Geometrie und Eigenschaften von Gruppe-IV-Nanokristallen: Ab initio Berechnungen

这是一种新的技术和技术，它是一种新型的机械设备，是一种新型的机械设备，是一种新型的机械设备。这是一种自组织自生硅-碳化硅-硅晶石的自生有机体。一般情况下，植入术和插入术都会导致患者死亡。在非晶态金属材料和纳米晶之间的模拟中，集群孕育模具模拟。在米申根，我们有1-x6个磁盘。我们对此进行了深入的研究。从根本上说，这是一种新的方法。在这项研究中，我们得到了最好的结果。

Ziel des Projektes ist es, Aussagen zu den Bildungsmechanismen, zur atomaren Geometrie, der Elektronenstruktur und den abgeleiteten optischen Eigenschaften von nanostrukturierten Gruppe-IVHalbleitern zu machen. Es geht dabei einerseits um selbstorganisiert auf Si- oder SiC-Substraten aufgewachsene Si- und GeKristallite. Andererseits werden Ge-Nanokristalle, die durch Ionenimplantation und nachfolgendes thermisches Ausheilen im SiC generiert werden, untersucht. Wasserstoffabgesättigte Cluster gestatten die Simulation sowohl von freien als auch von in amorphen Matrizen eingebetteten Nanokristalliten. Der Einfluss von Mischungen wie Ge1-xSix wird diskutiert. Die strukturellen Untersuchungen werden auf Kohlenstoff-Nanokristalle ausgedehnt. Die Untersuchungen basieren weitgehend auf parameterfreien ab initio Berechnungsmethoden. Die die optischen Eigenschaften bestimmenden Vielteilcheneffekte werden in die Rechnung einbezogen.