Development of accurate high-resistance measurement system using quantum effect

利用量子效应开发精确的高电阻测量系统

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10 MΩ Quantum Hall Array Device
10 MΩ 量子霍尔阵列器件
  • DOI：
  • 发表时间：
    2018
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Takehiko Oe;Sucheta Gorwadkar;Taro Itatani;Nobu-Hisa Kaneko
  • 通讯作者：
    Nobu-Hisa Kaneko
Istituto Nazionale di RicercaMetrologica/Politecnico di Torino(イタリア)
国家计量研究所/都灵理工大学（意大利）
  • DOI：
  • 发表时间：
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
  • 通讯作者：
Takehiko Oe's Web Page
大江武彦的网页
  • DOI：
  • 发表时间：
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
  • 通讯作者：
Direct comparison of 1 MΩ quantum Hall array resistance and conventional quantized Hall resistance standard
1 MΩ量子霍尔阵列电阻与传统量子霍尔电阻标准的直接比较
  • DOI：
  • 发表时间：
    2018
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Nobu-Hisa Kaneko;Dong-Hun Chae;Wan-Seop Kim;and Takehiko Oe
  • 通讯作者：
    and Takehiko Oe
Error modelling of quantum Hall array resistance standards
量子霍尔阵列电阻标准的误差建模
  • DOI：
    10.1088/1681-7575/aaa5c1
  • 发表时间：
    2018
  • 期刊：
    Metrologia
  • 影响因子：
    2.4
  • 作者：
    Martina Marzano;Takehiko Oe;Massimo Ortolano;Luca Callegaro;and Nobu-Hisa Kaneko
  • 通讯作者：
    and Nobu-Hisa Kaneko
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Oe Takehiko其他文献

Precision Measurement of 1 MΩ Quantum Hall Resistance Array
1 MΩ 量子霍尔电阻阵列的精密测量
  • DOI：
    10.1109/cpem.2018.8500946
  • 发表时间：
    2018
  • 期刊：
    Metrologia
  • 影响因子：
    2.4
  • 作者：
    Chae Dong-Hun;Kim Wan-Seop;Oe Takehiko;Kaneko Nobu-Hisa
  • 通讯作者：
    Kaneko Nobu-Hisa
Characterization of 1 kΩ Metal-Foil Standard Resistors and Continuing Drift-Rate Evaluation of 1 Ω and 10 Ω Standard Resistors
1 kΩ 金属箔标准电阻器的表征以及 1 Ω 和 10 Ω 标准电阻器的持续漂移率评估
Topological and Edge Effects on Electronic States of Graphene and Related Nanomaterials
石墨烯及相关纳米材料电子态的拓扑和边缘效应
  • DOI：
  • 发表时间：
    2019
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Okazaki Yuma;Oe Takehiko;Kawamura Minoru;Yoshimi Ryutaro;Nakamura Shuji;Takada Shintaro;Mogi Masataka;Takahashi Kei S.;Tsukazaki Atsushi;Kawasaki Masashi;Tokura Yoshinori;Kaneko Nobu-Hisa;Katsunori Wakabayashi
  • 通讯作者：
    Katsunori Wakabayashi
Current-to-Voltage Conversion with Integrated Quantum Hall Resistors
使用集成量子霍尔电阻进行电流电压转换
Series connection of quantum Hall resistance array and programmable Josephson voltage standard for current generation at one microampere
量子霍尔电阻阵列和可编程约瑟夫森电压标准的串联，用于产生 1 微安电流
  • DOI：
    10.1088/1681-7575/ac97a0
  • 发表时间：
    2022
  • 期刊：
    Metrologia
  • 影响因子：
    2.4
  • 作者：
    Chae Dong-Hun;Kim Mun-Seog;Oe Takehiko;Kaneko Nobu-Hisa
  • 通讯作者：
    Kaneko Nobu-Hisa

Oe Takehiko的其他文献

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  • 通讯作者：
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Improvements of the small current measurement uncertainty using high resistance quantized Hall resistance array device
高阻量子化霍尔电阻阵列器件改善小电流测量不确定度
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    2024
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  • 财政年份：
    2023
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    Studentship
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    2023
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CDT Compound Semiconductor Physics (PhD Progression 1+3)
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    2881702
  • 财政年份：
    2023
  • 资助金额：
    $ 2.75万
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    Studentship
Development and application of compound semiconductor monolithic advanced unitary conversion photonic integrated circuits
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  • 财政年份：
    2023
  • 资助金额：
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CDT Compound Semiconductor Physics (PhD Progression 1+3)
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    2023
  • 资助金额：
    $ 2.75万
  • 项目类别：
    Studentship
CDT Compound Semiconductor Physics (PhD Progression 1+3)
CDT 化合物半导体物理（博士进修 1 3）
  • 批准号：
    2882400
  • 财政年份：
    2023
  • 资助金额：
    $ 2.75万
  • 项目类别：
    Studentship
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