课题基金 / 基金详情

Microscopic Fluctuations and Transport Mechanism of Few Electron Systems

Microscopic Fluctuations and Transport Mechanism of Few Electron Systems
少电子系统的微观涨落与输运机制
批准号：
18063004
负责人：
SANO Nobuyuki
金额：
$29.82万
依托单位：
University of Tsukuba
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份：
2006
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2006 至 2009
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-18063004/
关键词：
電子デバイス集積回路ボルツマン輸送方程式電子輸送モンテカルロ法半導体デバイスデバイス・シミュレーションクーロン相互作用特性ばらつき半導体特性半導体物性非平衡グリーン関数法ボルツマン方程式量子輸送

项目摘要

项目成果

SANO Nobuyuki的其他基金

相似基金

相关文献

中文摘要
翻译
点击翻译按钮获取中文摘要
英文摘要
The discreteness of doped impurities and electrons in nano-scale MOSFETs become important because of the decrease in number of particles in such devices. In order to study such phenomena associated with discreteness, we have successfully developed the 3-D Monte Carlo simulator which takes account of the full Coulomb interaction among charged particles. The physical mechanism of electrons transport and device characteristics under nano-scale device structures have been studied via the Monte Carlo simulations.
期刊论文(48)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
ナノスケール半導体構造における準弾道電子輸送
纳米级半导体结构中的准弹道电子传输
DOI： --
发表时间： 2007
期刊： 応用物理学会誌 10
影响因子： --
作者： [Y.Watabe, Y.Honda, N.Koshida, 佐野伸行]
通讯作者： 佐野伸行
Analysis of Photon-Induced Drain Current in Polycrystalline-Silicon Thin-Film Transistors
多晶硅薄膜晶体管中光子感应漏电流的分析
DOI： 10.1143/jjap.48.101201
发表时间： 2009
期刊： Jpn. J. Appl. Phys
影响因子： --
作者： [小松辰実, 須田良幸, H. Ikeda and N. Sano]
通讯作者： H. Ikeda and N. Sano
Three -dimensional Monte Carlo Simulation of Electron Transport in Si Including Full Coulomb Interaction
包括全库仑相互作用的 Si 中电子输运的三维蒙特卡罗模拟
DOI： --
发表时间： 2008
期刊： Appl. Phys. Exp 1
影响因子： --
作者： [T.Fukui, T.Uechi, and N.Sano]
通讯作者： and N.Sano
Electron Transport Simulations Including Full Coulomb Interaction in Si
电子传输模拟，包括 Si 中的全库仑相互作用
DOI： --
发表时间： 2007
期刊：
影响因子： --
作者： [T. Fukui, T. Uechi, N. Sano]
通讯作者： N. Sano
共 26 条
    Coulomb Interaction in Atomic-Layer FET Devices and Realistic Prediction of Device Characteristics
    • 批准号：
      15H03983
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    • 资助金额：
      $10.48万
    • 财政年份：
      2015
    • 负责人：
      SANO Nobuyuki
    • 依托单位：
      University of Tsukuba
    Effects of the Coulomb Interaction and Realistic Device Analyses in 3D Nanoscale Semiconductor Devices
    • 批准号：
      24360130
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    • 资助金额：
      $11.73万
    • 财政年份：
      2012
    • 负责人：
      SANO Nobuyuki
    • 依托单位：
      University of Tsukuba
    Simulation Study of Long-Range Coulomb Interaction in Nano-Scale Devices
    • 批准号：
      21360160
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    • 资助金额：
      $11.23万
    • 财政年份：
      2009
    • 负责人：
      SANO Nobuyuki
    • 依托单位：
      University of Tsukuba
    Study of High-Density Electron Transport by Three-Dimensional Particle-Based Simulations under Nano-Scale Devices
    • 批准号：
      18360160
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    • 资助金额：
      $9.99万
    • 财政年份：
      2006
    • 负责人：
      SANO Nobuyuki
    • 依托单位：
      University of Tsukuba
    海外基金