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ラマン・赤外分光によるアモルファス・カルコゲナイド半導体の研究

ラマン・赤外分光によるアモルファス・カルコゲナイド半導体の研究
利用拉曼和红外光谱研究非晶硫族化物半导体
批准号:
56211034
负责人:
邑瀬 和生
金额:
$1.98万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Special Project Research
财政年份:
1981
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
1981 至 --
关键词:

项目摘要

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磁気電気容量と量子伝導による多様な形状の2次元電子系の研究
  • 批准号:
    08217214
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
  • 资助金额:
    $1.54万
  • 财政年份:
    1996
  • 负责人:
    邑瀬 和生
  • 依托单位:
多様な形状の2次元電子系におけるエッジ状態の磁気静電容量と量子伝導による研究
  • 批准号:
    07227216
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
  • 资助金额:
    $1.47万
  • 财政年份:
    1995
  • 负责人:
    邑瀬 和生
  • 依托单位:
多様な形状の2次元電子系におけるエッジ状態の磁気静電容量と量子伝導による研究
  • 批准号:
    06238216
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
  • 资助金额:
    $1.6万
  • 财政年份:
    1994
  • 负责人:
    邑瀬 和生
  • 依托单位:
量子干渉効果ディバイスの基礎
  • 批准号:
    03237104
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
  • 资助金额:
    $32.0万
  • 财政年份:
    1990
  • 负责人:
    邑瀬 和生
  • 依托单位: