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Hydrogen Passivation of Deep Levels in Amorphous Semiconductors

Hydrogen Passivation of Deep Levels in Amorphous Semiconductors
非晶半导体深能级的氢钝化
批准号：
03640291
负责人：
YOSHIDA Hiroshi
金额：
$0.83万
依托单位：
TOHOKU UNIVERSITY
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
财政年份：
1991
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
1991 至 1992
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-03640291/
关键词：
Amorphous SiliconDeep LevelsHydrogen Impurity第一原理分子動力学不活性化機構

项目摘要

项目成果

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We have studied the role of hydrogen and passivation mechanisms of deep impurity levels in amorphous silicon by hydrogen using ab-initio molecular dynamics.We found(1)deep levels of silicon dangling in the mid-band gap is terminated by hydrogen,(2)Si-H-Si three centered bonds are formed and soften the amorphous structure,(3)three coordinated silicon dangling bond which act as deep impurity levels exits in amorphous silicon,and(4)five coordinated silicon bonds(floating)exit in amorphous silicon.Based upon the calculated results,we have discussed the mechanism of the hydrogen passivation and the roles in amorphous silicon.
期刊论文(25)
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会议论文
T.SASAKI: "Electronic Structure and Stability of an Impurity Atom of Li in ZnSe." Proceedings of 20-th International Conference on the Physics of Semiconductors World Scientific Pub.561-565 (1991)
T.SASAKI：“硒化锌中锂杂质原子的电子结构和稳定性。”
DOI： --
发表时间：
期刊：
影响因子： --
作者： []
通讯作者：
T.Sasaki: "Electronic Structure Calculation for Materials Design." Proceedings of International Conference on Computer Application to Materials Science and Engineering,CAMSE90,Elsevier Science Pub.
T.Sasaki：“材料设计的电子结构计算”。
DOI： --
发表时间：
期刊：
影响因子： --
作者： []
通讯作者：
H.KatayamaーYoshida: "Hyperfine and Superhyperfine Interaction Parameters of Interstitial 3d Transition Atom Impurities in Semiconductors." to be published in the Springer Series in Solid State Sciences. (International Workshop on Hyperfine Interaction of
H.Katayama-Yoshida：“半导体中间隙 3d 跃迁原子杂质的超精细和超超精细相互作用参数”将发表在固体科学的施普林格系列（国际超精细相互作用研讨会）上。
DOI： --
发表时间：
期刊：
影响因子： --
作者： []
通讯作者：
C.Kaneta,H.KatayamaーYoshida T.Sasaki: "Atomic Configuration and Its Stability of CarbonーOxygen Complex in Silicon." Proceedings of 20ーth nternational Conference on the Physics of Semiconductors,World Scientific Pub.638-642 (1991)
C.Kaneta、H.Katayama-Yoshida T.Sasaki：“硅中碳氧复合物的原子构型及其稳定性”，《第 20 届国际半导体物理学会议论文集》，世界科学出版社 638-642（1991 年）
DOI： --
发表时间：
期刊：
影响因子： --
作者： []
通讯作者：
共 22 条
    Reconsideration of Immersion in Aesthetics
    Study of in-situ measurement of underwater complex dielectric constant in frequency of under 10 MHz
    Fundamental Studies on the Aesthetics of Illusion
    • 批准号：
      26370119
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
    • 资助金额：
      $3.16万
    • 财政年份：
      2014
    • 负责人：
      YOSHIDA Hiroshi
    • 依托单位：
      Ritsumeikan University
    A model for analyzing phenomena in multicellular organisms with multivariable polynomials -- Polynomial life --
    • 批准号：
      26610041
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
    • 资助金额：
      $2.41万
    • 财政年份：
      2014
    • 负责人：
      YOSHIDA Hiroshi
    • 依托单位：
      Kyushu University
    海外基金