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視床下部温度受容細胞に対するプロスタグランディン作用機構のパッチクランプ解析

膜片钳分析前列腺素对下丘脑温度感受器细胞的作用机制

基本信息

批准号：
03670077
负责人：
小林茂夫
金额：
$ 1.28万
依托单位：
Kyoto University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
财政年份：
1991
资助国家：
日本
起止时间：
1991 至无数据
项目状态：
已结题

来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-03670077/
关键词：
パッチクランプ孤束核ニュ-ロンプロスタグランディン

项目摘要

オ-トラジオグラフィ-法では、孤束核のPGE_2受容体濃度が脳内でもっとも高いことが判明した。孤束核は細胞密度が高く神経構築が明確であり、スライス標本下においても孤束核への入出力の神経経路が容易に同定できる。従って中枢神経系におけるPGE_2の作用をシナプス前作用も含めて解析する上で格好の領域と考えられる。そこで、本研究では、実験対象を視床下部から孤束核に移し、孤束核ニュ-ロンに対するPGE_2の作用を解析した。生後2週令のラット延髄を摘出後、厚さ120μmの横断スライスを作成した。ノマルスキ-顕微鏡で孤束核のニュ-ロンを直視しながら、細胞膜表面を覆う結合組織を除去した後、細胞体からパッチクランプ記録を行い、ニュ-ロンに対するPGE_2の直接作用を解析した。無Ca^<2+>リンガ-液でシナプス伝達を除去した条件では、PGE_2(10^<-6>ー10^<-7>M)に反応するニュ-ロンのうち、ほとんどのニュ-ロンに興奮性作用が観察された。すなわち細胞外記録で、PGE_2は発火頻度を上昇させた。wholeーcell記録では、電流固定下にPGE_2を投与すると、膜電位が脱分極し、それに伴って活動電位の発火頻度が上昇した。電位固定下(維持電位ー68mV)では、PGE_2の投与により、維持電流は内向きに流れた。±70mVのランプ波電圧を周期的に加えた時の電流の振幅は、PGE_2投与で上昇し、コンダクタンスの上昇を示した。PGE_2投与前後のランプ波電流の差電流は、-100mVー0mVの範囲で電位と直線的に変化し、その逆転電位は約-12mVとなった。そこで、PGE_2は非選択的な陽イオンチャンネルを開口させ脱分極させることが示唆された。

The concentration of PGE_2 receptor in the nucleus of solitary bundle was determined by the method of " The density of isolated nucleus cells is high, the structure of the nervous system is clear, and the input and output of isolated nucleus cells are easy to determine. The role of PGE_2 in the central nervous system is discussed in detail. In this study, we analyzed the effect of PGE2 in the lower part of the vision bed. After 2 weeks of life, the thickness of the transverse surface was 120 μ m. The direct action of PGE_2 on the cell membrane surface was analyzed after the removal of the binding tissue from the cell membrane surface. The excitatory effects of PGE_2 (10 ^-10 ^M) on the reaction of Ca~(2 +)-free solution were observed.<-6><-7>The frequency of PGE_2 emission increased. The whole cell records that PGE_2 is activated when the current is fixed, and the membrane potential is depolarized, and the frequency of activation of the membrane potential is increased. At a fixed potential (hold potential-68 mV), the PGE_2 voltage is applied and the current is maintained. The amplitude of current, PGE_2 and temperature rise when the voltage cycle of ± 70 mV increases. The difference between the current before and after PGE_2 injection is-100mV 0mV PGE_2 is a non-selective process.