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低周波放電のプロセスプラズマとしての適用とその制御法の開発

低频放电作为工艺等离子体的应用及其控制方法的开发

基本信息

批准号：
63632501
负责人：
下妻光夫
金额：
$ 1.47万
依托单位：
Hokkaido University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份：
1988
资助国家：
日本
起止时间：
1988 至无数据
项目状态：
已结题

项目摘要

集積回路などにおけるプラズマを利用したドライプロセス技術は、ほとんどRFなど高周波電界を使って行なわれる。しかし、高周波では行なうことができない、低周波放電プラズマの特徴を生かした独自のプロセスと、それの制御法の開発がほとんど行なわれておらず、本研究の目的はこの点に付いて実験的に研究を行なうことにある。現在までに、窒化シリコン薄膜を50Hz低周波プラズマCVDで基板非加熱で良質な膜が大面積に均一に堆積できることを見出してきた。このメカニズムの究明を行なうことで低周波プラズマのプロセスへの応用が可能となる。この点に関して63年度の研究成果から、低周波プラズマの特徴であるイオンの可動性とプラズマの断続性が重要な役割をしていることが明らかになってきた。結果の要約として、1)プラズマ中の原子・分子イオンの堆積膜への射突による埋め込みで高密度薄膜形成がなされ、更にイオンの持つ運動エネルギーの射突後の原子再配列エネルギーへの変換による化学量論的な組成への薄膜生成、2)またプラズマ中の生成物(イオン、励起・解離・ラジカル種)の低周波プラズマの断続による発生消滅の結果として、プラズマ発生電圧とプラズマ維持電圧の上昇に伴うプラズマ内の電子エネルギー上昇によるガス分子の効率的な解離が、生成薄膜の物性的評価とプラズマ内電子エネルギー測定などから得られた。これらの事実から低周波プラズマCVDによる基板非加熱条件による良質薄膜堆積が可能ではないかと考えられる。これらをふまえ、高温での堆積が条件と考えられているダイヤモンドライクカーボン薄膜の堆積を低周波非加熱プラズマCVDでH_2+CH_4混合ガスを材料として薄膜堆積した結果、この薄膜が天然ダイヤの物性(電気的・工学的・物理的)に近い物であり、上記の考えが間違いではないことが認められた。今後の研究課題として、このプラズマの制御法について研究を進める予定である。

The integrated circuit system makes use of the equipment technology and RF technology to enable the operation of high-cycle power plants. The purpose of this study is to do some research on the purpose of this study, the purpose of this study is to do some research on the purpose of this study, it is necessary to do some research in this study. Now, in order to reduce the temperature of the thin film, the 50Hz low cycle, the CVD, the substrate, the film, the surface, the film, the film, the surface, the surface and the surface. Please tell me that it is possible to use the word "low frequency". In the year 63, the results of the research were reviewed, and the results of the research in the year 63 were reviewed. Results the results are as follows: 1) the formation of high-density thin films in high-density films, the formation of high-density thin films. Encourage the release of quarantine devices) the results of the low-cycle disconnection test results, the generation of electrical equipment, the maintenance of environmental pollution rates on the electrical equipment, the generation of thin film physical properties, and the generation of thin film physical properties. In the case of low-frequency, low-frequency, low-frequency, The test results of the thin film reactor test results of the low-cycle non-thermal cycle CVD H _ 2+CH_4 mixed thermal materials, the physical properties of the natural mechanical properties (the physical properties of the electrical engineering) of the thin films, the thermal properties of the thin films. The last time I took the exam, I didn't know what to do. In the future, we will continue to study the subject matter, the law, and the law.