ナノドメインエンジニアリングによる環境適合型巨大圧電材料の創製
ナノドメインエンジニアリングによる環境適合型巨大圧電材料の創製
批准号:
16656201
负责人:
和田 智志
金额:
$2.24万
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Exploratory Research
财政年份:
2004
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2004 至 2005
中文摘要
2年目の課題であるニオブ酸カリウム(KN)単結晶中への数百nmのナノドメイン構造を導入するためのナノドメイン導入システムを開発した。このためBT結晶よりも高温である300℃以上まで使用できる温度可変ステージに変更し、更に顕微鏡下でドメイン構造を観察しながら電界印加を行える装置を開発した。また、旭テクノグラス(株)より大型のKN単結晶を購入し、背面反射ラウエ法による方位出し、切断、研磨を行うことで必要となる31振動子を作製した。これらにおいて、BT単結晶と同様に最も高い圧電特性を得るための最適なドメイン構造をシミュレーションにより決定した。そこで、230℃付近にある正方晶と斜方晶との相転移を利用し、目的とするドメイン構造の導入を試みたが、パターン通りのドメイン構造を導入することができなかった。この原因を検討した結果、電界を一定に印加したパターニング電極を用いて温度を下げていった場合の相転移では、電界による影響よりも温度による相転移の影響が大きいため、パターン通りのドメイン構造を導入できないことが明らかとなった。また、温度を一定にし、パターニング電極を用いた電界印加においては20kV/cmを超える大きな電界が必要となり、更にこの電界ではリーク電流が大きくなるため分極できないこともわかった。このようにパターン通りの均一なドメイン構造をKN結晶中に導入できなかったものの、ランダムなドメイン構造ならば自由に導入することができた。この場合でもBT単結晶と同様にドメインサイズの減少に伴い、圧電特性が急激に増大する現象を確認できた。そこで現在70℃付近でパターン通りのドメイン構造を導入するための条件の最適化を行っている。
英文摘要
2年目の課題であるニオブ酸カリウム(KN)単結晶中への数百nmのナノドメイン構造を導入するためのナノドメイン導入システムを開発した。このためBT結晶よりも高温である300℃以上まで使用できる温度可変ステージに変更し、更に顕微鏡下でドメイン構造を観察しながら電界印加を行える装置を開発した。また、旭テクノグラス(株)より大型のKN単結晶を購入し、背面反射ラウエ法による方位出し、切断、研磨を行うことで必要となる31振動子を作製した。これらにおいて、BT単結晶と同様に最も高い圧電特性を得るための最適なドメイン構造をシミュレーションにより決定した。そこで、230℃付近にある正方晶と斜方晶との相転移を利用し、目的とするドメイン構造の導入を試みたが、パターン通りのドメイン構造を導入することができなかった。この原因を検討した結果、電界を一定に印加したパターニング電極を用いて温度を下げていった場合の相転移では、電界による影響よりも温度による相転移の影響が大きいため、パターン通りのドメイン構造を導入できないことが明らかとなった。また、温度を一定にし、パターニング電極を用いた電界印加においては20kV/cmを超える大きな電界が必要となり、更にこの電界ではリーク電流が大きくなるため分極できないこともわかった。このようにパターン通りの均一なドメイン構造をKN結晶中に導入できなかったものの、ランダムなドメイン構造ならば自由に導入することができた。この場合でもBT単結晶と同様にドメインサイズの減少に伴い、圧電特性が急激に増大する現象を確認できた。そこで現在70℃付近でパターン通りのドメイン構造を導入するための条件の最適化を行っている。
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DOI:
10.1143/jjap.38.5505
发表时间:
1999-09
期刊:
Japanese Journal of Applied Physics
影响因子:
1.5
作者:
[S. Wada;Shingo Suzuki;T. Noma;Takeyuki Suzuki;M. Osada;M. Kakihana;Seung-Eek Park;L. Cross;]
通讯作者:
S. Wada;Shingo Suzuki;T. Noma;Takeyuki Suzuki;M. Osada;M. Kakihana;Seung-Eek Park;L. Cross;
Growth of Lithium Doped Silver Niobate Single Crystals and Their Piezoelectric Properties
掺锂铌酸银单晶的生长及其压电性能
DOI:
--
发表时间:
2005
期刊:
Materials Science and Engineering 120
影响因子:
--
作者:
[M.Doi, M.Izumi, H.N.Fuke, H.Iwasaki, M.Sahashi, Satoshi Wada, Satoshi Wada, Satoshi Wada, Satoshi Wada, Satoshi Wada, Satoshi Wada]
通讯作者:
Satoshi Wada
Preparation of KNbO_3 Crystals with Fine Engineered Domain Confieurations and Their Enhanced Piezoelectric Properties
具有精细设计域结构的KNbO_3晶体的制备及其增强的压电性能
DOI:
--
发表时间:
2005
期刊:
Ferroelectrics 319
影响因子:
--
作者:
[M.Doi, M.Izumi, H.N.Fuke, H.Iwasaki, M.Sahashi, Satoshi Wada, Satoshi Wada, Satoshi Wada]
通讯作者:
Satoshi Wada
Domain Size Dependence on Piezoelectric Property of BaTiO_3 Single Crystals with Engineered Domain Configuration
具有工程化畴结构的 BaTiO_3 单晶压电性能的畴尺寸依赖性
DOI:
--
发表时间:
2004
期刊:
Transaction of the Materials Research Society of Japan 29・4
影响因子:
--
作者:
[M.Doi, M.Izumi, H.N.Fuke, H.Iwasaki, M.Sahashi, Satoshi Wada, Satoshi Wada, Satoshi Wada, Satoshi Wada, Satoshi Wada, Satoshi Wada, Satoshi Wada, Satoshi Wada, Satoshi Wada, Satoshi Wada, Satoshi Wada]
通讯作者:
Satoshi Wada
DOI:
--
发表时间:
2004
期刊:
影响因子:
--
作者:
[M.Doi, M.Izumi, H.N.Fuke, H.Iwasaki, M.Sahashi, Satoshi Wada, Satoshi Wada, Satoshi Wada, Satoshi Wada, Satoshi Wada, Satoshi Wada, Satoshi Wada, Satoshi Wada, Satoshi Wada, Satoshi Wada, Satoshi Wada, Satoshi Wada, Satoshi Wada(分担)]
