多孔質シリコン単結晶層の結晶完全性の精密解析
多孔硅单晶层结晶完美度的精密分析
基本信息
- 批准号:03650525
- 负责人:
- 金额:$ 1.15万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
- 财政年份:1991
- 资助国家:日本
- 起止时间:1991 至 无数据
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
本研究は,フッ酸中で陽極化成することで作製したウェハ-上の多孔質シリコン薄層は基板シリコン単結晶とほゞ同一な結晶方位を保ち,ウェハ-表面に平行な面の格子面間隔が僅かに異なり,作製したまゝでは僅かに大きく,真空中の加熱処理で減少すること,さらに,その格子膨張には作製時に孔表面に吸着された水素が関係しているとするわれわれの結果が基礎に成って行われたものである。したがッて,本研究では,より具体的に多孔質シリコン薄膜の格子ひずみがどのようなものであるか,(1) 逆格子空間の上でどのような回折強度分布を示すか,(2) 格子面間隔の伸びと格子面方位の湾曲(傾斜)とのどちらが優先的であるか,(3) その格子膨張は主に何に起因するかの点から調べた。今回は格子ひずみに敏感であるX線回折,特にシンクロトロン放射先を利用し,アナライザ-結晶を採用した複結晶法で角度および強度分布の精密測定を行った。これにより得られた主な結果は以下のとおりである。逆格子点の周図の回折強度の分布は,基板上に付いている場合と,基板から剥離した場合とで著しく異なる。基板から剥離した多孔質シリコ運像による強度分布は,旧板上の場合に比較して,格子面間隔の違いによる広がりは少なく,一方格子面の方位に起因する広がりが大きかった。この事実は,格子膨張が多孔質シリコン薄膜そのものに関係したものであること,ウェハ-上の多孔質シリコン薄膜は基板との整合性のために基板の拘束を強く受けていることを示す。陽極化成条件を変化させて水素吸着量を増加させた多孔質シリコン薄層では,水素の量に対応して格子膨張の大きさを示した。これらの結果は,水素が格子膨張の主因であるとする前回の実験結果を支持する。極く最近,この多孔質シリコン薄膜がレザ-照射で発光することが報告され,この発表特性との関係が今後の研究課題となり,現在その方面での研究に発展しつつある。
In this study, the structure of the metal in the acid is changed into a thin substrate. The results show that the same crystal orientation is the same, and that the surface is parallel to the surface and the lattice is separated from each other. In this study, it is necessary to increase the temperature in vacuum, and to increase the temperature in vacuum. The water was absorbed on the surface of the hole during the operation of the lattice expansion machine. The results showed that the water content on the surface of the hole was high. The purpose of this study is to determine the specific structure of the porous thin film, (1) the distribution of the bending strength on the reverse lattice space, and (2) the grid surface is separated from the orientation of the grid surface. (3) the main cause of the expansion of the grid is the cause of the disease. This time, the grid is sensitive and the X-line is folded back, and the radiation is used first, and the crystal is used to copy the angle distribution of the strength distribution. The main results are as follows: please do not know what to do. In the reverse grid, the bending strength is distributed, the substrate is closed, and the substrate is peeled off. The base plate is peeled off, the porous plate is like the strength distribution, the old board is better than the old board, the grid is spaced, and the azimuth of one square lattice is caused by the orientation of the square grid. In this case, the lattice expands the porous material, the film, the film, the surface, the film, the substrate, the integration, the substrate, the substrate. The formation condition, the amount of water absorption, the amount of water, the amount of water. The results show that the water content lattice expansion is mainly due to the fact that it is supported by the results of the previous test. Recently, the porous film has been exposed to light, and the properties of the report have been discussed in the future. now, we are in the field of research.
项目成果
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