Directed self-assembly for fabrication of organic devices with sub-20 nm resolution
Directed self-assembly for fabrication of organic devices with sub-20 nm resolution
用于制造亚 20 nm 分辨率有机器件的定向自组装
批准号：
16K20912
负责人：
Hiroshiba Nobuya
金额：
$2.66万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
财政年份：
2016
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2016-04-01 至 2018-03-31
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Growth of aluminum oxide on, in imprinted resin patterns by an atomic layer deposition technique
通过原子层沉积技术在压印树脂图案上生长氧化铝
通过原子层沉积技术在压印树脂图案上生长氧化铝
DOI：
--
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Nobuya Hiroshiba, Shiho Kuroyanagi, Masaru Nakagawa]
通讯作者：
Masaru Nakagawa
Anisotropic oxygen reactive ion etching for removing a residual layer of 45-nm-linewidth imprint patterns
用于去除 45 纳米线宽压印图案残留层的各向异性氧反应离子蚀刻
用于去除 45 纳米线宽压印图案残留层的各向异性氧反应离子蚀刻
DOI：
--
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Takuya Uehara, Shoichi Kubo, Nobuya Hiroshiba, Masaru Nakagawa]
通讯作者：
Masaru Nakagawa
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DOI：
--
发表时间：
期刊：
影响因子：
--
作者：
[]
通讯作者：
逐次浸透合成によるポジ型電子線レジストの有機－無機ハイブリッド化
顺序渗透合成正电子束抗蚀剂的有机-无机杂化
顺序渗透合成正电子束抗蚀剂的有机-无机杂化
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[尾崎優貴, 伊東駿也, 廣芝伸哉, 中村貴宏, 中川勝]
通讯作者：
中川勝
Crystallographic Polarity Effect of ZnO on Thin Film Growth of Pentacene
ZnO 晶体极性对并五苯薄膜生长的影响
ZnO 晶体极性对并五苯薄膜生长的影响
DOI：
10.7567/jjap.56.04cj03
发表时间：
2017
期刊：
Japanese Journal of Applied Physics
影响因子：
1.5
作者：
[Tatsuru Nakamura, Takahiro Nagata, Ryoma Hayakawa, Takeshi Yoshimura, Seungjun Oh, Nobuya Hiroshiba, Toyohiro Chikyow, Norifumi Fujimura, Yutaka Wakayama]
通讯作者：
Yutaka Wakayama
共 16 条
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