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Development of Fundamental Technologies of III-Nitride Semiconductor Optical Devices with "1-monolayer" Quantum Well Structures
“单层”量子阱结构III族氮化物半导体光器件基础技术开发
基本信息
- 批准号：23246056
- 负责人：
- 金额：$ 31.37万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
- 财政年份：2011
- 资助国家：日本
- 起止时间：2011-04-01 至 2015-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（107）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Prospects and problems for III-N solar cells: Theoretical and experimental
III-N太阳能电池的前景和问题：理论和实验
- DOI：
- 发表时间：2014
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Akihiko Yoshikawa;Kazuhide Kusakabe;Ke Wang;and Naoki Hashimoto
- 通讯作者：and Naoki Hashimoto
Characteristics of carrier recombination processes in n-type and p-type InN films analyzed by infrared spectroscopy
红外光谱分析n型和p型InN薄膜中载流子复合过程的特征
- DOI：
- 发表时间：2012
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：S. Takagi;M. Yokoyama;S.-H. Kim;R. Zhang and M. Takenaka;Daichi Imai
- 通讯作者：Daichi Imai
Effect of Mg doping on the structural and free-charge carrier properties of InN films
- DOI：10.1063/1.4871975
- 发表时间：2014-04-28
- 期刊：
- 影响因子：3.2
- 作者：Xie, M. -Y.;Ben Sedrine, N.;Darakchieva, V.
- 通讯作者：Darakchieva, V.
「ワイドギャップ半導体 あけぼのから最前線へ」“窒化物半導体による広帯域・高効率太陽電池”
“从黎明到最前沿的宽禁带半导体”“使用氮化物半导体的宽带高效太阳能电池”
- DOI：
- 发表时间：2013
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：張睿;岩崎敬志;田岡紀之;竹中充;高木信一;草部一秀（分担）
- 通讯作者：草部一秀（分担）
窒化物半導体超薄膜量子井戸構造/短周期超格子の形成とSMART太陽電池への展開-InGaN系窒化物半導体のエピタキシ制御から超薄膜ナノ構造光デバイス開発へ-
氮化物半导体超薄膜量子阱结构/短周期超晶格的形成及其在智能太阳能电池中的应用 - 从InGaN基氮化物半导体的外延控制到超薄膜纳米结构光学器件的开发 -
- DOI：
- 发表时间：2011
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：浅本晋吾， 横井太一;平林雅也;小林薫;吉川明彦
- 通讯作者：吉川明彦
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YOSHIKAWA Akihiko其他文献
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{{ truncateString('YOSHIKAWA Akihiko', 18)}}的其他基金
Study on the polarity control of hexagonal-structure widegap compound semiconductors and its effect on the material control
六方结构宽禁带化合物半导体极性控制及其对材料控制的影响研究
- 批准号：
13450121 - 财政年份：2001
- 资助金额：
$ 31.37万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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光辅助原子层外延生长和 (III-V)-(II-VI) 超级晶格的性能
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用于蓝色发光器件的II-VI族化合物半导体的物理性能控制
- 批准号：
61550222 - 财政年份：1986
- 资助金额：
$ 31.37万 - 项目类别：
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相似海外基金
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阐明III族氮化物半导体中的离子注入杂质激活机制和点缺陷控制
- 批准号：
23K21082 - 财政年份：2024
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多层稀氮化物半导体发光层实现室温电场驱动超快偏振调制
- 批准号：
24KJ0297 - 财政年份：2024
- 资助金额：
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Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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使用多晶硅衬底的III族氮化物半导体平面发光器件的开发研究
- 批准号：
24K07603 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 31.37万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
界面電荷・歪分極エンジニアリングの併用による窒化物半導体デバイス閾値電圧制御
使用界面电荷和应变极化工程控制氮化物半导体器件的阈值电压
- 批准号：
23K22815 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 31.37万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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- 批准号：
23K26572 - 财政年份：2024
- 资助金额：
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Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
窒化物半導体における選択極性反転技術の構築とn型p型領域同時形成への応用の研究
氮化物半导体选择性极性反转技术的构建及其在n型和p型区域同时形成中的应用研究
- 批准号：
24H00425 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 31.37万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
窒化物半導体結晶成長における三次元格子整合エピタキシーの追究
氮化物半导体晶体生长中三维晶格匹配外延的追求
- 批准号：
24K01366 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 31.37万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
窒化物半導体AlGaNの非極性面成長と深紫外LED応用
氮化物半导体AlGaN的非极性面生长及深紫外LED应用
- 批准号：
23K23238 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 31.37万 - 项目类别：
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阐明氮化物半导体的热电特性和性能改进，以有效利用半导体器件废热
- 批准号：
23K26148 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 31.37万 - 项目类别：
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希薄窒化物半導体の光・電子・スピン機能性が拓く室温光スピントロニクスの新展開
稀氮化物半导体的光学、电子和自旋功能开发的室温光学自旋电子学新进展
- 批准号：
24K00913 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 31.37万 - 项目类别：
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