Einfluß von Verspannung, Komposition und Schichtung auf die Eigenschaften von Nitriden: Ab initio Berechnungen

应变、成分和分层对氮化物性能的影响：从头计算

• 批准号: 5196940
• 负责人: Professor Dr. Friedhelm Bechstedt
• 金额: --
• 依托单位: Institut für Festkörpertheorie und Theoretische Optik
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Priority Programmes
• 财政年份: 1997
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 1996-12-31 至 2003-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/5196940?language=en
• 关键词: Einflu; von; Verspannung; Komposition; und

Im Rahmen zweier Doktorarbeiten sollen selbstkonsistente und parameterfreie Dichtefunktional- bzw. Dichtefunktionalstörungstheorie-Berechnungen der Energetik, der Geometrie, der Elektronenstruktur, von dielektrischen Eigenschaften und Schwingungsfrequenzen von verspannten Nitridschichten, die zudem als Mischkristalle oder in Schichtpaketen vorliegen können, durchgeführt werden. Ziel der ersten Arbeit ist es zu untersuchen, wie sich die elektronischen, dielektrischen und gitterdynamischen Eigenschaften insbesondere von AlN und GaN ändern, wenn diese Halbleiter auf gitterfehlangepaßten Substraten aufwachsen oder in Supergittern abgeschieden werden. Es soll der Einfluß der resultierenden elastischen Verspannungen auf Bandstrukturen, dielektrische Eigenschaften und Schwingungsspektren untersucht werden. Einerseits geht es um ein prinzipielles Verständnis der Wirkung von Verspannungen und Grenzflächen in stark gebundenen Materialien mit hoher Ionizität, andererseits sollen Daten für in (0001)Richtung biaxial verspannte Wurtzit-Strukturen bzw. in (001)Richtung verspannte Zinkblende-Schichtpakete zur Verfügung gestellt werden. Ziel der zweiten Arbeit sind Beiträge zum tieferen mikroskopischen Verständnis der Struktur, Thermodynamik und Eigenschaften der InGaN- und GaAlN-Mischkristalle und entsprechender geordneter Phasen. Aus ersten Prinzipien heraus sollen über den Gesamtenergieformalismus Aussagen über die Mischungslücke dieser Kristalle in Abhängigkeit von einer vorhandenen biaxialen Verspannung für beide relevanten Kristallstrukturen gemacht werden. Im Bereich der Mischungslücke werden Ordnungsphänomene sowie mögliche stabile Übergitterstrukturen untersucht. Die strukturellen und elektronischen Parameter der Mischkristalle bzw. geordneten Strukturen sollen berechnet werden. Die resultierenden inneren Felder bedingt durch die spontane bzw. piezoelektrische Polarisation werden studiert.

我是 Rahmen zweier Doktorarbeiten sollen selfkonstantinente und parameterfree Dichtefunktional- bzw。能源、几何、电子结构、介质特性和氮化物分布频率的理论基础，以及在之前的 Schichtpaketen 中的 Mischkristalle 或 der 的工作原理 können，durchgeführt werden。 Ziel der ersten Arbeit ist es zu untersuchen, wie sich die elektronischen, dielektrischen und gitterdynamischen Eigenschaften insbesondere von AlN and GaN ändern, wenn diese Halbleiter auf gitterfehlangepaßten Substraten aufwachsen oder in Supergittern abgeschieden韦尔登。这就是乐队结构、结构特征和演奏过程中的弹性变化的结果。 Einerseits geht es um ein prinzipielles Verständnis der Wirkung von Verspannungen und Grenzflächen in stark gebundenen Materialien mit hoher Ionizität, andererseits sollen Daten für in (0001)Richtung biaxis verspannte Wurtzit-Strukturen bzw. (001)Richtung verspannte Zinkblende-Schichtpakete zur Verfügung gestellt werden。结构、热力学和 InGaN- 和 GaAlN-Mischkristalle 的特征和 entprechender geordneter Phasen 的结构、热力学和特征。 Aus ersten Prinzipien heraus sollen über den Gesamtengieformalismus Aussagen über die Mischungslücke dieser Kristalle in Abhängigkeit von einer vorhandenen biaxisen Verspannung für beide relateden Kristallstrukturen gemacht werden. Im Bereich der Mischungslücke werden Ordnungsphänomene sowie mögliche stable Übergitterstrukturen undersucht。 Mischkristalle bzw 的结构和电子参数。 geordneten Strukturen sollen berechnet werden。内在的结果是自发的。压电偏振学研究人员。