スタンプ法を応用した体内埋込型血圧センサマトリクスの作製

使用印章法制造植入式血压传感器矩阵

• 批准号: 13J01366
• 负责人: 平田 郁恵
• 金额: $ 1.54万
• 依托单位: The University of Tokyo
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for JSPS Fellows
• 财政年份: 2013
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2013-04-01 至 2015-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-13J01366/
• 关键词: 有機トランジスタ; 自己組織化単分子膜; 薄膜トランジスタ; ソフトリソグラフィ; 多点電極アレイ

本期間中には，回路素子として前期間に作製したトランジスタの動作特性の解明を行った．具体的には，自己組織化単分子膜の共吸着によって作製した自己組織化単分子膜（self-assembled monolayers; SAM）の表面形状と電位を測定し，トランジスタ特性の変化と比較した．また，共吸着されたSMA上の有機半導体の結晶構造の変化を観察した．まず，共吸着されたoctylphosphonic acid（HC8-PA）とperfluorooctylphosphonic acid（FC8-PA）の表面形状と電位をKFMによって観察した． FC8-PAの混合比であるχが大きくなるにつれ表面電位は平均的に上昇した．しきい値電圧の変化はビルトイン・ポテンシャルによって誘起される固定電荷をもとに考えるモデルに従うことがわかった．また，χが小さくなるにつれ，絶縁膜表面が平滑化されることがわかった．この結果は，SAM混合比と絶縁膜表面のトラップ密度との関係とも整合性がある．すなわち，FC8-PAの増加によって，表面の平坦性に起因するトラップ密度が減少したと考えられる．次に，共吸着したSAM表面に有機半導体であるdinaphtho[2,3-b:2’,3’-f]thieno[3,2-b]-thiophene（DNTT）を熱蒸着し，その結晶構造についてXRDを用いて観察した．その結果，混合比を変えることによって，特にb軸方向の結晶面間の増加が顕著となることがわかった．DNTT結晶でホール移動度について最も実効的であるのがa軸，次にb軸である．トランジスタとしての移動度の変化は，これに起因するものであると考えられる．

During this period, the loop element is controlled and the operation characteristics of the loop element are explained. Specifically, the surface shape and potential of self-assembled monolayers (SAM) were measured and compared. The crystal structure of organic semiconductors on co-sorbed SMAs has been investigated. Also, the surface shape and potential of co-adsorbed octylphosphonic acid (HC8-PA) and perfluorooctylphosphonic acid (FC8-PA) were observed by KFM. The mixing ratio of FC8-PA increases with the average surface potential. The voltage of the battery is changed to the fixed charge. The surface of the insulating film is smoothed. As a result, SAM mixing ratio and density of insulating film surface are closely related. FC8-PA increases in density due to surface flatness. In addition, co-adsorption of organic semiconductors on SAM surfaces was observed by XRD. As a result, the mixing ratio is changed, especially in the b-axis direction, and the crystal planes are increased.DNTT crystal mobility is increased in the a-axis direction, and the b-axis direction is increased. The reason for this change is that

项目成果

ゲート絶縁膜表面電位による有機トランジスタのしきい値電圧操作

利用栅极绝缘膜表面电位控制有机晶体管的阈值电压

• 发表时间: 2015
• 作者: 平田郁恵;石井智章;Ute Zschieschang;横田知之;栗原一徳;Hagen Klauk;関谷毅;高橋琢二; 染谷隆夫
• 通讯作者: 染谷隆夫

Surface Analysis of the Self-assembled Monolayers of Coadsorbted Octylphosphonic Acid and Perfluorooctylphosphonic Acid on Aluminium Oxide as a Gate Dielectric of Organic Thin Film Transistor

有机薄膜晶体管栅极介质氧化铝上共吸附辛基膦酸和全氟辛基膦酸自组装单分子层的表面分析

• 发表时间: 2013
• 作者: Ikue Hirata;Ute Zschieschang;Tomoyuki Yokota;Kazunori Kuribara;Hagen Klauk;Tsuyoshi Sekitani;and Takao Someya
• 通讯作者: and Takao Someya

Effects of coadsorption of alkylphosphonic acids on organic thin film transistor as gate dielectric

烷基膦酸共吸附对有机薄膜晶体管栅介质的影响

• 发表时间: 2013
• 作者: Ikue Hirata. Ute Zschieschang;Frederik Ante;Tomoyuki Yokota;Kazunori Kuribara;Hagen Klauk;Tsuyoshi Sekitani;and Takao Someya
• 通讯作者: and Takao Someya