II-VI族半導体超薄膜のレ-ザ-光物性
II-VI族半導体超薄膜のレ-ザ-光物性
批准号:
01604515
负责人:
舛本 泰章
金额:
$1.79万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份:
1989
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
1989 至 --
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〈CdSe薄膜における高密度電子・正孔プラズマの動的様相〉総合性能として,200fsの時間分解能をもつポンプ・プロ-ブ分光計を開発し,それを用いてCdSe中の高密度励起効果の超高速分光の実験を行った。試料としては,気相法で成長されたCdSeのバルク結晶(厚さ〜23μm)をイオン・ミリングによって4μmの厚さにしたものを用いた。ポンプ光としては,試料のC軸に対しておよそ45°の偏光を用い,プロ-ブ光の偏光は試料からの透過光に偏光子を入れることによってE〓C,E〓C両条件下でポンプ・プロ-ブの実験を行った。ここで,Eはプロ-ブ光の電場ベクトルを表す。E〓Cでの時間分解吸収スペクトルを調べると,プロ-ブ光の偏光をE〓CにしたときでもA-励起子のわずかな部分が吸収に寄与するが,このとき,ポンプ光によってAー励起子の線幅が広がり,また,励起子構造の消失が観測された。励起光子密度は〜10^<16>cm^2である。このとき,パルスの時間幅は自己相関でおよそ400fsである。ポンプが入ると,バンド吸収端の低エネルギ-側へのせり出しが起こる。A-励起子のエネルギ-でのバンド吸収量の時間変化をプロットするとバンド吸収の増加は始めの15psの間,ほぼ一定のスピ-ドで増加していく様子が見える。この現象はプラズマ相と励起子相の二相共存ととらえ,その境界が時間に依存すると考える事で説明できる。すなわち,電子・正孔プラズマが表面近くに高密度に励起されプラズマ相と励起子相の境界が膜厚方向に1.9×10^7cm/sのスピ-ドで動いていくとすると説明できる。このスピ-ドは音波よりも2桁程度速い。
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Yasuaki Masumoto: "Dynamical Aspects of Luminescence from GaAs-AlAs Single Quantum Wells under Hydrostatic pressure" Physical Review B. 40. 11772-11777 (1989)
Yasuaki Masumoto:“静水压力下 GaAs-AlAs 单量子井发光的动态方面”物理评论 B.40.11772-11777 (1989)
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
Mitsuhiro Adachi: "pulse Distortion in GaAs Quantum Wells Studied by Light Gating Technique" Physical Review B. 40. 2908-2913 (1989)
Mitsuhiro Adachi:“通过光选通技术研究的 GaAs 量子井中的脉冲畸变”物理评论 B.40.2908-2913 (1989)
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
Yasuaki Masumoto: "Optical Chanqe of Al_XGa_<1-X>As-AlAs Ternary Alloy Multi-Quantum-Well structures around Two Γ-X Crossovers" Journal of the physical Society of Japan. 57. 4403-4408 (1988)
Yasuaki Masumoto:“Al_XGa_<1-X>As-AlAs 三元合金多量子阱结构围绕两个 Γ-X 交叉的光学 Chanqe” 日本物理学会杂志 57. 4403-4408 (1988)。
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
Fumio Sasaki: "Tunneling and Relaxation of Photogenerated Carriers in Semiconductor Superlattices" Physical Review B. 40. 3996-4002 (1989)
Fumio Sasaki:“半导体超晶格中光生载流子的隧道和弛豫”物理评论 B.40.3996-4002 (1989)
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
Yasuaki Masumoto: "Interlayer Γ-X Scattering in Staggered-Alignment Al_<0.34>Ga_<0.66>As-AlAs Ternary Alloy Multi-Quantum-Well Structure" Physical Review B. 40. 8581-8584 (1989)
Yasuaki Masumoto:“交错排列 Al_<0.34>Ga_<0.66>As-AlAs 三元合金多量子阱结构中的层间 Γ-X 散射”物理评论 B.40.8581-8584 (1989)
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
共 6 条
同期励起光スピン偏極法の開拓と量子ドットへの応用
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批准号:20654026
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项目类别:Grant-in-Aid for Exploratory Research
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资助金额:$2.24万
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财政年份:2008
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负责人:舛本 泰章
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依托单位:
半導体量子ドットのスピンコヒーレンスの研究
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批准号:16031203
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$3.39万
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财政年份:2004
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负责人:舛本 泰章
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依托单位:
半導体量子ドットのスピンコヒーレンスの研究
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批准号:15034202
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.41万
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财政年份:2003
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负责人:舛本 泰章
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依托单位:
量子ドットの緩和とコヒーレント制御
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批准号:13304023
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
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资助金额:$20.3万
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财政年份:2001
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负责人:舛本 泰章
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依托单位:
単光子による量子ドットのエネルギー制御
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批准号:10127207
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)
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资助金额:$1.28万
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财政年份:1998
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负责人:舛本 泰章
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依托单位:
単光子による量子トッドのエネルギー制御
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批准号:09233208
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.34万
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财政年份:1997
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负责人:舛本 泰章
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依托单位:
単光子による量子ドットのエネルギー制御
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批准号:08247203
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.92万
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财政年份:1996
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负责人:舛本 泰章
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依托单位:
新しい超高速光スウィッチ機構の探索
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批准号:05212202
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.47万
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财政年份:1993
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负责人:舛本 泰章
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依托单位:
新しい超高速光スウィッチ機構の探索
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批准号:04228202
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.28万
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财政年份:1992
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负责人:舛本 泰章
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依托单位:
II-VI族半導体歪超格子のレーザー光物性
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批准号:04205015
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.15万
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财政年份:1992
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负责人:舛本 泰章
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依托单位:
ZnSeーZnS歪超格子のレ-ザ-光物性
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批准号:03205014
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.54万
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财政年份:1991
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负责人:舛本 泰章
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依托单位:
新しい超高速光スウィッチ機構の探索
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批准号:03244201
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.6万
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财政年份:1991
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负责人:舛本 泰章
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依托单位:
IIーVI族半導体超薄膜のレ-ザ-光物性
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批准号:02205016
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.79万
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财政年份:1990
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负责人:舛本 泰章
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依托单位:
II〜VI族半導体超薄膜のレーザー光物性
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批准号:63604511
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$2.05万
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财政年份:1988
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负责人:舛本 泰章
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依托单位:
半導体表面のレーザー分光
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批准号:63609502
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.28万
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财政年份:1988
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负责人:舛本 泰章
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依托单位:
GaーサAl∋-xAs-AlAs超格子幅の励起子のピコ秒分光と光双安定性
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批准号:60222017
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项目类别:Grant-in-Aid for Special Project Research
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资助金额:$2.37万
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财政年份:1985
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负责人:舛本 泰章
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依托单位:
励起子系のエネルギー緩和と位相緩和
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批准号:59460024
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (B)
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资助金额:$5.12万
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财政年份:1984
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负责人:舛本 泰章
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依托单位:
ピコ秒トランジェントグレーティング法による不純物半導体Si:Pの移動度端の研究
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批准号:57740159
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.58万
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财政年份:1982
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负责人:舛本 泰章
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依托单位:
ピコ秒分光法によるアルカリハライド結晶の励起子自己捕獲過程の研究
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批准号:56540173
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额:$1.28万
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财政年份:1981
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负责人:舛本 泰章
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依托单位:
ピコ秒飛行時間法による励起子ポラリトンの研究
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批准号:X00210----574109
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.54万
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财政年份:1980
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负责人:舛本 泰章
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依托单位:
海外基金