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無機薄膜材料のレーザー励起CVDによる作製

激光激发CVD制备无机薄膜材料

基本信息

批准号：
61550576
负责人：
河合七雄
金额：
$ 0.96万
依托单位：
Osaka University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
财政年份：
1986
资助国家：
日本
起止时间：
1986 至无数据
项目状态：
已结题

项目摘要

エキシマレーザー光(ArF;193nm)を光源として以下3種のレーザー〓起CVDの実験を行った。1.ダイヤモンド薄膜の合成。アセチレンを水素で希釈したガスを主として原料に用いた。レンズを使用しない照射条件下では400℃以下で、有機高分子の膜が得られるのみであり、それ以上の温度では膜形成は全くみられない。レンズを使用し、基板を深い角度(約30゜)で照射することによりダイヤモンドが成生することを反射電子回折法により初めて確認した。さらにレンズを使用し浅い角度で基板照射する実験および水平照射の実験をおこなった。この場合レーザービーム基板間の距離を種々変化させた。これらの方法によりいずれもダイヤモンドが得られることを確認した。最後の方法により比較的均一な膜が得られた。レーザー強度がダイヤモンド生成に重要であることから反応は多光子過程を経て進行すると思われる。また基板照射しなくても成生することから気相〓起により反応が進行することが判明した。2.シリコンのエピタキシヤル成長。シリコン基板上にシリコンをエピタキシアル成長させる実験を行うため、赤外線加熱方式の試料台を備えた反応容器を作製し、ジシランを水素希釈したガスを原料として実験を行った。1050℃で光照射の効果が顕著にあらわれ、エピタキシアル成長していることを、反射電子回折および走査型電子顕微鏡で確認した。3.SiCエピタキシアル成長。ジシランとアセチレンを原料としてサファイヤ基板上にエピタキシャル成長させる実験を試みた。本研究では超高真空の反応容器内で原料ガスを分子流で基板に当てることを特徴としている。980℃以上で3CのSiCがエピタキシャル成長することおよびレーザー光照射しない条件下では多結晶体のみが得られることを確めた。

The following three kinds of light sources (ArF;193nm) are used to initiate CVD. 1. Synthesis of film. The main reason for this is that Under irradiation conditions, organic polymer films are formed at temperatures below 400℃. The substrate is irradiated at a deep angle (about 30 °), and the reflection electron reflection method is used for initial confirmation. For example, the use of shallow angle substrate illumination and horizontal illumination In this case, the distance between the substrates is changed. The method is to confirm the number of cases. Finally, the uniform film obtained by the method is compared. The intensity of light is important for the development of multiphoton processes. The substrate is illuminated and the phase is determined. 2. The growth of the company. The temperature of the substrate is higher than the temperature of the substrate. 1050℃ light irradiation results in the formation of electron micromirrors 3. SiC is growing. The material is grown on the substrate. In this study, the characteristics of molecular flow of raw materials in ultra-high vacuum reactor were studied. 3C SiC is grown at temperatures above 980 ° C.