低水素化シリコン窒化膜の作製と高品質 MOS トランジスタへの応用に関する研究
低氢化氮化硅薄膜的制备及其在高品质MOS晶体管中的应用研究
基本信息
- 批准号:60750274
- 负责人:
- 金额:$ 0.58万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
- 财政年份:1985
- 资助国家:日本
- 起止时间:1985 至 无数据
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
项目成果
期刊论文数量(0)
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藤田 静雄其他文献
ZnO-based nanostructures(in Japanese)
ZnO基纳米结构(日语)
- DOI:
- 发表时间:
2007 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
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S. Fujita
反応支援型ミストCVD法により低温成長した酸化アルミニウム(AlOx)薄膜のパッシベーション応用特性
反应辅助雾气CVD法低温生长氧化铝(AlOx)薄膜的钝化应用特性
- DOI:
- 发表时间:
2015 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
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サファイア基板上α-(AlxGa1-x)2O3 薄膜の熱的安定性
蓝宝石衬底上α-(AlxGa1-x)2O3薄膜的热稳定性
- DOI:
- 发表时间:
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- 影响因子:0
- 作者:
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- DOI:
- 发表时间:
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- 影响因子:0
- 作者:
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藤田 静雄
MBEによる(In_xGa_<1-x>_2O3_薄膜の成長
(通过MBE生长In_xGa_<1-x>_2O3_薄膜)
- DOI:
- 发表时间:
2007 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
T. Oshima;S. Fujita;藤田 静雄;大島 孝仁 - 通讯作者:
大島 孝仁
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有機薄膜のミスト成膜法の開発
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表面光触媒反応による半導体薄膜成長に関する基礎研究
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- 批准号:
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