Coulomb Interaction in Atomic-Layer FET Devices and Realistic Prediction of Device Characteristics
Coulomb Interaction in Atomic-Layer FET Devices and Realistic Prediction of Device Characteristics
批准号:
15H03983
负责人:
SANO Nobuyuki
金额:
$10.48万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份:
2015
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2015-04-01 至 2018-03-31
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Enhanced impurity-limited mobility in ultra-scaled Si nanowire junctionless field-effect transistors
超大规模硅纳米线无结场效应晶体管中增强的杂质限制迁移率
DOI:
10.1063/1.4937901
发表时间:
2015
期刊:
Appl. Phys. Lett.
影响因子:
--
作者:
[Akiko Ueda, Mathieu Luisier, and Nobuyuki Sano]
通讯作者:
and Nobuyuki Sano
Large Mobility Modulation Due to Discrete Impurities in Nanowires
纳米线中离散杂质导致的大迁移率调制
DOI:
--
发表时间:
2016
期刊:
影响因子:
--
作者:
[中野正基,山下昂洋,柳井武志,板倉賢,藤原良元,進士忠彦, 福永博俊, Nobuyuki Sano]
通讯作者:
Nobuyuki Sano
量子ドット中間バンド型太陽電池における連続トンネルの影響
连续隧道效应对量子点中带太阳能电池的影响
DOI:
--
发表时间:
2015
期刊:
影响因子:
--
作者:
[吉田勝尚, 岡田至崇, 佐野伸行]
通讯作者:
佐野伸行
Impurity-limited resistance and phase interference of localized impurities under quasi-one dimensional nano-structures
准一维纳米结构下的杂质限制电阻和局域杂质的相位干扰
DOI:
10.1063/1.4938392
发表时间:
2015
期刊:
J. Appl. Phys.
影响因子:
--
作者:
[海住英生, 長浜太郎, 北上修, 西井準治, Gang Xiao, Nobuyuki Sano]
通讯作者:
Nobuyuki Sano
不純物の離散性に伴った半導体デバイスモデリングの基本的側面 -ランダム不純物ばらつきと自己平均化-
与杂质离散性相关的半导体器件建模的基本方面 -随机杂质变化和自平均 -
DOI:
--
发表时间:
2017
期刊:
影响因子:
--
作者:
[橋口 明広, 森林 朋也, 花田 賢志, 大島 孝仁, 大石 敏之, 輿 公祥, 佐々木 公平, 倉又 朗人, 上田 修, 嘉数 誠, 佐野伸行]
通讯作者:
佐野伸行
共 27 条
Effects of the Coulomb Interaction and Realistic Device Analyses in 3D Nanoscale Semiconductor Devices
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批准号:24360130
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额:$11.73万
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财政年份:2012
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负责人:SANO Nobuyuki
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依托单位:
Simulation Study of Long-Range Coulomb Interaction in Nano-Scale Devices
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批准号:21360160
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额:$11.23万
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财政年份:2009
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负责人:SANO Nobuyuki
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依托单位:
Microscopic Fluctuations and Transport Mechanism of Few Electron Systems
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批准号:18063004
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$29.82万
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财政年份:2006
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负责人:SANO Nobuyuki
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依托单位:
Study of High-Density Electron Transport by Three-Dimensional Particle-Based Simulations under Nano-Scale Devices
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批准号:18360160
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额:$9.99万
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财政年份:2006
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负责人:SANO Nobuyuki
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依托单位:
Device Modeling of Discrete Impurities for the Analyses of Threshold Voltage Fluctuations in Ultrasmall Semiconductor Devices
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批准号:14550315
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额:$2.05万
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财政年份:2002
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负责人:SANO Nobuyuki
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依托单位:
Study on Device Lifetime Uncertainty asscociated with Substrate Current Fluctuation in Ultrasmall Semiconductor Devices
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批准号:10555115
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (B).
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资助金额:$3.58万
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财政年份:1998
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负责人:SANO Nobuyuki
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依托单位:
海外基金