界面の制御による材料作製プロセス
界面の制御による材料作製プロセス
批准号:
01604017
负责人:
河合 七雄
金额:
$9.02万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份:
1989
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
1989 至 --
中文摘要
1.GaN薄膜の作製について、反応時間と膜の形態・結晶構造の変化を調べた。その結果、反応初期には安定相である六方晶系の板状結晶が生成するが、20分以上の時間が経過すると等軸晶系の結晶に変化し、形態も不規則な形状に変わることが判明した。反応種の過飽和度と関連付けて検討した。2.多孔質酵素あるいは機能性有機分子の担体となるシリカゲルロッドをゾルーゲル法によって作製し、加熱による細孔特性の変化を明らかにした。3.モンモリロナイト層間で〔Zr_4(OH)_<14>〕^<2+>とリン酸エステルの反応でケイ酸塩/リン酸ジルコニウム複合層形成に成功した。また、塩基性酢酸銅のアニオン交換性を見いだし、交換挙動や層間での配列状態の知見を得た。さらに層状化合物ZrNX(X=Br,I)を合成し、X=CIの場合も含めて導電機構やバンド構造を考察した。4.金属ー無機接合の例としてアルミナ・ニオブ固相接合と窒化ケイ素・ニッケル固相接合を取り上げ、高分解能電子顕微鏡による断面観察により接合界面に生ずる熱応力緩和の原子的機構を見出した。5.自作したSTM装置を用い、層状酸化物BiーSrーCaーCuーOの層断面方向の観察を行った結果、層状の原子配列が初めて観察された。さらに、原子位置を指定した分光測定により、CuーO面による2次元的な伝動機構が明らかにされた。
英文摘要
1.GaN薄膜の作製について、反応時間と膜の形態・結晶構造の変化を調べた。その結果、反応初期には安定相である六方晶系の板状結晶が生成するが、20分以上の時間が経過すると等軸晶系の結晶に変化し、形態も不規則な形状に変わることが判明した。反応種の過飽和度と関連付けて検討した。2.多孔質酵素あるいは機能性有機分子の担体となるシリカゲルロッドをゾルーゲル法によって作製し、加熱による細孔特性の変化を明らかにした。3.モンモリロナイト層間で〔Zr_4(OH)_<14>〕^<2+>とリン酸エステルの反応でケイ酸塩/リン酸ジルコニウム複合層形成に成功した。また、塩基性酢酸銅のアニオン交換性を見いだし、交換挙動や層間での配列状態の知見を得た。さらに層状化合物ZrNX(X=Br,I)を合成し、X=CIの場合も含めて導電機構やバンド構造を考察した。4.金属ー無機接合の例としてアルミナ・ニオブ固相接合と窒化ケイ素・ニッケル固相接合を取り上げ、高分解能電子顕微鏡による断面観察により接合界面に生ずる熱応力緩和の原子的機構を見出した。5.自作したSTM装置を用い、層状酸化物BiーSrーCaーCuーOの層断面方向の観察を行った結果、層状の原子配列が初めて観察された。さらに、原子位置を指定した分光測定により、CuーO面による2次元的な伝動機構が明らかにされた。
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I.Hasegawa: "Silicate anions formed in tetramethylammonium silicate methanolic solutions as studied by ^<29> Si nuclear magnetic resonance" J.Chem.Soc.,Chem.Commun.(1989)
I.Hasekawa:“通过 ^<29> Si 核磁共振研究在四甲基硅酸铵甲醇溶液中形成的硅酸盐阴离子”J.Chem.Soc.,Chem.Commun.(1989)
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
M.Ohashi: "Preparation and electrical conductivity of layer structured crystals ZrNX(X=Br,I)" J.Ceram.Soc.Jpn.Intern.Ed.97. 1175 (1989)
M.Ohashi:“层状结构晶体 ZrNX(X=Br,I) 的制备和导电性”J.Ceram.Soc.Jpn.Intern.Ed.97。
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
S.Yamanaka: "Anionーexchange in basic copper acetate" Chem.Lett.1869 (1989)
S.Yamanaka:“碱式乙酸铜中的阴离子交换”Chem.Lett.1869 (1989)
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
T.Hasegawa: "Atomically resolved STM/STS on the edge of CuO_2 and(Bio)_2layers of BiーSrーCaーCuーO" Jpn.J.Appl.Phys.29.
T.Hasekawa:“Bi-Sr-Ca-Cu-O 的 CuO_2 和(Bio)_2 层边缘上的原子解析 STM/STS”Jpn.J.Appl.Phys.29。
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
A.Kobayashi: "Laser induced chemical vapor deposition of GaN" Proc.Mater.Res.Soc.,Fall Meeting. B2.9 (1989)
A.Kobayashi:“GaN 的激光诱导化学气相沉积”Proc.Mater.Res.Soc.,秋季会议。
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
共 6 条
界面制御による材料機能設計
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批准号:04204014
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$13.44万
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财政年份:1992
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负责人:河合 七雄
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依托单位:
界面制御による材料機能設計
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批准号:03204017
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$16.64万
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财政年份:1991
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负责人:河合 七雄
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依托单位:
界面制御による材料機能設計
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批准号:02204015
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$10.11万
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财政年份:1990
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负责人:河合 七雄
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依托单位:
光CVD法による無機エピタキシャル膜のフォトルミネッセンス
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批准号:01550602
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额:$1.09万
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财政年份:1989
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负责人:河合 七雄
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依托单位:
界面の制御による材料作製プロセス
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批准号:63604017
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$16.58万
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财政年份:1988
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负责人:河合 七雄
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依托单位:
界面の制御による材料作製プロセス
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批准号:62604011
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$7.17万
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财政年份:1987
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负责人:河合 七雄
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依托单位:
無機薄膜材料のレーザー励起CVDによる作製
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批准号:61550576
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额:$0.96万
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财政年份:1986
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负责人:河合 七雄
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依托单位:
反応性セラミックスに関する研究
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批准号:59102004
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项目类别:Grant-in-Aid for Special Project Research
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资助金额:$11.71万
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财政年份:1984
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负责人:河合 七雄
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依托单位:
反応性セラミックスに関する研究
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批准号:58108005
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项目类别:Grant-in-Aid for Special Project Research
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资助金额:$25.66万
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财政年份:1983
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负责人:河合 七雄
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依托单位:
反応性セラミックスに関する研究
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批准号:57116004
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项目类别:Grant-in-Aid for Special Project Research
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资助金额:$6.78万
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财政年份:1982
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负责人:河合 七雄
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依托单位:
リチウム固体電解質の導電性
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批准号:X00090----554120
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额:$1.41万
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财政年份:1980
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负责人:河合 七雄
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依托单位:
海外基金