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Preparation of SiC MIS structure with direct nitridation layer and its appreciation to power MOSFE

Preparation of SiC MIS structure with direct nitridation layer and its appreciation to power MOSFE
直接氮化层SiC MIS结构的制备及其在功率MOSFE中的应用
批准号：
24560371
负责人：
KAMIMURA Kiichi
金额：
$3.33万
依托单位：
Shinshu University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2012
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2012-04-01 至 2015-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-24560371/
关键词：
炭化ケイ素SiC直接窒化MIS界面制御プラズマ電界効果トランジスタ界面準位MOSFET窒化

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TEOS を用いた低温CVD 法によるSiC MIS 特性に対するアニールの影響
使用 TEOS 的低温 CVD 退火对 SiC MIS 特性的影响
DOI： --
发表时间： 2014
期刊：
影响因子： --
作者： [狩野巧生, 小松広基, 小林悠太, 赤羽桂幸, 山上朋彦, 上村喜一]
通讯作者： 上村喜一
Preparation and Characterization of Nitridation Layer on 4H SiC(0001) Surface by Direct Plasma Nitridation
直接等离子体氮化4H SiC(0001)表面氮化层的制备及表征
DOI： 10.4028/www.scientific.net/msf.778-780.631
发表时间： 2014
期刊： Materials Science Forum
影响因子： --
作者： [Yoshiyuki Akahane, Takuo Kano, Kyosuke Kimura, Hiroki Komatsu, Yukimune Watanabe, Tomohiko Yamakami, Kiichi Kamimura]
通讯作者： Kiichi Kamimura
Effect of Post-Deposition Annealing on Interface Properties of Deposited Tetraethylorthosilicate-SiO2/SiC Structure
沉积后退火对沉积原硅酸四乙酯-SiO2/SiC结构界面性能的影响
DOI： --
发表时间：
期刊：
影响因子： --
作者： [Takuo Kanou,Takashi Sakai, Tomohiko Yamakami and Kiichi Kamiura]
通讯作者： Tomohiko Yamakami and Kiichi Kamiura
熱処理によるSiO2/SiON/SiC 構造の特性改善
通过热处理改善SiO2/SiON/SiC结构的性能
DOI： --
发表时间： 2014
期刊：
影响因子： --
作者： [K. Ueda, M. Nishiwaki, T. Soumiya, and H. Asano, 赤羽桂幸，狩野巧生，荻野航弥，山上朋彦，上村喜一]
通讯作者： 赤羽桂幸，狩野巧生，荻野航弥，山上朋彦，上村喜一
共 10 条
    Fabrication of SiC FETs on Sapphire Substrate for High Power and High Temperature Operation.
    • 批准号：
      11650321
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
    • 资助金额：
      $2.3万
    • 财政年份：
      1999
    • 负责人：
      KAMIMURA Kiichi
    • 依托单位：
      Shinshu University
    Preparation and application of polycrystalline silicon carbide thin films as a material for micromachining.
    • 批准号：
      08650375
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
    • 资助金额：
      $1.22万
    • 财政年份：
      1996
    • 负责人：
      KAMIMURA Kiichi
    • 依托单位：
      Shinshu University
    国内基金
    海外基金
    高可靠性低损耗 Si IGBT+SiC JFET 串联混合管研究
    • 批准号：
      2026JJ80072
    • 项目类别：
      省市级项目
    • 资助金额：
      --
    • 批准年份：
      2026
    • 负责人：
      曾荣周
    • 依托单位：
      湖南工业大学
    空间辐射环境下沟槽型SiC MOSFET器件栅氧长期可靠性研究
    • 批准号：
      2026JJ60454
    • 项目类别：
      省市级项目
    • 资助金额：
      --
    • 批准年份：
      2026
    • 负责人：
      桂庆忠
    • 依托单位：
      湖南大学
    多芯片SiC并联高铁牵引变流器的软开关与动态均流协同控制研究
    基于REO/SiC界面调控的纳米复合强化自洁玻璃技术开发
    • 批准号：
    • 项目类别：
      省市级项目
    • 资助金额：
      --
    • 批准年份：
      2026
    • 负责人：
      黄兴才
    • 依托单位：
      盐城师范学院