多座フェノキシド配位子を用いた錯体反応場の構築と小分子活性化

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反応過程での配位子の不均化の防止、配位不飽和種の創出および分子認識能の付与を目指し、新規配位子としてメチレン鎖架橋のフェノール3量体(L)を設計・合成し、錯体合成を行った。本年度は、前周期遷移金属であるチタンおよびニオブを対象に研究を行った。中心金属としてタンタルを用いて、ヒドリド試薬と反応させると、配位子のCH活性化反応を伴い、3つのヒドリド配位子が架橋したタンタル(V)2核錯体が生成しすることを見いだした。この錯体は熱的に不安定であり、フェノキシド部位の炭素-酸素結合切断を起こし、オキソ架橋錯体へと変化することを見いだした。また、このヒドリド-タンタル(V)2核錯体が溶液中で低原子価タンタル錯体の前駆体になることをNMRおよび反応性の研究から明らかにした。現在、鎖状フェノール3量体を配位子として利用しているが、フェノール骨格を基盤としたtripod型3座配位子、およびハイブリット型配位子を新規配位子として設計・合成し、金属との錯形成を検討中である。