Untersuchungen von AIN und AIN-Al2O3-Strukturen als neue Materialien für elektronische Hochtemperatur-Hochleistungs-Bauelemente

本文研究了AlN与AlN-Al_2 O_3-Heterostruktureen的AlN_（1-x）Ox-Struktureen复合的可能性，并将其作为韦尔登的新材料。本文介绍了用一种特殊的方法（z.B.）研究金属组织的石墨化过程中的结构问题及其物理特性。Röntgendiffraktometrie，Kathodolumineszenz，elektrische Charakterisierung）analysieren.因此，Augenmerk韦尔登将在Nachweis和Verhalten zweidenimensionaler Ladungsträgergase和Hein-Grenzflächen之间建立联系。AIN的强极化特性与其大带宽和压电陶瓷的特性使我们能够在高强度和高强度的Al 2 O3-阻挡层上获得良好的性能。Deshalb sollten diese Strukturen gut für die Entwicklung von Hochtemperatur-FET sowie von MEMS und Piezo-Sensoren für extreme Umgebungsbedingungen geeignet sein. Wegen der hohen erwarteten Durchbruchspannung is AIN außerdem ein vielversprechender Kandidat für Hochspannungs-Hoglichistungs-Gleichrichter.这些研究韦尔登是由E. Kohn（Abteilung Elektronische Bauelemente und Schaltungen der Uni乌尔姆）公司开始使用这种带有传感器结构的传感器晶体管。

Im hier beantragten Forschungsprojekt soll das Potenzial von AIN in Kombination mit AlN1-xOx-Strukturen sowie von AlN-Al2O3- Heterostrukturen als neue Materialien für elektronische Anwendungen untersucht werden. Deshalb wollen wir die Herstellung solcher Strukturen mittels metallorganischer Gasphasenepitaxie studieren und ihre physikalischen Eigenschaften mit einer Vielzahl von Charakterisierungsmethoden (z.B. Röntgendiffraktometrie, Kathodolumineszenz, elektrische Charakterisierung) analysieren. Besonderes Augenmerk werden wir auf den Nachweis und das Verhalten zweidimensionaler Ladungsträgergase an den Hetero- Grenzflächen richten. Wegen des stark polaren Charakters von AIN mit seiner großen Bandlücke und den verspannungsinduzierten piezoelektrischen Feldern erwarten wir hohe Ladungsträgerdichten an den Grenzflächen, eingeschlossen mit hohen Al2O3- Barrieren. Deshalb sollten diese Strukturen gut für die Entwicklung von Hochtemperatur-FETs sowie von MEMS und Piezo-Sensoren für extreme Umgebungsbedingungen geeignet sein. Wegen der hohen erwarteten Durchbruchspannung ist AIN außerdem ein vielversprechender Kandidat für Hochspannungs-Hochleistungs-Gleichrichter. Diese Forschungsaktivitäten werden durch Arbeiten in hierauf abgestimmten Forschungsprojekten von Prof. E. Kohn (Abteilung Elektronische Bauelemente und Schaltungen der Uni Ulm) begleitet, die sich mit der Herstellung und Charakterisierung von Feldeffekt-Transistoren sowie von einfachen Sensor- Strukturen befassen.