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Study of High-Density Electron Transport by Three-Dimensional Particle-Based Simulations under Nano-Scale Devices

Study of High-Density Electron Transport by Three-Dimensional Particle-Based Simulations under Nano-Scale Devices
纳米器件下基于三维粒子的模拟高密度电子传输研究
批准号：
18360160
负责人：
SANO Nobuyuki
金额：
$9.99万
依托单位：
University of Tsukuba
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2006
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2006 至 2008
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-18360160/
关键词：
電子デバイス集積回路半導体デバイスデバイス・シミュレーションボルツマン輸送方程式モンテカルロ法クーロン相互作用電子輸送計算物理半導体物性

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项目成果

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電子間および電子不純物間クーロン相互作用を3次元粒子シミュレーションに高精度に導入したうえで、現実的なデバイス構造のデバイス・シミュレータを構築した。高濃度ソースおよびドレインでの集団運動(プラズマ波の励起)、電子の縮退状態、バンドテール効果とホットエレクトロン化、が正しくシミュレートできていること検証することで、ソース/ドレイン領域まで含めた構造でのモンテカルロ・シミュレータの動作の正当性を検証した。
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会议论文
ナノスケール半導体構造における準弾道電子輸送
纳米级半导体结构中的准弹道电子传输
DOI： --
发表时间： 2007
期刊： 応用物理学会誌 10
影响因子： --
作者： [Y.Watabe, Y.Honda, N.Koshida, 佐野伸行]
通讯作者： 佐野伸行
Three -dimensional Monte Carlo Simulation of Electron Transport in Si Including Full Coulomb Interaction
包括全库仑相互作用的 Si 中电子输运的三维蒙特卡罗模拟
DOI： --
发表时间： 2008
期刊： Appl. Phys. Exp 1
影响因子： --
作者： [T.Fukui, T.Uechi, and N.Sano]
通讯作者： and N.Sano
Impact of the Coulomb Interaction on Nano-scale Device Characteristics: A Monte Carlo Study
库仑相互作用对纳米级器件特性的影响：蒙特卡罗研究
DOI： --
发表时间： 2009
期刊：
影响因子： --
作者： [B.Gelloz, T.Shibata, N.Koshida, N. Sano]
通讯作者： N. Sano
Schottky Barrier MOSFETs as Resonant Tunneling Devices
作为谐振隧道器件的肖特基势垒 MOSFET
DOI： --
发表时间： 2008
期刊： J. Comp. Electron 7
影响因子： --
作者： [S. Toriyama, N. Sano]
通讯作者： N. Sano
共 8 条
    Coulomb Interaction in Atomic-Layer FET Devices and Realistic Prediction of Device Characteristics
    • 批准号：
      15H03983
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    • 资助金额：
      $10.48万
    • 财政年份：
      2015
    • 负责人：
      SANO Nobuyuki
    • 依托单位：
      University of Tsukuba
    Effects of the Coulomb Interaction and Realistic Device Analyses in 3D Nanoscale Semiconductor Devices
    • 批准号：
      24360130
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    • 资助金额：
      $11.73万
    • 财政年份：
      2012
    • 负责人：
      SANO Nobuyuki
    • 依托单位：
      University of Tsukuba
    Simulation Study of Long-Range Coulomb Interaction in Nano-Scale Devices
    • 批准号：
      21360160
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    • 资助金额：
      $11.23万
    • 财政年份：
      2009
    • 负责人：
      SANO Nobuyuki
    • 依托单位：
      University of Tsukuba
    Microscopic Fluctuations and Transport Mechanism of Few Electron Systems
    • 批准号：
      18063004
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
    • 资助金额：
      $29.82万
    • 财政年份：
      2006
    • 负责人：
      SANO Nobuyuki
    • 依托单位：
      University of Tsukuba
    海外基金