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巨大誘電特性を持つ多層誘電体ナノキューブの創生

创建具有巨大介电特性的多层介电纳米立方体

基本信息

批准号：
21656160
负责人：
和田智志
金额：
$ 2.05万
依托单位：
University of Yamanashi
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
财政年份：
2009
资助国家：
日本
起止时间：
2009 至 2010
项目状态：
已结题

项目摘要

昨年度、チタン酸バリウム(BT)とチタン酸ストロンチウム(ST)を交互に積層させた2層からなる誘電体ナノキューブ(BT/ST(STナノキューブ上にBTを被覆)、およびST/BT(BTナノキューブ上にSTを被覆))を作製できたがその誘電特性を測定することはできなかった。そこで、BTナノキューブ、またはSTナノキューブのみで1軸加圧プレスによりそれぞれ集積体を作製し、その間隙に昨年度開発したSTおよびBTの被覆条件でソルボサーマル法を用いてヘテロエピタキシャル充填し、最終的に10mm径の円盤形試料を作製した。その結果、約60%の相対密度を持つ4種類の試料(BT/BT、ST/BT、ST/ST、BT/ST)の作製に成功した。しかしながら、40%近い気孔を有するため誘電特性評価のための加工が困難となった。結果として、ST/ST、およびST/BTについてP-E測定を行った結果、どちらも常誘電体的な誘電挙動を示し、どちらも比誘電率は27程度と低い値を示した。一方、BT/ST、およびBT/BTについてP-E測定を行った結果、どちらも強誘電体的な誘電挙動を示すこと、また比誘電率はBT/STでは70であるのに対し、BT/BTでは50とBT/STの方が高い比誘電率を示した。これらの結果から、気効率が40%もある状況下でのBT/STの70という高い比誘電率は、BT/ST界面が誘電特性に寄与していることを示唆する。従って、ヘテロエピタキシャル界面の寄与を確認できた。

Last year, the dielectric properties of BT (BT) and ST (ST) were measured by alternately laminating two layers of dielectric material (BT/ST(ST) coated with BT) and ST/BT(BT coated with ST)). At this time, the integrated body for the 1-axis pressure pump of BT Naanoki, and also the ST Naanoki, was manufactured. During the gap between the development of ST and BT last year, the coating conditions were met, and the solid support method was used to fill the sample with the Testero Epitachichel, and the final 10mm diameter circular disk sample was manufactured. As a result, about 60% of the relative density was successfully prepared for four kinds of samples (BT/BT, ST/BT, ST/ST, BT/ST). 40% near the hole, the induction characteristics are difficult to evaluate and process. Results: ST/ST, ST/BT, P-E measurement results, dielectric constant, dielectric constant. One side, BT/ST, BT/BT, P-E measurement results, high dielectric conductivity, BT/ST ratio, BT/ST ratio. The results show that the BT/ST interface has a high specific inductance of 70%, and the BT/ST interface has a high inductance of 40%.従って、ヘテロエピタキシャル界面の寄与を确认できた。