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Effects of the Coulomb Interaction and Realistic Device Analyses in 3D Nanoscale Semiconductor Devices

Effects of the Coulomb Interaction and Realistic Device Analyses in 3D Nanoscale Semiconductor Devices
3D 纳米级半导体器件中库仑相互作用的影响和真实器件分析
批准号:
24360130
负责人:
SANO Nobuyuki
金额:
$11.73万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份:
2012
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2012-04-01 至 2015-03-31

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发表时间: 2013
期刊:
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作者: [K. Yoshida, Y. Okada, and N. Sano]
通讯作者: and N. Sano
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发表时间: 2012
期刊: IEEE Transactions on Nuclear Science
影响因子: 1.8
作者: [Shin-ichiro Abe;Y. Watanabe;Nozomi Shibano;N. Sano;Hiroshi Furuta;Masafumi Tsutsui;T. Uemura;T. Arakawa]
通讯作者: Shin-ichiro Abe;Y. Watanabe;Nozomi Shibano;N. Sano;Hiroshi Furuta;Masafumi Tsutsui;T. Uemura;T. Arakawa
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    Coulomb Interaction in Atomic-Layer FET Devices and Realistic Prediction of Device Characteristics
    • 批准号:
      15H03983
    • 项目类别:
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    • 资助金额:
      $10.48万
    • 财政年份:
      2015
    • 负责人:
      SANO Nobuyuki
    • 依托单位:
    Simulation Study of Long-Range Coulomb Interaction in Nano-Scale Devices
    • 批准号:
      21360160
    • 项目类别:
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    • 资助金额:
      $11.23万
    • 财政年份:
      2009
    • 负责人:
      SANO Nobuyuki
    • 依托单位:
    Microscopic Fluctuations and Transport Mechanism of Few Electron Systems
    • 批准号:
      18063004
    • 项目类别:
      Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
    • 资助金额:
      $29.82万
    • 财政年份:
      2006
    • 负责人:
      SANO Nobuyuki
    • 依托单位:
    Study of High-Density Electron Transport by Three-Dimensional Particle-Based Simulations under Nano-Scale Devices
    • 批准号:
      18360160
    • 项目类别:
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    • 资助金额:
      $9.99万
    • 财政年份:
      2006
    • 负责人:
      SANO Nobuyuki
    • 依托单位:
    海外基金