Untersuchungen zu semipolaren GaInN-Quantenfilmen auf strukturierten Oberflächen für Anwendungen in Laserdioden

在GaInN-GaN-异质结和量子薄膜结构中，韦尔登在所有的德国Hinweise中的光谱都是由Ladungsträger-Lokalisierungen obachtet组成的，因此，Ursache可以通过成分和结果来确定潜在的波动，并通过大的内部压电场来确定大的Gitterfehlanpassungsverspannungen zurückgeführt。Beide Effekte führen zu geringeren Quantenausbeuten und damit schlechteren Lichtemissionseigenschaften bei zunehmendem In-Anteil in den aktiven Quantenfilmen，d.h. zunehmender Wellenlänge.您希望通过传统的方式来影响自己，也不要让别人知道。一个非常好的量子透镜，设置在Ziel的前向投影上，在水晶上的GaInN-量子薄膜，没有或只有小的压电效应韦尔登。这些都是通过晶体表面上的外延层韦尔登而获得的，这些小部分都是通过外延层上的韦尔登而获得的。这是一种新的形式，它减少了德国地面上的高成分流动。Somit sollten solche Quantenfilme deutlich günstigere Eigenschaften für die optische Emission <$bedingt durch den größeren Überlapp von Elektronen- und Löcher-Wellenfunktionen <$aufweisen und nitridische Lichtemitter im längerwelligen sichtbaren Spekträreich（blau bis grün）verbessern oder überhaupt erst ermöglichen.这是一种独特的语音识别方法--通过传输选择电子显微镜进行合作，使韦尔登更清晰。在光电组件中，光电二极管结构的安装必须考虑到表面结构的特殊性，这一点韦尔登。

In GaInN-GaN-Hetero- und Quantenfilmstrukturen werden spektroskopisch im allgemeinen deutliche Hinweise auf Ladungsträger-Lokalisierungen beobachtet, deren Ursache einerseits auf Kompositions- und daraus resultierenden Potentialfluktuationen und andererseits auf große innere piezoelektrische Felder als Folge großer Gitterfehlanpassungsverspannungen zurückgeführt wird. Beide Effekte führen zu geringeren Quantenausbeuten und damit schlechteren Lichtemissionseigenschaften bei zunehmendem In-Anteil in den aktiven Quantenfilmen, d.h. zunehmender Wellenlänge. Sie lassen sich bei konventionellen Herstellungsbedingungen kaum beeinflussen und auch nicht klar voneinander trennen. Um eine verbesserte Quantenausbeute zu erreichen, setzt sich das vorliegende Projekt zum Ziel, GaInN-Quantenfilme auf Kristallebenen zu präparieren, bei denen keine oder nur kleine piezoelektrische Effekte erwartet werden. Dies soll durch Epitaxie auf Kristallfacetten erzielt werden, die mittels selektiver Epitaxie hergestellt werden können. Es gibt zudem Hinweise, dass die GaInN-Kompositionsfluktuationen auf solchen Facetten deutlich reduziert sind. Somit sollten solche Quantenfilme deutlich günstigere Eigenschaften für die optische Emission ¿ bedingt durch den größeren Überlapp von Elektronen- und Löcher-Wellenfunktionen ¿ aufweisen und nitridische Lichtemitter im längerwelligen sichtbaren Spektralbereich (blau bis grün) verbessern oder überhaupt erst ermöglichen. Dies soll mit unterschiedlichen spektroskopischen Methoden - teilweise mit hoher Ortsauflösung - untersucht werden, ergänzt durch Transmissionselektronen-Mikroskopie-Studien von Kooperationspartnern. Durch die Herstellung von pn-Dioden-Strukturen sollen zudem Aussagen über die Einsatzmöglichkeit dieser Facetten-Strukturen in optoelektronischen Bauelementen erarbeitet werden.