非晶質シリコン窒化膜の原子的構造評価に関する研究
非晶質シリコン窒化膜の原子的構造評価に関する研究
批准号:
62750261
负责人:
藤田 静雄
金额:
$0.58万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
财政年份:
1987
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
1987 至 --
中文摘要
点击翻译按钮获取中文摘要
英文摘要
期刊论文(0)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
有機薄膜のミスト成膜法の開発
-
批准号:19656192
-
项目类别:Grant-in-Aid for Exploratory Research
-
资助金额:$1.92万
-
财政年份:2007
-
负责人:藤田 静雄
-
依托单位:
酸化亜鉛系半導体のナノ構造制御による新物性の創製
-
批准号:05F05329
-
项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
-
资助金额:$1.86万
-
财政年份:2005
-
负责人:藤田 静雄
-
依托单位:
直接遷移型多色発光材料の研究
-
批准号:12875062
-
项目类别:Grant-in-Aid for Exploratory Research
-
资助金额:$1.02万
-
财政年份:2000
-
负责人:藤田 静雄
-
依托单位:
半導体/強磁性体薄膜多層構造による励起子磁気光学効果の創出
-
批准号:11875005
-
项目类别:Grant-in-Aid for Exploratory Research
-
资助金额:$1.09万
-
财政年份:1999
-
负责人:藤田 静雄
-
依托单位:
準格子整合系異族半導体新ヘテロ構造の物性とデバイス応用に関する研究
-
批准号:05805029
-
项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
-
资助金额:$1.28万
-
财政年份:1993
-
负责人:藤田 静雄
-
依托单位:
イオン性の異なる準格子整合系半導体多層構造・ヘテロ界面の物性に関する研究
-
批准号:04805030
-
项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
-
资助金额:$1.15万
-
财政年份:1992
-
负责人:藤田 静雄
-
依托单位:
表面光触媒反応による半導体薄膜成長に関する基礎研究
-
批准号:03239204
-
项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
-
资助金额:$1.86万
-
财政年份:1991
-
负责人:藤田 静雄
-
依托单位:
III-V/II-VI族半導体薄膜多層構造の作製と新機能性創出に関する研究
-
批准号:03855057
-
项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
-
资助金额:$0.7万
-
财政年份:1991
-
负责人:藤田 静雄
-
依托单位:
III-V/II-VI族半導体薄膜多層構造の作製と新機能性創出に関する研究
-
批准号:02855069
-
项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
-
资助金额:$0.51万
-
财政年份:1990
-
负责人:藤田 静雄
-
依托单位:
表面光触媒反応による半導体薄膜成長に関する基礎研究
-
批准号:02253208
-
项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
-
资助金额:$1.73万
-
财政年份:1990
-
负责人:藤田 静雄
-
依托单位:
光制御による半導体変調構造の作製とその物性に関する研究
-
批准号:01750018
-
项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
-
资助金额:$0.64万
-
财政年份:1989
-
负责人:藤田 静雄
-
依托单位:
(II,II)VI族ワイドギャップ混晶半導体の組成制御に関する研究
-
批准号:63750018
-
项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
-
资助金额:$0.45万
-
财政年份:1988
-
负责人:藤田 静雄
-
依托单位:
低水素化シリコン窒化膜の応用によるMOSトランジスタ特性安定化に関する研究
-
批准号:61750277
-
项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
-
资助金额:$0.58万
-
财政年份:1986
-
负责人:藤田 静雄
-
依托单位:
低水素化シリコン窒化膜の作製と高品質 MOS トランジスタへの応用に関する研究
-
批准号:60750274
-
项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
-
资助金额:$0.58万
-
财政年份:1985
-
负责人:藤田 静雄
-
依托单位:
III-V族半導体表面の直接窒化と MISFET への応用に関する研究
-
批准号:59750015
-
项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
-
资助金额:$0.64万
-
财政年份:1984
-
负责人:藤田 静雄
-
依托单位:
III‐V族半導体表面の直接窒化とMISFETへの応用に関する研究
-
批准号:58750012
-
项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
-
资助金额:$0.62万
-
财政年份:1983
-
负责人:藤田 静雄
-
依托单位: