集束イオンビームを用いた新機能電子デバイス・材料の研究
集束イオンビームを用いた新機能電子デバイス・材料の研究
批准号:
62790200
负责人:
平本 俊郎
金额:
$1.15万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
财政年份:
1987
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
1987 至 1988
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三次元集積化に向けたスケーラブルな積層構造シリコン量子ビットに関する研究
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批准号:19H00754
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
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资助金额:$28.87万
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财政年份:2019
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负责人:平本 俊郎
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依托单位:
シリコン量子ドット中のクローンブロッケードを利用したメモリデバイスの研究
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批准号:02F02810
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$0.38万
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财政年份:2002
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负责人:平本 俊郎
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依托单位:
超低消費電力向け微細MOSトランジスタの研究
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批准号:02F00821
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$0.83万
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财政年份:2002
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负责人:平本 俊郎
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依托单位:
シリコン量子ドット中のクーロンブロッケードを利用したメモリデバイス
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批准号:02F00810
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$0.83万
-
财政年份:2002
-
负责人:平本 俊郎
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依托单位:
超低消費電力向け微細MOSトランジスタの研究
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批准号:02F02821
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$0.38万
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财政年份:2002
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负责人:平本 俊郎
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依托单位:
高・強誘電体膜を用いた極低電圧・超低消費電力FET,及び高性能新機能素子の開発
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批准号:13025213
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$53.89万
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财政年份:2001
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负责人:平本 俊郎
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依托单位:
量子ドットにおけるクローン閉塞現象を利用した双安定状態の発現に関する研究
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批准号:10875068
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项目类别:Grant-in-Aid for Exploratory Research
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资助金额:$1.41万
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财政年份:1998
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负责人:平本 俊郎
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依托单位:
磁気歪み効果もつ薄膜材料を利用したマイクロマシンシステムの基礎研究
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批准号:09875085
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项目类别:Grant-in-Aid for Exploratory Research
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资助金额:$1.54万
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财政年份:1997
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负责人:平本 俊郎
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依托单位:
MOS構造を有する単一電子デバイスの作成とそのCMOSチップへの集積化の研究
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批准号:09233211
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.73万
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财政年份:1997
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负责人:平本 俊郎
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依托单位:
不純物揺らぎによる特性ばらつきを抑えたデルタドープ型MOSデバイスに関する研究
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批准号:09224205
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.34万
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财政年份:1997
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负责人:平本 俊郎
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依托单位:
MOS構造を有する単一電子デバイスの作製とそのCMOSチップへの集積化の研究
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批准号:08247207
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.92万
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财政年份:1996
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负责人:平本 俊郎
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依托单位:
不純物揺らぎによる特性ばらつきを抑えたデルタドープ型MOSデバイスに関する研究
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批准号:08238204
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.15万
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财政年份:1996
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负责人:平本 俊郎
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依托单位:
二重ゲートを有するシリコン超微細構造デバイスの作製とその量子輸送現象に関する研究
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批准号:07837002
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额:$0.96万
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财政年份:1995
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负责人:平本 俊郎
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依托单位: