実証した。I.半導体電極については昨年度トンネル電流の電極電位依存生を種々の試料について測定し、(i)順バイアス領域では表面キャリア濃度に比例したトンネル電流が流れる、(ii)フラットバンドより逆バイアス側ではトンネル電流は流れない、(iii)非常に逆バイアスにすると僅かながら逆方向のトンネル電流が流れることを見出している。本年度はこれらの結果を定量的に解析し、1.順バイアス側では表面電子濃度がトンネル特性を支配すること、2.初期設定電位および初期設定、トンネル電流の効果は探針一試料間距離の違いとして反映されること、3.探針電位の違いによってトンネル電流の電位依存性が異なるが、これは探針の存在によって半導体のエネルギー状態が影響を受ける結果であること、4.逆バイアス側のトンネル電流が大きさは定性的には探針のフェルミ準位における空間電荷層の厚みで説明できるが、定量的には問題があり、不純物準位の寄与を考える必要があることなどを明らかにした。II.金属電極については種々の条件下で単結晶電極を用いてトンネル電流の距離依存性を測定し、トンネル障壁高さを決定した。有機物処理により障壁高さは低下した。

The purpose of this study is to determine the purpose of the solid

项目成果

K.Uosaki: "Study of the Electronic Structure of GaAs(100)Single Crystal Electrode/Electrolyte Interfaces by Electrochemical Tunneling Spectroscopy" Bull. Chem. Jpn.69. 275-288 (1996)

K.Uosaki：“通过电化学隧道光谱研究 GaAs(100) 单晶电极/电解质界面的电子结构”公报。

K. Uosaki: "Visible Electroluminescence form p-type Porous Silicon in Electyte Solution" J. Phys. Chem.(in press). (1996)

K. Uosaki：“Electyte 溶液中 p 型多孔硅的可见电致发光”J. Phys。

M. Koinuma: "An Electrochemical AFM Study on Electrodeposition of Copper on p-GaAs(100)Surface in HCI Solution" Electrochimica Acta. 40. 1345-1351 (1995)

M. Koinuma：“HCI 溶液中 p-GaAs(100) 表面铜电沉积的电化学 AFM 研究”《电化学学报》。

M. Koinuma: "AFM Tip Induced Selective Electrochemical Erching of and Metal Deposition on p-GaAs(100)Surface" Surf. Sci.(in press). (1996)

M. Koinuma：“AFM 尖端诱导 p-GaAs(100) 表面的选择性电化学蚀刻和金属沉积”Surf。

M. Koinuma: "Atomic Structure of Bare p-GaAs(100)and Electrodeposoted Cuon p-GaAs(100)Surfaces in H_2SO_4 Solutions-An FAM Study" J. Electroanal. Chem.(in press). (1996)

M. Koinuma：“H_2SO_4 溶液中裸 p-GaAs(100) 和电沉积 Cuon p-GaAs(100) 表面的原子结构 - FAM 研究”J. Electroanal。