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Coulomb Interaction in Atomic-Layer FET Devices and Realistic Prediction of Device Characteristics
原子层 FET 器件中的库仑相互作用和器件特性的真实预测
基本信息
- 批准号：15H03983
- 负责人：
- 金额：$ 10.48万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
- 财政年份：2015
- 资助国家：日本
- 起止时间：2015-04-01 至 2018-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Enhanced impurity-limited mobility in ultra-scaled Si nanowire junctionless field-effect transistors
超大规模硅纳米线无结场效应晶体管中增强的杂质限制迁移率
- DOI：10.1063/1.4937901
- 发表时间：2015
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Akiko Ueda;Mathieu Luisier;and Nobuyuki Sano
- 通讯作者：and Nobuyuki Sano
Large Mobility Modulation Due to Discrete Impurities in Nanowires
纳米线中离散杂质导致的大迁移率调制
- DOI：
- 发表时间：2016
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：中野正基，山下昂洋，柳井武志，板倉賢，藤原良元，進士忠彦;福永博俊;Nobuyuki Sano
- 通讯作者：Nobuyuki Sano
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准一维纳米结构下的杂质限制电阻和局域杂质的相位干扰
- DOI：10.1063/1.4938392
- 发表时间：2015
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：海住英生;長浜太郎;北上修;西井準治;Gang Xiao;Nobuyuki Sano
- 通讯作者：Nobuyuki Sano
不純物の離散性に伴った半導体デバイスモデリングの基本的側面 -ランダム不純物ばらつきと自己平均化-
与杂质离散性相关的半导体器件建模的基本方面 -随机杂质变化和自平均 -
- DOI：
- 发表时间：2017
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：橋口 明広;森林 朋也;花田 賢志;大島 孝仁;大石 敏之;輿 公祥;佐々木 公平;倉又 朗人;上田 修;嘉数 誠;佐野伸行
- 通讯作者：佐野伸行
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Effects of the Coulomb Interaction and Realistic Device Analyses in 3D Nanoscale Semiconductor Devices
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- 批准号：
22H01539 - 财政年份：2022
- 资助金额：
$ 10.48万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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通过机器学习方法和量子化学计算开发有机半导体及其在发光器件中的应用
- 批准号：
21H04564 - 财政年份：2021
- 资助金额：
$ 10.48万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
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- 批准号：
20K04611 - 财政年份：2020
- 资助金额：
$ 10.48万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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- 批准号：
19J21372 - 财政年份：2019
- 资助金额：
$ 10.48万 - 项目类别：
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$ 10.48万 - 项目类别：
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单光子雪崩二极管的蒙特卡罗模拟分析
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