界面制御による材料機能設計

本年度は重点研究の締めくくりとして、以下の実験をおこなってきた。河合は、レーザーMBE法を用いてBi系超伝導酸化物薄膜をLayer-by-Layerに作製してきた。基板上での膜成長の初期階段を解明するため、SrTiO_3基板の表面構造とSrイオンの蒸着構造の解明をSTMを用いて明らかにした。高温で処理した表面では、酸素欠陥の規則配列が存在し、蒸着Srイオンは欠陥構造に依存した吸着構造を示した。岡本は、高濃度に窒素イオンを多重注入によって得られたα"-Fe_<16>N_2の磁気構造を、メスバウアーススペクトルの解析を通じて明らかにした。溶存窒素原子と鉄原子との位置関係に注目して、巨大磁化の発生機構を解明した。また、化合物半導体への窒素注入による伝導型制御について基礎的基礎的知見を得た。南は、ヘテロポリ酸をドープしたシリカゲルを電解質とするエレクトロクロミック表示素子を試作し、特性評価を行った。この素子が、液体の電解質を用いた場合とほぼ同様の着消色挙動をとることを明らかにした。AgI系超イオン伝導ガラスとV_2O_5ガラス電極と用いた二次電池を開発し、優れた充放電特性を示すことを明らかにした。山中は、TiO_2ゾル粒子で層状ナノコンポジットの層間に連続してTiO_2層が存在することを見いだした。また、粘土層間にNi(OH)_2単分子層をインターカレートさせ、2次元強磁性体が得られることを明らかにした。曽我は、ケイ素アルコキシドの加水分解で得られる均一溶液から変調多孔構造ゲルに変化する過程を時間分割光散乱法に依って明らかにした。この結果、相界面の形状を支配する原因を明かにすることが出来た。橋本は、高分子アロイの相溶性およびパターン形成の研究を行い、新しい多孔性層状構造及び三次元共連構造を発見した。また、スピノーダル分解によるパターン形成の温度および分子量依存性を明らかにした。

本年度は重点研究の締めくくりとして、以下の実験をおこなってきた。河合は、レーザーMBE法を用いてBi系超伝導酸化物薄膜をLayer-by-Layerに作製してきた。基板上での膜成長の初期階段を解明するため、SrTiO_3基板の表面構造とSrイオンの蒸着構造の解明をSTMを用いて明らかにした。高温で処理した表面では、酸素欠陥の規則配列が存在し、蒸着Srイオンは欠陥構造に依存した吸着構造を示した。岡本は、高濃度に窒素イオンを多重注入によって得られたα"-Fe_<16>N_2の磁気構造を、メスバウアーススペクトルの解析を通じて明らかにした。溶存窒素原子と鉄原子との位置関係に注目して、巨大磁化の発生機構を解明した。また、化合物半導体への窒素注入による伝導型制御について基礎的基礎的知見を得た。南は、ヘテロポリ酸をドープしたシリカゲルを電解質とするエレクトロクロミック表示素子を試作し、特性評価を行った。この素子が、液体の電解質を用いた場合とほぼ同様の着消色挙動をとることを明らかにした。AgI系超イオン伝導ガラスとV_2O_5ガラス電極と用いた二次電池を開発し、優れた充放電特性を示すことを明らかにした。山中は、TiO_2ゾル粒子で層状ナノコンポジットの層間に連続してTiO_2層が存在することを見いだした。また、粘土層間にNi(OH)_2単分子層をインターカレートさせ、2次元強磁性体が得られることを明らかにした。曽我は、ケイ素アルコキシドの加水分解で得られる均一溶液から変調多孔構造ゲルに変化する過程を時間分割光散乱法に依って明らかにした。この結果、相界面の形状を支配する原因を明かにすることが出来た。橋本は、高分子アロイの相溶性およびパターン形成の研究を行い、新しい多孔性層状構造及び三次元共連構造を発見した。また、スピノーダル分解によるパターン形成の温度および分子量依存性を明らかにした。