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Coulomb Interaction in Atomic-Layer FET Devices and Realistic Prediction of Device Characteristics

Coulomb Interaction in Atomic-Layer FET Devices and Realistic Prediction of Device Characteristics
原子层 FET 器件中的库仑相互作用和器件特性的真实预测
批准号:
15H03983
负责人:
SANO Nobuyuki
金额:
$10.48万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份:
2015
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2015-04-01 至 2018-03-31

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通讯作者: Nobuyuki Sano
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    Effects of the Coulomb Interaction and Realistic Device Analyses in 3D Nanoscale Semiconductor Devices
    • 批准号:
      24360130
    • 项目类别:
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    • 资助金额:
      $11.73万
    • 财政年份:
      2012
    • 负责人:
      SANO Nobuyuki
    • 依托单位:
    Simulation Study of Long-Range Coulomb Interaction in Nano-Scale Devices
    • 批准号:
      21360160
    • 项目类别:
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    • 资助金额:
      $11.23万
    • 财政年份:
      2009
    • 负责人:
      SANO Nobuyuki
    • 依托单位:
    Microscopic Fluctuations and Transport Mechanism of Few Electron Systems
    • 批准号:
      18063004
    • 项目类别:
      Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
    • 资助金额:
      $29.82万
    • 财政年份:
      2006
    • 负责人:
      SANO Nobuyuki
    • 依托单位:
    Study of High-Density Electron Transport by Three-Dimensional Particle-Based Simulations under Nano-Scale Devices
    • 批准号:
      18360160
    • 项目类别:
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    • 资助金额:
      $9.99万
    • 财政年份:
      2006
    • 负责人:
      SANO Nobuyuki
    • 依托单位:
    海外基金