ナノドメインエンジニアリングによる環境調和型巨大圧電アクチュエータの開発

利用纳米域工程开发环保巨型压电执行器

基本信息

  • 批准号:
    19016011
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 5.76万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
  • 财政年份:
    2007
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2007 至 2008
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

本年度は、キュリー温度の高い新規非鉛系圧電材料の探索と、昨年度報告したチタン酸バリウム(BT)配向セラミックスの圧電定数の更なる向上について、研究開発を行った。その結果、まず、BTとニオブ酸カリウム(KN)の固溶体セラミックスについての研究からは、BT-KN系相図を新たに作製し、その結果、BTとKNが1:1の組成比において、正方晶構造と斜方晶構造からなる2相共存領域を初めて確認した。なお、この領域のキュリー温度は430℃と非常に高いことも明らかとなった。この組成での圧電定数は約20pC/Nと低いものの、2相界面の面積を出発原料にナノ粒子を用いることで制御した結果、2相界面面積の増加とともに圧電定数は単調に増加し、もとの5倍以上にまで増大することがわかった。今後さらなる増大が予測される。また、従来のBTセラミックスにマグネシウム酸チタン酸ビスマス(キュリー温度 : 700℃以上、BMT)を固溶したBT-BMT系セラミックスを初めて常圧で合成することに成功し、その結果、BTセラミックスのキュリー温度130℃を360℃まで増大できることを明らかにした。この結果、これまでの非鉛系圧電材料に2種類の新規圧電材料を加えることに成功した。最後に、BT配向セラミックスをTGG法で作製し、焼結条件に加え、テンプレート粒子/マトリックス粒子比、Ba/Ti比などをパラメータとし、グレインサイズ、配向度、密度の3つの微構造パラメータの圧電定数依存性を検討した結果、グレインサイズが小さく、配向度および密度が高いほど圧電定数が高くなることを明らかにした。最終的には圧電定数が1000pC/Nを超える圧電材料の作製に成功した。
This year, the exploration and development of non-lead-based piezoelectric materials with high temperature and new regulations were carried out. Last year's annual report was published. The results show that the composition ratio of BT to KN is 1:1, and the tetragonal structure and orthorhombic structure are initially confirmed. The temperature in the field is 430℃ and very high. The voltage constant of the composition is about 20pC/N, the area of the two-phase interface is about 5 times larger than that of the two-phase interface. The future is expected to increase. The solution temperature of BT-BMT system is above 700℃. The solution temperature of BT-BMT system increases from 130℃ to 360℃. As a result, two kinds of new non-lead-based piezoelectric materials have been successfully added. Finally, BT alignment is determined by TGG method, sintering condition is added, temperature is selected, particle/particle ratio is selected, Ba/Ti ratio is selected, temperature is selected, orientation is selected, density is selected, microstructure is selected, voltage value dependence is discussed, temperature is selected, orientation is selected, density is selected, voltage value is selected, voltage value is selected. The final voltage constant is 1000pC/N. The production of high voltage materials is successful.

项目成果

期刊论文数量(32)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Domain Wall Engineering in Lead-Free Piezoelectric Materials
  • DOI:
    10.1080/00150190902987335
  • 发表时间:
    2009-08
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    S. Wada;P. Pulpán
  • 通讯作者:
    S. Wada;P. Pulpán
チタン酸バリウムーニオブ酸カリウム系圧電セラミックスの作製とその圧電特性
钛酸钡铌酸钾压电陶瓷的制备及其压电性能
  • DOI:
  • 发表时间:
    2008
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    S. Wada;et. al.;新田桃世・和田智志・田中大介・黒岩芳弘
  • 通讯作者:
    新田桃世・和田智志・田中大介・黒岩芳弘
Domain wall engineering in lead-free piezoelectric crystals
  • DOI:
    10.1080/00150190701515881
  • 发表时间:
    2007-01-01
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0.8
  • 作者:
    Wada, Satoshi;Muraishi, Tomomitsu;Tsurumi, Takaaki
  • 通讯作者:
    Tsurumi, Takaaki
Preparation of Barium Titanate - Potassium Niobate Solid Solution System Ceramics and Their Piezoelectric Properties
钛酸钡-铌酸钾固溶体陶瓷的制备及其压电性能
Noise Reduction of Microwave Dielectric Map using Fourier Analysis Refinement
使用傅立叶分析细化对微波介电图进行降噪
{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ patent.updateTime }}

