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(II,II)VI族ワイドギャップ混晶半導体の組成制御に関する研究

(II,II)VI族ワイドギャップ混晶半導体の組成制御に関する研究
(II,II) VI族宽禁带混晶半导体成分控制研究
批准号：
63750018
负责人：
藤田 静雄
金额：
$0.45万
依托单位：
Kyoto University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
财政年份：
1988
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
1988 至 --
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-63750018/
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有機薄膜のミスト成膜法の開発
  • 批准号：
    19656192
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Exploratory Research
  • 资助金额：
    $1.92万
  • 财政年份：
    2007
  • 负责人：
    藤田 静雄
  • 依托单位：
    Kyoto University
酸化亜鉛系半導体のナノ構造制御による新物性の創製
  • 批准号：
    05F05329
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
  • 资助金额：
    $1.86万
  • 财政年份：
    2005
  • 负责人：
    藤田 静雄
  • 依托单位：
    Kyoto University
直接遷移型多色発光材料の研究
  • 批准号：
    12875062
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Exploratory Research
  • 资助金额：
    $1.02万
  • 财政年份：
    2000
  • 负责人：
    藤田 静雄
  • 依托单位：
    Kyoto University
半導体/強磁性体薄膜多層構造による励起子磁気光学効果の創出
  • 批准号：
    11875005
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Exploratory Research
  • 资助金额：
    $1.09万
  • 财政年份：
    1999
  • 负责人：
    藤田 静雄
  • 依托单位：
    Kyoto University