スーパーファインセラミックスの概念設計と要素技術の開発
スーパーファインセラミックスの概念設計と要素技術の開発
批准号:
02403018
负责人:
鯉沼 秀臣
金额:
$21.44万
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for General Scientific Research (A)
财政年份:
1992
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
1992 至 --
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本研究では、金属や半導体に比べて組成的にも構造的にも複雑なセラミックスの多様性を、原子レベルの構造設計とそれを実現するプロセスの開発という観点から捉えて問題を整理し、セラミックス研究の新分野を開拓することを目的として、研究を進めた。その結果、以下のような成果を得ることができた。1。超高真空下でのパルスレーザー蒸着プロセス(レーザーMBE法)を独自に開発し、多元系セラミックスにおける原子層制御と人工超構造の設計・構築に非常に有効な手段であることを実証した。本方法を用い、パルスレーザー蒸着法では世界で初めて、長時間持続するRHEED(反射高速電子線回折)強度振動を観測することができた。この振動はセラミックス単結晶の単位格子長を1層とした2次元層状エピタキシャル成長を示していた。すなわち、RHEED強度振動のモニターは原子層レベルでの膜厚制御を可能にしてくれる。2。RHEED強度振動を伴う2次元エピキシャル成長が膜表面の原子レベルでの平担性向山の効果であることを原子間力顕微鏡(AFM)観察により明らかにした。これにより、高温超伝導を用いたジョセフソントンネル接合形成のため基礎プロセスを確立することができた。3。レーザーアブレーション法による高品質YBCO超伝導薄膜作製のための最適条件を明らかにし、低温走査型トンネル顕微鏡(STM)観察により、高品質YBCO超伝導薄膜の表面は大気暴露にも非常に安定であることを明らかよした。STS測定において明瞭な超伝導ギャップ(Δ=20meV)を観測することができた。
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吉本 護: "光・薄膜技術マニュアル増補改訂版" オプトロニクス社, 511 (1992)
Mamoru Yoshimoto:《光学/薄膜技术手册扩充和修订版》Optronics,511 (1992)
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
H.Koinuma: "Fatrication and anomalous conducting behavior of Atomically regulated(SrVO_<3-x>)1(SrTiO_<3-y>)Superlattices" Solid State Communication. 80. 9-13 (1991)
H.Koinuma:“原子调节(SrVO_<3-x>)1(SrTiO_<3-y>)超晶格的疲劳和异常传导行为”固态通信。
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
Hideomi KOINIMA: "Devolopment and Application of a Micrbeam Plasma Generator" Appl. Phys. Lett.,. 60. 816-817 (1992)
Hideomi Koinima:“微束等离子体发生器的开发和应用”Appl。
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
Jianping GONG: "High Quality YBa_7Cu_3O_<7-8> Thin Films Prepared By Pulsed Laser Deposition" Proc. of 3rd China-Japan Symposium on Thin Films. Yellow Mauntain, China.70-75 (1992)
龚建平:“脉冲激光沉积制备高质量YBa_7Cu_3O_<7-8>薄膜”论文集。
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
Hirotoshi NAGATA: "Type-B epitaxial Growth of CeO_2 thin film on Si(lll) substrate" J. Crystal Growth.123. 863-866 (1992)
Hirotoshi NAGATA:“CeO_2 薄膜在 Si(III) 衬底上的 B 型外延生长”J. Crystal Growth.123。
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
共 49 条
半導体レーザーアブレーションによるバイオ薄膜の作製
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批准号:20656008
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项目类别:Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
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资助金额:$2.24万
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财政年份:2008
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负责人:鯉沼 秀臣
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依托单位:
電界効果型アモルファスシリコン太陽電池
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批准号:97F00498
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$1.34万
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财政年份:1998
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负责人:鯉沼 秀臣
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依托单位:
フラーレンの新機能探索
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批准号:05233104
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$43.39万
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财政年份:1995
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负责人:鯉沼 秀臣
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依托单位:
化学反応性制御による高光導電性積層薄膜の作製と界面の評価
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批准号:01603515
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$2.05万
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财政年份:1989
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负责人:鯉沼 秀臣
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依托单位:
IV族化合物のプラズマ化学反応における電子状態と表面分子過程の解析
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批准号:63632005
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.54万
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财政年份:1988
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负责人:鯉沼 秀臣
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依托单位:
化学反応性制御による高光導電性積層薄膜の作製と界面の評価
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批准号:63603519
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$2.05万
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财政年份:1988
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负责人:鯉沼 秀臣
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依托单位:
高導電性フッ素ドープ酸化物薄膜の低温合成
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批准号:62850142
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项目类别:Grant-in-Aid for Developmental Scientific Research
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资助金额:$4.99万
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财政年份:1987
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负责人:鯉沼 秀臣
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依托单位:
化学反応性制御による高光導電性積層薄膜の作製と界面の評価
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批准号:62603515
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.73万
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财政年份:1987
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负责人:鯉沼 秀臣
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依托单位:
パルスプラズマ重合による有機・無機複合薄膜の合成
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批准号:59550620
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额:$0.77万
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财政年份:1984
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负责人:鯉沼 秀臣
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依托单位:
二酸化炭素とその関連化合物に関する新合成反応
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批准号:X00090----455331
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额:$1.6万
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财政年份:1979
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负责人:鯉沼 秀臣
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依托单位:
海外基金