Development of Fundamental Technologies of III-Nitride Semiconductor Optical Devices with "1-monolayer" Quantum Well Structures
Development of Fundamental Technologies of III-Nitride Semiconductor Optical Devices with "1-monolayer" Quantum Well Structures
批准号:
23246056
负责人:
YOSHIKAWA Akihiko
金额:
$31.37万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
财政年份:
2011
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2011-04-01 至 2015-03-31
中文摘要
点击翻译按钮获取中文摘要
英文摘要
期刊论文(107)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
登录
查看更多内容
Prospects and problems for III-N solar cells: Theoretical and experimental
III-N太阳能电池的前景和问题:理论和实验
DOI:
--
发表时间:
2014
期刊:
影响因子:
--
作者:
[Akihiko Yoshikawa, Kazuhide Kusakabe, Ke Wang, and Naoki Hashimoto]
通讯作者:
and Naoki Hashimoto
Characteristics of carrier recombination processes in n-type and p-type InN films analyzed by infrared spectroscopy
红外光谱分析n型和p型InN薄膜中载流子复合过程的特征
DOI:
--
发表时间:
2012
期刊:
影响因子:
--
作者:
[S. Takagi, M. Yokoyama, S.-H. Kim, R. Zhang and M. Takenaka, Daichi Imai]
通讯作者:
Daichi Imai
DOI:
10.1063/1.4871975
发表时间:
2014-04-28
期刊:
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
影响因子:
3.2
作者:
[Xie, M. -Y., Ben Sedrine, N., Darakchieva, V.]
通讯作者:
Darakchieva, V.
「ワイドギャップ半導体 あけぼのから最前線へ」“窒化物半導体による広帯域・高効率太陽電池”
“从黎明到最前沿的宽禁带半导体”“使用氮化物半导体的宽带高效太阳能电池”
DOI:
--
发表时间:
2013
期刊:
影响因子:
--
作者:
[張睿, 岩崎敬志, 田岡紀之, 竹中充, 高木信一, 草部一秀(分担)]
通讯作者:
草部一秀(分担)
窒化物半導体超薄膜量子井戸構造/短周期超格子の形成とSMART太陽電池への展開-InGaN系窒化物半導体のエピタキシ制御から超薄膜ナノ構造光デバイス開発へ-
氮化物半导体超薄膜量子阱结构/短周期超晶格的形成及其在智能太阳能电池中的应用 - 从InGaN基氮化物半导体的外延控制到超薄膜纳米结构光学器件的开发 -
DOI:
--
发表时间:
2011
期刊:
影响因子:
--
作者:
[浅本晋吾, 横井太一, 平林雅也, 小林薫, 吉川明彦]
通讯作者:
吉川明彦
共 102 条
Study on the polarity control of hexagonal-structure widegap compound semiconductors and its effect on the material control
-
批准号:13450121
-
项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
-
资助金额:$9.6万
-
财政年份:2001
-
负责人:YOSHIKAWA Akihiko
-
依托单位:
DEVELOPMENT OF MULTIPLY PHOTO-ASSISTED MOVPE FOR FABRICATION OF SEMICONDUCTOR BLUE LASER DIODES
-
批准号:07555411
-
项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
-
资助金额:$0.77万
-
财政年份:1995
-
负责人:YOSHIKAWA Akihiko
-
依托单位:
A New in-situ Optical Probing Method for the Surface Reaction in Heteroepitaxy : Surface Photo-Interference
-
批准号:05452092
-
项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (B)
-
资助金额:$4.03万
-
财政年份:1993
-
负责人:YOSHIKAWA Akihiko
-
依托单位:
Growth and Properties of (III-V)-(II-VI) Super Lattices by Photo-Assisted Atomic Layer Epitaxy
-
批准号:01460134
-
项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (B)
-
资助金额:$3.65万
-
财政年份:1989
-
负责人:YOSHIKAWA Akihiko
-
依托单位:
Physical Properties control of II-VI Compound Semiconductors for Blue Light-Emitting-Devices
-
批准号:61550222
-
项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
-
资助金额:$1.34万
-
财政年份:1986
-
负责人:YOSHIKAWA Akihiko
-
依托单位:
海外基金