Oxide semiconductor steep slope flexible device using ionic liquid
Oxide semiconductor steep slope flexible device using ionic liquid
使用离子液体的氧化物半导体陡坡柔性器件
批准号：
16K18093
负责人：
FUJII Mami
金额：
$2.66万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
财政年份：
2016
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2016-04-01 至 2019-03-31
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自己組織化単分子膜形成によるInGaZnO/イオン液体界面反応における保護作用
自组装单分子层形成对InGaZnO/离子液体界面反应的保护作用
自组装单分子层形成对InGaZnO/离子液体界面反应的保护作用
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[石田翔麻, 藤井茉美, 劉洋, 山田祐久, 石河泰明, 浦岡行治, 藤田直幸]
通讯作者：
藤田直幸
高誘電体SrTa2O6をゲート絶縁膜に用いた高性能酸化物薄膜トランジスタ
采用高介电常数SrTa2O6作为栅绝缘膜的高性能氧化物薄膜晶体管
采用高介电常数SrTa2O6作为栅绝缘膜的高性能氧化物薄膜晶体管
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[髙橋崇典, 宝賀剛, 宮永良子, 藤井茉美, 浦岡行治, 内山潔]
通讯作者：
内山潔
スパッタ法による高誘電体SrTa2O6薄膜の作製と酸化物薄膜トランジスタへの応用薄膜トランジスタへの応用スパッタ法による高誘電体SrTa2O6薄膜の作製と酸化物薄膜トランジスタへの応用
溅射法制备高介电 SrTa2O6 薄膜及其在氧化物薄膜晶体管中的应用 溅射法制备高介电 SrTa2O6 薄膜及其在氧化物薄膜晶体管中的应用
溅射法制备高介电 SrTa2O6 薄膜及其在氧化物薄膜晶体管中的应用 溅射法制备高介电 SrTa2O6 薄膜及其在氧化物薄膜晶体管中的应用
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[髙橋崇典, 宝賀剛, 宮永良子, 藤井茉美, 及川賢人, 浦岡行治, 内山潔]
通讯作者：
内山潔
酸化タンタル系ゲート絶縁膜が非晶質InGaZnO薄膜トランジスタに及ぼす効果
氧化钽栅极绝缘膜对非晶InGaZnO薄膜晶体管的影响
氧化钽栅极绝缘膜对非晶InGaZnO薄膜晶体管的影响
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[髙橋崇典, 宝賀剛, 宮永良子, 藤井茉美, 浦岡行治, 内山潔]
通讯作者：
内山潔
Defect Analysis of Siloxane Gate Insulator and its Interface in a-IGZO Thin-Film Transistor Nara Institute of Science and Technology
a-IGZO薄膜晶体管硅氧烷栅极绝缘体及其界面的缺陷分析 奈良科学技术大学
a-IGZO薄膜晶体管硅氧烷栅极绝缘体及其界面的缺陷分析 奈良科学技术大学
DOI：
--
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Chaiyanan Kulchaisit, Juan Paolo Bermundo, Mami N. Fujii, Yasuaki Ishikawa, and Yukiharu Uraoka]
通讯作者：
and Yukiharu Uraoka
共 23 条
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