通讯作者:
Satoshi Wada(分担)
共 13 条
将来MLCCのためのヘテロエピ界面を高密度で持つ超強誘電体の創成
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批准号:21H01620
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额:$11.23万
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财政年份:2021
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负责人:和田 智志
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依托单位:
MPB機構とイオンオフセンター機構を同時に用いた医療用高性能圧電材料の創成
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批准号:19F19065
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$1.47万
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财政年份:2019
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负责人:和田 智志
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依托单位:
キラリティーを利用した希土類クラスターの磁気光学特性に関する研究
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批准号:16J01325
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$1.79万
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财政年份:2016
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负责人:和田 智志
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依托单位:
巨大誘電特性を持つ多層誘電体ナノキューブの創生
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批准号:21656160
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项目类别:Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
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资助金额:$2.05万
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财政年份:2009
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负责人:和田 智志
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依托单位:
ナノドメインエンジニアリングによる環境調和型巨大圧電アクチュエータの開発
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批准号:19016011
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$5.76万
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财政年份:2007
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负责人:和田 智志
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依托单位:
チタン酸鉛強誘電体超微粒子の水熱合成とサイズ効果に関する研究
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批准号:07750009
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.58万
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财政年份:1995
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负责人:和田 智志
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依托单位:
錯体重合法による希土類添加水酸アパタイト光騒動センサーの合成
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批准号:06241220
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.6万
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财政年份:1994
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负责人:和田 智志
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依托单位:
PMN系電歪材料による光アクチュエータの開発
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批准号:06750306
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.7万
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财政年份:1994
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负责人:和田 智志
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依托单位:
PLZT-SmO_2多層膜セラミックスの製作
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批准号:04750239
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.58万
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财政年份:1992
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负责人:和田 智志
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依托单位:
海外基金