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Demonstration of innovative Germanium optoelectronic devices and developments of simulation technologies

Demonstration of innovative Germanium optoelectronic devices and developments of simulation technologies
创新型锗光电器件展示及仿真技术发展
批准号:
21246003
负责人:
SHIRAKI Yasuhiro
金额:
$26.12万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
财政年份:
2009
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2009 至 2012

项目摘要

项目成果

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中文摘要
翻译
我们确立了在Si平台上实现Ge光电子器件的基本技术,这是面向下一代LSI(大规模集成电路)的高性能和低功耗的有前途的创新器件,沿着模拟技术。我们成功地形成了新型的应变Ge沟道结构和应变Ge-on-Insulator,室温下光子晶体的强电致发光和Ge量子点的微盘微腔及其与光波导的耦合。
英文摘要
We established essential technologies for realization of Ge optoelectronic devices on the Si platform, which are promising innovative devices with high performances and low power consumption toward next-generation LSI (Large Scale Integration), along with simulation technologies. We succeeded in formation of novel strained Ge channel structures and strained Ge-on-Insulator, room-temperature strong electroluminescence from photonic crystal and microdisk maicrocavities with Ge quantum dots and their coupling with optical waveguide.
期刊论文(132)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
DOI: 10.1088/0268-1242/26/5/055004
发表时间: 2011-05
期刊: Semiconductor Science and Technology
影响因子: 1.9
作者: [Y. Shin;R. Brunner;A. Shibatomi;T. Obata;T. Otsuka;J. Yoneda;Y. Shiraki;K. Sawano;Y. Tokura-Y.-Toku]
通讯作者: Y. Shin;R. Brunner;A. Shibatomi;T. Obata;T. Otsuka;J. Yoneda;Y. Shiraki;K. Sawano;Y. Tokura-Y.-Toku
Electroluminescence of a Si-based light emitting device using photonic crystal microcavity with self-assembled Ge dots
使用具有自组装Ge点的光子晶体微腔的硅基发光器件的电致发光
DOI: --
发表时间: 2011
期刊:
影响因子: --
作者: [T.Tsuboi, J.S.Xia, X.Xu, N.Usami, T.Maruizumi, Y.Shiraki]
通讯作者: Y.Shiraki
Si微小共振器中Ge量子ドットによる発光素子の開発
在硅微腔中使用Ge量子点开发发光器件
DOI: --
发表时间: 2011
期刊:
影响因子: --
作者: [丸泉琢也, 夏金松, 白木靖寛]
通讯作者: 白木靖寛
Ion Implantation for Strain Engineering of Si-based Semiconductor
硅基半导体应变工程的离子注入
DOI: --
发表时间: 2011
期刊:
影响因子: --
作者: [菅間良太, 山岸郷志, 阪口基己, 岡崎正和, 深沼博隆, 若井彩子・深沢宏樹・西嶋政樹・福原学・楊成・森直・井上佳久, Kentarou Sawano]
通讯作者: Kentarou Sawano
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    Study on Enhancement of Non-Phonon Excitonic Luminescence by using Inhomogeneous strain fields
    • 批准号:
      11450002
    • 项目类别:
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    • 资助金额:
      $6.08万
    • 财政年份:
      1999
    • 负责人:
      SHIRAKI Yasuhiro
    • 依托单位:
    Research on epitaxial growth of functional group-IV semiconductor superstructures and application to VLSI
    • 批准号:
      09355001
    • 项目类别:
      Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
    • 资助金额:
      $19.71万
    • 财政年份:
      1997
    • 负责人:
      SHIRAKI Yasuhiro
    • 依托单位:
    Research on Optical Transitions of Indirect Semiconductors with Novel Superstructures
    • 批准号:
      08455008
    • 项目类别:
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    • 资助金额:
      $5.5万
    • 财政年份:
      1996
    • 负责人:
      SHIRAKI Yasuhiro
    • 依托单位:
    Control of Optical Transitions with Quantum Microstructures of Indirect Semiconductors
    • 批准号:
      06452103
    • 项目类别:
      Grant-in-Aid for General Scientific Research (B)
    • 资助金额:
      $2.56万
    • 财政年份:
      1994
    • 负责人:
      SHIRAKI Yasuhiro
    • 依托单位:
    海外基金