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Microscopic Fluctuations and Transport Mechanism of Few Electron Systems
少电子系统的微观涨落与输运机制
基本信息
- 批准号：18063004
- 负责人：
- 金额：$ 29.82万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
- 财政年份：2006
- 资助国家：日本
- 起止时间：2006 至 2009
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
The discreteness of doped impurities and electrons in nano-scale MOSFETs become important because of the decrease in number of particles in such devices. In order to study such phenomena associated with discreteness, we have successfully developed the 3-D Monte Carlo simulator which takes account of the full Coulomb interaction among charged particles. The physical mechanism of electrons transport and device characteristics under nano-scale device structures have been studied via the Monte Carlo simulations.
由于纳米MOSFET器件中粒子数量的减少，掺杂杂质和电子的离散性变得非常重要。为了研究这种现象与离散性，我们已经成功地开发了3-D Monte Carlo模拟器，它考虑了带电粒子之间的库仑相互作用。通过蒙特卡罗模拟，研究了纳米尺度下电子输运的物理机制和器件特性。
项目成果
期刊论文数量（48）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
ナノスケール半導体構造における準弾道電子輸送
纳米级半导体结构中的准弹道电子传输
- DOI：
- 发表时间：2007
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Y.Watabe;Y.Honda;N.Koshida;佐野伸行
- 通讯作者：佐野伸行
Analysis of Photon-Induced Drain Current in Polycrystalline-Silicon Thin-Film Transistors
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- DOI：10.1143/jjap.48.101201
- 发表时间：2009
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：小松辰実;須田良幸;H. Ikeda and N. Sano
- 通讯作者：H. Ikeda and N. Sano
Three -dimensional Monte Carlo Simulation of Electron Transport in Si Including Full Coulomb Interaction
包括全库仑相互作用的 Si 中电子输运的三维蒙特卡罗模拟
- DOI：
- 发表时间：2008
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：T.Fukui;T.Uechi;and N.Sano
- 通讯作者：and N.Sano
Electron Transport Simulations Including Full Coulomb Interaction in Si
电子传输模拟，包括 Si 中的全库仑相互作用
- DOI：
- 发表时间：2007
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：T. Fukui;T. Uechi;N. Sano
- 通讯作者：N. Sano
Discrete Impurity and Mobility in Drift-Diffusion Simulations for Device Characteristics Variability
器件特性变异性漂移扩散模拟中的离散杂质和迁移率
- DOI：
- 发表时间：2009
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：T. Karasawa;K. Nakanishi;and N.Sano
- 通讯作者：and N.Sano
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$ 29.82万 - 项目类别：
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