多座配位子による配位空間制御に基づく反応活性高分子錯体の設計と機能化
多座配位子による配位空間制御に基づく反応活性高分子錯体の設計と機能化
批准号:
17036068
负责人:
川口 博之
金额:
$0.9万
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份:
2005
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2005 至 --
中文摘要
トリ(2-ヒドロキシフェニル)メタンH_3[O_3]は古くから知られる化合物であるが、これまでに金属錯体の配位子として用いた例は極めて限られている。配位子[O_3]^<3->は次に挙げる3つの配位形態で金属に結合する興味深い化合物である。例えば、配位子のメチン架橋部位の水素原子の方向により、synおよびanti構造が考えられる。特にsyn構造ではメチン水素が金属近傍に存在し、agostic相互作用が強制的に形成される。一方、[O_3]配位子が反応活性な金属に配位した場合、メチン部位で容易にC-H活性化がおこり、新しい4座配位子[O_3C]^<4->が生成する。Ti(NEt_4)_4とH_3[O_3]を反応させるとsyn型構造をもつ[syn-O_3]Ti(NEt_2)が得られる。錯体[syn-O_3]Ti(NEt_2)の溶液を加熱するとsyn型構造からanti型構造の異性化反応が進行し、[anti-O_3]Ti(NEt_2)を生成する。synおよびanti型アミド錯体[O_3]Ti(NEt_2)とCiSiMe_3の反応からは、共にanti型異性体である[anti-O_3]TiClが得られた。このクロリド錯体のアルキル化反応ではanti型構造は保持され、[anti-O_3]TiR (R=Me,CH_2Ph)を生成する。一方、Zr(CH_2Ph)_4とH_3[O_3]の反応では[syn-O_3]Zr(CH_2Ph)(thf)_2と[O_3C]Zr(thf)_3の混合物を与える。sun型ベンジル錯体は容易に配位子のC-H活性化反応を起こし、[O_3C]Zr(thf)_3を生成する。興味深いことに、anti型構造をもつチタン錯体[anti-O_3]TiRは安定であり、ジルコニウム錯体で観測された分子内メタル化反応を起こさない。
英文摘要
トリ(2-ヒドロキシフェニル)メタンH_3[O_3]は古くから知られる化合物であるが、これまでに金属錯体の配位子として用いた例は極めて限られている。配位子[O_3]^<3->は次に挙げる3つの配位形態で金属に結合する興味深い化合物である。例えば、配位子のメチン架橋部位の水素原子の方向により、synおよびanti構造が考えられる。特にsyn構造ではメチン水素が金属近傍に存在し、agostic相互作用が強制的に形成される。一方、[O_3]配位子が反応活性な金属に配位した場合、メチン部位で容易にC-H活性化がおこり、新しい4座配位子[O_3C]^<4->が生成する。Ti(NEt_4)_4とH_3[O_3]を反応させるとsyn型構造をもつ[syn-O_3]Ti(NEt_2)が得られる。錯体[syn-O_3]Ti(NEt_2)の溶液を加熱するとsyn型構造からanti型構造の異性化反応が進行し、[anti-O_3]Ti(NEt_2)を生成する。synおよびanti型アミド錯体[O_3]Ti(NEt_2)とCiSiMe_3の反応からは、共にanti型異性体である[anti-O_3]TiClが得られた。このクロリド錯体のアルキル化反応ではanti型構造は保持され、[anti-O_3]TiR (R=Me,CH_2Ph)を生成する。一方、Zr(CH_2Ph)_4とH_3[O_3]の反応では[syn-O_3]Zr(CH_2Ph)(thf)_2と[O_3C]Zr(thf)_3の混合物を与える。sun型ベンジル錯体は容易に配位子のC-H活性化反応を起こし、[O_3C]Zr(thf)_3を生成する。興味深いことに、anti型構造をもつチタン錯体[anti-O_3]TiRは安定であり、ジルコニウム錯体で観測された分子内メタル化反応を起こさない。
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DOI:
10.1002/anie.200500587
发表时间:
2005-07
期刊:
Angewandte Chemie
影响因子:
--
作者:
[Ling-yan Kong;Zheng-Hua Zhang;Huifang Zhu;H. Kawaguchi;T. Okamura;M. Doi;Qianli R. Chu;Wei‐Yin Sun-Wei‐Yin]
通讯作者:
Ling-yan Kong;Zheng-Hua Zhang;Huifang Zhu;H. Kawaguchi;T. Okamura;M. Doi;Qianli R. Chu;Wei‐Yin Sun-Wei‐Yin
DOI:
10.1021/ic050453a
发表时间:
2005-08
期刊:
Inorganic chemistry
影响因子:
4.6
作者:
[Zheng-Hua Zhang;T. Okamura;Y. Hasegawa;H. Kawaguchi;Ling-yan Kong;Wei‐Yin Sun;N. Ueyama]
通讯作者:
Zheng-Hua Zhang;T. Okamura;Y. Hasegawa;H. Kawaguchi;Ling-yan Kong;Wei‐Yin Sun;N. Ueyama
Synthesis, Crystal Structures and Properties of Novel Copper(II) Complexes Obtained by Reactions of Copper(II) Sulfate Pentahydrate with Tripodal Ligands
五水硫酸铜(II)与三足配体反应获得的新型铜(II)配合物的合成、晶体结构和性能
DOI:
--
发表时间:
2005
期刊:
Dalton Trans.
影响因子:
--
作者:
[Zhao, W., Fan, J., Song, Y., Kawaguchi, H., Okamura, T., Sun, W.-Y., Ueyama, N.]
通讯作者:
N.
DOI:
10.1021/ja053740m
发表时间:
2005-08-31
期刊:
JOURNAL OF THE AMERICAN CHEMICAL SOCIETY
影响因子:
15
作者:
[Akagi, F, Matsuo, T, Kawaguchi, H]
通讯作者:
Kawaguchi, H
アニオン性二核窒素錯体の構造制御と機能
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批准号:23K23360
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额:$5.32万
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财政年份:2024
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负责人:川口 博之
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依托单位:
Structural control and functions of anionic dinitorgen dinuclear complexes
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批准号:22H02092
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额:$10.98万
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财政年份:2022
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负责人:川口 博之
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依托单位:
多座アリールオキシド配位子を用いた動的金属錯体反応場の構築
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批准号:16033263
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$2.94万
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财政年份:2004
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负责人:川口 博之
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依托单位:
多座フェノキシド配位子を用いた錯体反応場の構築と小分子活性化
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批准号:15036267
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$0.96万
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财政年份:2003
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负责人:川口 博之
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依托单位:
架橋型フェノキシド配位子をもつ金属錯体による小分子の活性化
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批准号:14703008
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项目类别:Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
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资助金额:$18.64万
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财政年份:2002
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负责人:川口 博之
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依托单位:
金属-カルコゲン多重結合をもつ第4-7族遷移金属錯体の合成と反応
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批准号:09740487
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$1.47万
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财政年份:1997
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负责人:川口 博之
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依托单位:
末端カルコゲニド配位子をもつモリブデンおよびタングステン錯体の合成と反応
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批准号:08740516
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.64万
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财政年份:1996
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负责人:川口 博之
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依托单位:
海外基金