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IV族化合物のプラズマ化学反応における電子状態と表面分子過程の解析

IV族化合物等离子体化学反应中的电子态和表面分子过程分析

基本信息

批准号：
63632005
负责人：
鯉沼秀臣
金额：
$ 1.54万
依托单位：
Tokyo Institute of Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份：
1988
资助国家：
日本
起止时间：
1988 至无数据
项目状态：
已结题

项目摘要

IV族化合物のプラズマ化学反応における電子状態と表面分子過程について、下記に示す3項目について研究を行なった。1.分子軌道法によるIV族化合物の電子状態の計算と反応性予測。種々のIV族化合物の反応性を予測する一般性のあるパラメーターとして、MNDO法により求められる2中心結合エネルギーおよびHOMOーLUMOエネルギー差(△E)に着目し、炭化水素からそのフッ化物、シラン類、有機シラン類にわたる広範囲の化合物についてプラズマ反応出発原料としての反応性を推定した。その結果、分子内および近い△Eを有する化合物間では、2中心結合エネルギーによって分解モードの比較が可能であり、△Eが大きく異なるものについては△Eの大小により反応性が予測可能であることを見出した。2.プラズマCVDにおける気相分解反応の診断1の計算結果から、メチルシラン系のSiーC結合はSiーH結合より強いと予測される。テトラジメチルジシラン(TMDS)のプラズマとシラン、メタン混合プラズマの発光スペクトルを測定し、計算結果との対応を検討した。計算による予測通りTMDS系ではSiーC結合の切断により生成するSiの発光が観測されずメタン、シラン混合系とは異なる膜構造の形成が可能であることが示された。フェニルシラン系の分解モード推定のためには、励起状態のエネルギー曲面について考察が必要である。3.パルスプラズマの時間分解発光強度の測定による薄膜成長過程の考察パルスプラズマの時間分解発光強度の測定を行ない、界面構造等薄膜成長過程に対する気相反応のゆらぎの影響の程度を見積った。プラズマ休止時間(Toff)とプラズマが定常になるのに要する時間(Tr)の関係を求めると、ある程度Toffが長くなるとTrは一定となる。Trの滞留時間依存性から、Trは原料ガスの滞留時間とほぼ一致することがわかった。

IV group compounds are characterized by chemical reaction, electron surface molecules, and the following is shown in the following section: item 3, chemical reaction, chemical reaction, electron surface molecules, electron molecules, electron molecules. 1. The molecular channel method was used to calculate the electron state of group IV compounds. The reactivity of all kinds of compounds in the group IV is sensitive to the general standard. The MNDO method is used to determine the temperature difference (E) of the HOMO. The results show that the carbonized water is sensitive to the chemical compounds, carbonized water and chemical compounds. There is a mechanism for determining the range of compounds in which the raw material is presumed to be repercussive. The results show that there are intermolecular compounds in the intramolecular chain, two centers in the complex, the decomposition temperature in the two centers, and the correlation between the size of the temperature and the size of the temperature. two。 In this paper, the results of the CVD phase analysis and the results of the calculation are analyzed. The results show that the results of the Si