和田 智志其他文献

低温プロセスによる導電体/絶縁体 ファインコンポジットの開発
使用低温工艺开发精细导体/绝缘体复合材料
  • DOI:
  • 发表时间:
    2017
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    上野 慎太郎;服部優哉;垣内 博行;中島 光一;和田 智志
  • 通讯作者:
    和田 智志
圧電特性向上のための欠陥制御BiFeO3系セラミックスの開発
开发缺陷控制的 BiFeO3 陶瓷以改善压电性能
  • DOI:
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    相澤 朋弥;藤井 一郎;上野 慎太郎;鈴木 達;和田 智志
  • 通讯作者:
    和田 智志
(1-x)BiFeO3-BaTiO3(x = 0.2, 0.3, 0.4)におけるBiイオン変位とナノ構造の関係
(1-x)BiFeO3-BaTiO3(x = 0.2, 0.3, 0.4)中Bi离子位移与纳米结构的关系
  • DOI:
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    宮内 隆輝;佐藤 幸生;寺西 亮;金子 賢治;Sangwook Kim;藤井 一郎;上野 慎太郎;中平 夕貴;森吉 千佳子;黒岩 芳弘;和田 智志
  • 通讯作者:
    和田 智志
湿式プロセスにより作製した導電体/絶縁体複合セラミックコンデンサの誘電特性
湿法制备导体/绝缘体复合陶瓷电容器的介电性能
  • DOI:
  • 发表时间:
    2017
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    上野 慎太郎;服部 優哉;藤井 一郎;和田 智志
  • 通讯作者:
    和田 智志
Ba_<0.5>Sr_<0.5>TiO_3超薄膜の電気特性評価と電極界面におけるショットキー毛デルの構築
Ba_<0.5>Sr_<0.5>TiO_3超薄膜电学性能评价及电极界面肖特基毛状结构的构建
  • DOI:
  • 发表时间:
    2007
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    保科 拓也;松尾 孝敏;和田 智志;掛本 博文;鶴見 敬章
  • 通讯作者:
    鶴見 敬章

和田 智志的其他文献

{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

{{ truncateString('和田 智志', 18)}}的其他基金

将来MLCCのためのヘテロエピ界面を高密度で持つ超強誘電体の創成
为未来 MLCC 创建具有高密度异质外延界面的超铁电材料
  • 批准号:
    21H01620
  • 财政年份:
    2021
  • 资助金额:
    $ 5.76万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
MPB機構とイオンオフセンター機構を同時に用いた医療用高性能圧電材料の創成
同时利用MPB机制和离子偏心机制创建高性能医用压电材料
  • 批准号:
    19F19065
  • 财政年份:
    2019
  • 资助金额:
    $ 5.76万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
キラリティーを利用した希土類クラスターの磁気光学特性に関する研究
利用手性研究稀土团簇的磁光性质
  • 批准号:
    16J01325
  • 财政年份:
    2016
  • 资助金额:
    $ 5.76万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
巨大誘電特性を持つ多層誘電体ナノキューブの創生
创建具有巨大介电特性的多层介电纳米立方体
  • 批准号:
    21656160
  • 财政年份:
    2009
  • 资助金额:
    $ 5.76万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
ナノドメインエンジニアリングによる環境適合型巨大圧電材料の創製
通过纳米域工程创造环境相容的巨型压电材料
  • 批准号:
    16656201
  • 财政年份:
    2004
  • 资助金额:
    $ 5.76万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Exploratory Research
チタン酸鉛強誘電体超微粒子の水熱合成とサイズ効果に関する研究
钛酸铅铁电超细颗粒的水热合成及尺寸效应研究
  • 批准号:
    07750009
  • 财政年份:
    1995
  • 资助金额:
    $ 5.76万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
錯体重合法による希土類添加水酸アパタイト光騒動センサーの合成
复合聚合法合成稀土掺杂羟基磷灰石光滥用传感器
  • 批准号:
    06241220
  • 财政年份:
    1994
  • 资助金额:
    $ 5.76万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
PMN系電歪材料による光アクチュエータの開発
使用PMN基电致伸缩材料开发光学执行器
  • 批准号:
    06750306
  • 财政年份:
    1994
  • 资助金额:
    $ 5.76万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
PLZT-SmO_2多層膜セラミックスの製作
PLZT-SmO_2多层陶瓷的制备
  • 批准号:
    04750239
  • 财政年份:
    1992
  • 资助金额:
    $ 5.76万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)

相似海外基金

酸化ハフニウム(HfO2)基強誘電体の圧電定数の解明
阐明氧化铪 (HfO2) 基铁电体的压电常数
  • 批准号:
    19K14921
  • 财政年份:
    2019
  • 资助金额:
    $ 5.76万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
光干渉法による複素圧電定数の測定
通过光学干涉测量复压电常数
  • 批准号:
    X00210----574128
  • 财政年份:
    1980
  • 资助金额:
    $ 5.76万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
圧電半導体における圧電定数と電気伝導度の相関関係
压电半导体中压电常数与电导率的相关性
  • 批准号:
    X45080-----48638
  • 财政年份:
    1970
  • 资助金额:
    $ 5.76万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for General Scientific Research (B)
圧電半導体における圧電定数と電気伝導度の相関関係
压电半导体中压电常数与电导率的相关性
  • 批准号:
    X44080------8638
  • 财政年份:
    1969
  • 资助金额:
    $ 5.76万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for General Scientific Research (B)
{{ showInfoDetail.title }}

作者:{{ showInfoDetail.author }}

知道了