炭化珪素薄膜を用いた耐環境性高感度センサの開発
炭化珪素薄膜を用いた耐環境性高感度センサの開発
批准号:
01850060
负责人:
小沼 義治
金额:
$4.54万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Developmental Scientific Research (B)
财政年份:
1989
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
1989 至 1990
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英文摘要
当該年度においても、初年度に引き続いてプラズマCVD法によって生成された炭化珪素薄膜を用いた高感度、耐環境性に優れ且つ安定性のある圧力センサを開発するために、改良された装置を用いて薄膜材料の低温結晶化をはかるとともに複合膜の形成へ展開をはかり、以下の結果を得た。1、化学量論的組成比をもった耐熱性炭化珪素薄膜を形成するためAuger,ESCAによるSiC薄膜の評価を行なうとともに圧力センサとしての基礎特性を得ることが出来た。文献:Sensors and Materials,2,207ー216(1991)2、SiCとの複合膜の生成を試み、そのESCAによる組成分析を行なうとともに圧力センサの基礎特性である歪抵抗効果を測定した結果、所期の目的である耐熱性を有し且つ素子の高感度化、生成の低温化に役立つことが示された。文献:ICACSC'90,Washington以上の結果により、炭化珪素並びにその複合膜を高温度領域で使用するセンサ用材料の1つとして実用化するための基本的な技術に関するいくつかの重要な知見が得られ、実用化のための基礎が確立された。
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Y.Onuma,H.Seki,K.Kamimura,T.Homma and C.H.Yi.: "Piezoresistive Elements Using Polycrystalline Silicon Carbide Films" Technical Digest of the 8th Sensor Symposium. Proceedings. 41-44 (1989)
Y.Onuma、H.Seki、K.Kamimura、T.Homma 和 C.H.Yi.:“使用多晶碳化硅薄膜的压阻元件”第八届传感器研讨会技术摘要。
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
丹野,伊東,上村,小沼,他7名: "エレクトロニクスを支える材料" 森北出版株式会社, 114 (1989)
Tanno、Ito、Uemura、Onuma 等 7 人:“支持电子学的材料”Morikita Publishing Co., Ltd.,114(1989)
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
K.Kamimura,N.Kimura,Y.Onuma & T.Homma: "Pressure Sensor Using Polycrystalline Germanium Films Prepared by Plasmaーassisted Chemical Vapour Deposition" Sensors and Autnators(Elsevier Seqoia). A21ーA23. 958-960 (1990)
K.Kamimura、N.Kimura、Y.Onuma 和 T.Homma:“使用等离子体辅助化学气相沉积制备的多晶锗薄膜的压力传感器”传感器和 Autnators(Elsevier Seqoia)(1990 年)。
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
小沼義治,外村武彦,山川博,中尾真人,上村喜一: "Y_2O_3添加ZrO_2スパッタ膜の作製と評価" 電気学会論文誌A. 109ーA. 318-322 (1989)
Yoshiharu Onuma、Takehiko Tonomura、Hiroshi Yamakawa、Masato Nakao、Kiichi Uemura:“Y_2O_3 掺杂 ZrO_2 溅射薄膜的制备和评估”IEEJ Transactions A. 318-322 (1989)。
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
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作者:
[]
通讯作者:
K.Kamimura,Y.Nishibe and Y.Onuma: "SiC/Si HBT Using Polycrystalline SiC Layers Prepared by Electron Beam Evaporation" Springer Proceedings in Physics Amorphous and Crystalline SiC and Related Materials. 43. 207-211 (1989)
K.Kamimura、Y.Nishibe 和 Y.Onuma:“使用通过电子束蒸发制备的多晶 SiC 层的 SiC/Si HBT”《施普林格物理非晶和结晶 SiC 及相关材料学报》。
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
共 15 条
熱電子・スパッタ法による一次元ナノ・カーボン・ファイバを含む複合炭素薄膜
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批准号:13875060
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项目类别:Grant-in-Aid for Exploratory Research
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资助金额:$0.96万
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财政年份:2001
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负责人:小沼 義治
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依托单位:
海外基金