Dendritisches Wachstum von Dichalkogenid-Inseln, Mechanismen bei der Präparation von Dichalkogenid-Multischichten und bei der Interkalation, Phasenübergänge an Oberflächen und in dünnen Schichten

mitterels other - und grenzflächenempfindlicher Röntgenstreuung sollen die Bildung von Übergangsmetall-Dichalkogenid-Schichten and benachbarte . (A) Das Wachstum von epitaktisch hergestellten Inseln。Der Schwerpunkt light auf Der Untersuchung von schichhtkristallen, die unestimmten Bedingungen Inselstrukturen mit stark unregelmäßiger Berandung ausbilden。Eine strukturelle Charakterisierung dieser Inseln hinsichtlich Gitterparametern, mittleeren insele - inselAbständen， Vorzugsorientierungen等。soll durchgefhrt和durchleich mitmodelrechungen ein besseres Verständnis der Anfangsstadien der filmbildingerreicht werden。Teil (B) ergänzt diese Untersuchungen, indem die Bildung von chemisch hergestellten ' d<s:1> nnen' and 'dicken' Chalkogenid-Schichten and Multischicht-Systemen sowie die Interkalation von碱金属离子untersucht werden soll。模具相关振型参数为Schichtdicken和Rauhigkeiten等参数Netzebenabstände和deren等参数。Im Teil (C) sollen Phasenübergänge mit Ladungsdichtewellen in halbunendlichen Chalkogenid-Systemen sowie in dnnen Chalkogenid-Schichten untersucht werden。

Mittels ober- und grenzflächenempfindlicher Röntgenstreuung sollen die Bildung von Übergangsmetall-Dichalkogenid-Schichten und benachbarte Themenkomplexe untersucht werden: (A) Das Wachstum von epitaktisch hergestellten Inseln. Der Schwerpunkt liegt auf der Untersuchung von Schichtkristallen, die unter bestimmten Bedingungen Inselstrukturen mit stark unregelmäßiger Berandung ausbilden. Eine strukturelle Charakterisierung dieser Inseln hinsichtlich Gitterparametern, mittleren Insel-Insel Abständen, Vorzugsorientierungen etc. soll durchgeführt und durch Vergleich mit Modellrechnungen ein besseres Verständnis der Anfangsstadien der Filmbildung erreicht werden. Teil (B) ergänzt diese Untersuchungen, indem die Bildung von chemisch hergestellten 'dünnen' und 'dicken' Chalkogenid-Schichten und Multischicht-Systemen sowie die Interkalation von Alkalimetallionen untersucht werden soll. Die relevanten strukturellen Parameter wie Schichtdicken und Rauhigkeiten sowie Netzebenabstände und deren Orientierung sollen bestimmt werden. Im Teil (C) sollen Phasenübergänge mit Ladungsdichtewellen in halbunendlichen Chalkogenid-Systemen sowie in dünnen Chalkogenid-Schichten untersucht werden.