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Study of High-Density Electron Transport by Three-Dimensional Particle-Based Simulations under Nano-Scale Devices
纳米器件下基于三维粒子的模拟高密度电子传输研究
基本信息
- 批准号：18360160
- 负责人：
- 金额：$ 9.99万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
- 财政年份：2006
- 资助国家：日本
- 起止时间：2006 至 2008
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
電子間および電子不純物間クーロン相互作用を3次元粒子シミュレーションに高精度に導入したうえで、現実的なデバイス構造のデバイス・シミュレータを構築した。高濃度ソースおよびドレインでの集団運動(プラズマ波の励起)、電子の縮退状態、バンドテール効果とホットエレクトロン化、が正しくシミュレートできていること検証することで、ソース/ドレイン領域まで含めた構造でのモンテカルロ・シミュレータの動作の正当性を検証した。
The interaction between electron and electron impurities leads to the construction of three-dimensional particle structure with high precision. High concentration solutions include collective motion (excitation of high wave), electron recession, effect of high concentration solutions, correction of high concentration solutions, correction of high concentration solutions, and justification of high concentration solutions.
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
ナノスケール半導体構造における準弾道電子輸送
纳米级半导体结构中的准弹道电子传输
- DOI：
- 发表时间：2007
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Y.Watabe;Y.Honda;N.Koshida;佐野伸行
- 通讯作者：佐野伸行
Three -dimensional Monte Carlo Simulation of Electron Transport in Si Including Full Coulomb Interaction
包括全库仑相互作用的 Si 中电子输运的三维蒙特卡罗模拟
- DOI：
- 发表时间：2008
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：T.Fukui;T.Uechi;and N.Sano
- 通讯作者：and N.Sano
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- DOI：
- 发表时间：2009
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：B.Gelloz;T.Shibata;N.Koshida;N. Sano
- 通讯作者：N. Sano
Schottky Barrier MOSFETs as Resonant Tunneling Devices
作为谐振隧道器件的肖特基势垒 MOSFET
- DOI：
- 发表时间：2008
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：S. Toriyama;N. Sano
- 通讯作者：N. Sano
3D Monte Carlo Simulations including Full Coulomb Interaction under High Electron Concentration Regimes
3D 蒙特卡洛模拟，包括高电子浓度状态下的全库仑相互作用
- DOI：
- 发表时间：2008
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：T. Uechi;T. Fukui;N. Sano
- 通讯作者：N. Sano
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