GaーサAl∋-xAs-AlAs超格子幅の励起子のピコ秒分光と光双安定性

GaSaAl∋-xAs-AlAs超晶格宽度中激子的皮秒光谱和光学双稳定性

• 批准号: 60222017
• 负责人: 舛本 泰章
• 金额: $ 2.37万
• 依托单位: The University of Tokyo
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Special Project Research
• 财政年份: 1985
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 1985 至 无数据
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-60222017/
• 关键词: 混晶; 超格子; 量子井戸; 励起子; ピコ秒分光; 光双安定性; 吸収飽和

本年度は、Gax【Al_(1-x)】As-AlAs超格子中の励起子を対象として、ピコ秒分光法による緩和過程の研究および、光双安定性の基礎となる吸収飽和特性の研究を行なった。 X=0.12およびX=0.2の混晶量子井戸をもつGax【Al_(1-x)】As-AlAs超格子については、励起子発光のピコ秒時間分解の実験に基づき、励起子の緩和過程を研究した。 この研究により、励起子のエネルギー緩和速度は、励起子の状態密度スペクトルに依存している事が明らかになった。 GaAs-AlAs超格子を対象とし、井戸厚を系統的に変化させて行なった実験結果と併せて検討する事により、この特異なエネルギー緩和過程は、超格子中のヘテロ接合界面のゆらぎに局在した励起子が、フォノンを放出しながら、局在状態から別の局在状態へ、状態密度スペクトルの裾の状態間を遷移するというモデルにより説明できる事が明らかになった。 Xが0.3を越える混晶量子井戸Gax【Al_(1-x)】As-AlAsの場合には、低温(4.2K)で最低エネルギーの励起子が発光せず、更に低エネルギーのDeep状態への緩和が支配的であった。 この現象が、試料の質に依存した現象なのかあるいは、X【〜!=】0.2〜0.3を境として組成の変化が急激にひきおこす本質的な現象なのかは、更に検討を要す。 励起子の吸収飽和特性は、Gax【Al_(1-x)】As-AlAsおよびGaAs-AlAs超格子試料につき研究し、量子井戸の厚みに強く依存した興味深い吸収飽和特性を見出した。 即ち、井戸厚の薄い試料では、吸収飽和は選択的に吸収帯の低エネルギー領域でおこるが、井戸厚の厚い試料では、吸収飽和は、励起子吸収帯全域にわたって一様におこる。 励起子吸収帯の拡がりは、ヘテロ接合界面のゆらぎに寄因するが、ゆらぎが大きいと、励起子の局在化をひきおこし、緩和とあいまって低エネルギー領域に励起子が集積されるとすると、実験事実は説明できる。

In this year, we have studied the relaxation process of excitation in Gax [Al_(1-x)] As-AlAs superlattices and the absorption saturation characteristics of the basis of optical bistability. X=0.12 X=0.2 Mixed crystal quantum well Gax [Al_(1-x)] As-AlAs superlattice This study focuses on the relaxation of excitation speed and excitation state density. GaAs-AlAs superlattice corresponds to the image, the well thickness, the system's transformation, the results, the investigation, the special transformation, the mitigation process, the superlattice's transformation, the interface's transformation, the excitation, the emission, the state, the state, the state. State density: transition from state to state X = 0.3. In the case of mixed crystal quantum well Gax [Al_(1-x)] As-AlAs, the lowest temperature (4.2K) is the lowest temperature, and the excitation is the lowest temperature. This phenomenon is dependent on the quality of the sample. This phenomenon is dependent on the quality of the sample. X [~!=] 0.2 ~ 0.3 The composition of the phenomenon of acute excitation is discussed. The absorption saturation characteristics of excitation, Gax [Al_(1-x)] As-AlAs and GaAs-AlAs superlattice samples are studied. The strong dependence of quantum well thickness on the absorption saturation characteristics of deep interest is shown. That is, the thickness of the well and the thickness of the sample are opposite, the absorption saturation is opposite, the absorption zone is low, the absorption zone is opposite, the absorption saturation is opposite, the absorption zone is opposite, the excitation is opposite, the absorption zone is opposite, the absorption saturation is opposite, the absorption zone is opposite, The reason for the excitation absorption is that the excitation absorption is low, and the excitation absorption is low.

项目成果

Optics Commun.53-6. (1985)

光学通讯53-6。

Physical Review B. 32-6. (1985)

物理评论 B.32-6。

J.Phys.Soc.Jon.55-1. (1986)

J.Phys.Soc.Jon.55-1。

Physical Review B. 33-6. (1986)

物理评论 B.33-6。