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Effects of the Coulomb Interaction and Realistic Device Analyses in 3D Nanoscale Semiconductor Devices
3D 纳米级半导体器件中库仑相互作用的影响和真实器件分析
基本信息
- 批准号：24360130
- 负责人：
- 金额：$ 11.73万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
- 财政年份：2012
- 资助国家：日本
- 起止时间：2012-04-01 至 2015-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
3D structural dependence of carrier transport for intermediate band solar cells
中能带太阳能电池载流子传输的 3D 结构依赖性
- DOI：
- 发表时间：2013
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：K. Yoshida;Y. Okada;and N. Sano
- 通讯作者：and N. Sano
Effect of Impurity Scattering on Mobility in Si Nanowire Junctionless FETs
杂质散射对硅纳米线无结 FET 迁移率的影响
- DOI：
- 发表时间：2014
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：A. Ueda;M. Luisier;and N. Sano
- 通讯作者：and N. Sano
ナノデバイスのシミュレーョン：なぜ、モンテカルロ法か？
纳米器件模拟：为什么采用蒙特卡罗方法？
- DOI：
- 发表时间：2013
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Y. Takahashi;H . Takenaka;T. Uchida;M. Arita;A. Fujiwara;and H. Inokaw;佐野 伸行
- 通讯作者：佐野 伸行
Multi-Scale Monte Carlo Simulation of Soft Errors Using PHITS-HyENEXSS Code System
- DOI：10.1109/radecs.2011.6131413
- 发表时间：2012
- 期刊：
- 影响因子：1.8
- 作者：Shin-ichiro Abe;Y. Watanabe;Nozomi Shibano;N. Sano;Hiroshi Furuta;Masafumi Tsutsui;T. Uemura;T. Arakawa
- 通讯作者：Shin-ichiro Abe;Y. Watanabe;Nozomi Shibano;N. Sano;Hiroshi Furuta;Masafumi Tsutsui;T. Uemura;T. Arakawa
Screening Effect on Si Junctionless Nanowire Transistors
硅无结纳米线晶体管的屏蔽效应
- DOI：
- 发表时间：2014
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：A. Ueda;M. Luisier;K. Yoshida;S. Honda;and N. Sano
- 通讯作者：and N. Sano
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24K17310 - 财政年份：2024
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$ 11.73万 - 项目类别：
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単分子電子輸送特性の計測に立脚したSERS Blinking現象の機構解明と制御
基于单分子电子传输特性测量阐明和控制 SERS 闪烁机制
- 批准号：
24KJ1099 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 11.73万 - 项目类别：
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24K08417 - 财政年份：2024
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阐明导电氧化铁和直接电子传输在稻田甲烷生产中的作用
- 批准号：
23K23750 - 财政年份：2024
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基于连接相分离反应场的电子传输系统的光材料转换系统的构建
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NAD(P)H quinone oxidoreductase 1 (NQO1)-mediated bypass of mitochondrial electron transport chain with artificial and endogenous substrates
NAD(P)H 醌氧化还原酶 1 (NQO1) 介导的人工和内源底物线粒体电子传递链旁路
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线粒体电子传递功能障碍：剖析病理机制
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高强度激光-物质相互作用中碰撞率和热电子传输的基准测试
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