Untersuchungen von AIN und AIN-Al2O3-Strukturen als neue Materialien für elektronische Hochtemperatur-Hochleistungs-Bauelemente

我在这里是一个在Kombination MIT AlN1-xox-Strukturen Sowie von AlN-Al_2O_3-Heterostrukturen Als Neue Materien für Elektronische Anwendunische Anwendungen in kombination MIT AlN1-xox-Strukturen Sowie von AlN-Al_2O_3-Heterostrukturen für Elektronische Anwendungen untersuden的潜在客户。金属组织者石油森外延研究和物理特征分析方法(Z.B.RöntgenDiraktometrie，Kathodollighteszenz，elektrische Charakterisierung)分析。我们是纳赫韦斯的客户，也是世界上最富有的人。Wegen des Stak Polaren Charakters von An An MIT seiner groçen Bandlücke and den verspannungsduzierten precielektrischen Feldern erwarten wir Hhe Ladungsträgerten an den Grizflächen，eingeschlossen MIT Hohen Al-Barrieren.在此基础上，提出了一种基于MEMS和Piezo-Sensoren FETs的极致伸缩材料。Wegen der Hohen erwarteen Durchbruchspannung is an au？erdem ein vielversprechender kandidat für Hochspannungs-Hochleistungs-Gleichrichter.科恩教授(Abteilung Elektronische Bauelemente And Schaltungen Der Uni Ulm)开始学习、研究和使用传感器。

Im hier beantragten Forschungsprojekt soll das Potenzial von AIN in Kombination mit AlN1-xOx-Strukturen sowie von AlN-Al2O3- Heterostrukturen als neue Materialien für elektronische Anwendungen untersucht werden. Deshalb wollen wir die Herstellung solcher Strukturen mittels metallorganischer Gasphasenepitaxie studieren und ihre physikalischen Eigenschaften mit einer Vielzahl von Charakterisierungsmethoden (z.B. Röntgendiffraktometrie, Kathodolumineszenz, elektrische Charakterisierung) analysieren. Besonderes Augenmerk werden wir auf den Nachweis und das Verhalten zweidimensionaler Ladungsträgergase an den Hetero- Grenzflächen richten. Wegen des stark polaren Charakters von AIN mit seiner großen Bandlücke und den verspannungsinduzierten piezoelektrischen Feldern erwarten wir hohe Ladungsträgerdichten an den Grenzflächen, eingeschlossen mit hohen Al2O3- Barrieren. Deshalb sollten diese Strukturen gut für die Entwicklung von Hochtemperatur-FETs sowie von MEMS und Piezo-Sensoren für extreme Umgebungsbedingungen geeignet sein. Wegen der hohen erwarteten Durchbruchspannung ist AIN außerdem ein vielversprechender Kandidat für Hochspannungs-Hochleistungs-Gleichrichter. Diese Forschungsaktivitäten werden durch Arbeiten in hierauf abgestimmten Forschungsprojekten von Prof. E. Kohn (Abteilung Elektronische Bauelemente und Schaltungen der Uni Ulm) begleitet, die sich mit der Herstellung und Charakterisierung von Feldeffekt-Transistoren sowie von einfachen Sensor- Strukturen befassen.