Untersuchung von Verspannung und Piezoelektrizität in GaInN-GaN-Hetero- und Quantenfilmstrukturen
GaInN-GaN 异质膜和量子膜结构中的应变和压电性研究
基本信息
- 批准号:5235988
- 负责人:
- 金额:--
- 依托单位:
- 依托单位国家:德国
- 项目类别:Priority Programmes
- 财政年份:2000
- 资助国家:德国
- 起止时间:1999-12-31 至 2000-12-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
In GaInN-GaN-Hetero- und Quantenfilmstrukturen werden spektroskopisch im allgemeinen deutliche Hinweise auf LadungsträgerLokalisierungen beobachtet, deren Entstehung aufgrund von Kompositions- und daraus resultierenden Potentialfluktuationen einerseits und aufgrund von großen inneren peizoelektrischen Feldern als Folge großer Gitterfehlanpassungsverspannungen andererseits erklärt werden. Beide Effekte lassen sich bei konventionellen Herstellungsbedingungen kaum voneinander trennen. Das vorliegende Projekt setzt sich zum Ziel, deren Einfluß getrennt zu untersuchen. Hierzu sollen verspannte Hetero- und Quantenfilmstrukturen ohne innere elektrische Felder epitaktisch hergestellt werden durch Wachstum in Kristallrichtungen, in denen keine Piezoelektrizität entsteht. Diese Studien sollen auch Aussagen über den Einfluß dieser Faktoren auf BauelementAnwendungen erlauben.
在GaInN-GaN-Hetero-und Quantfim strukturen in Allgmeinen deutliche Hinweise auf LadungsträgerLokalisierungen beobachtet,deren Entsteung aufgrund von Komposations-and daraus Resultierenden Potentialfluktuationen eineseits and aufgrund von gon groéen inneren peizoelektrischen Feldern Folge groüer Gitterfellanpassungsvererseit erseit Erklärt den.他说:“我不会让任何人知道这一点。这是一件很重要的事情,因为它是一件很重要的事情。他说:“我不知道这是怎么回事,我不知道这是怎么回事。您的位置:我也知道>教育/科学>教育/科学>科学与技术>。
项目成果
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