Untersuchung von Verspannung und Piezoelektrizität in GaInN-GaN-Hetero- und Quantenfilmstrukturen

GaInN-GaN 异质膜和量子膜结构中的应变和压电性研究

• 批准号: 5235988
• 负责人: Professor Dr. Ferdinand Scholz
• 金额: --
• 依托单位: Institut für Funktionelle Nanosysteme
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Priority Programmes
• 财政年份: 2000
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 1999-12-31 至 2000-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/5235988?language=en
• 关键词: Untersuchung; von; Verspannung; und; Piezoelektrizit

In GaInN-GaN-Hetero- und Quantenfilmstrukturen werden spektroskopisch im allgemeinen deutliche Hinweise auf LadungsträgerLokalisierungen beobachtet, deren Entstehung aufgrund von Kompositions- und daraus resultierenden Potentialfluktuationen einerseits und aufgrund von großen inneren peizoelektrischen Feldern als Folge großer Gitterfehlanpassungsverspannungen andererseits erklärt werden. Beide Effekte lassen sich bei konventionellen Herstellungsbedingungen kaum voneinander trennen. Das vorliegende Projekt setzt sich zum Ziel, deren Einfluß getrennt zu untersuchen. Hierzu sollen verspannte Hetero- und Quantenfilmstrukturen ohne innere elektrische Felder epitaktisch hergestellt werden durch Wachstum in Kristallrichtungen, in denen keine Piezoelektrizität entsteht. Diese Studien sollen auch Aussagen über den Einfluß dieser Faktoren auf BauelementAnwendungen erlauben.

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