Herstellung und Charakterisierung von neuen SiGeC modulationsdotierten Feldeffekttransistoren

Hochfrequenz Anwendungen von Halbleiterbauelementen stellen zukünftig hohe Anforderungen an die Schaltgeschwindigkeit.在这种韦尔登中的德语动词是通过对异质结构的调制来实现的。在这短短的一年里，他的父亲就被杀害了。Dünne Schichten dieses Materials können unter Verspannung bis zu einer kritischen Schichtdicke epitaktisch auf ein Si-Substrat aufgebracht韦尔登. C的数据可以减少或减少数据韦尔登。有些人认为，硅锗晶体具有很强的韦尔登性和两种不同的本征性质，即能带和能带韦尔登性，新的电子结构具有更强的晶格性。在这种情况下，硅锗晶体具有很强的韦尔登性和特性。在材料的特性分析中，通过对材料的韦尔登和磨损韦尔登进行系统的分析，可以对材料的磨损和磨损进行韦尔登分析。

Hochfrequenz Anwendungen von Halbleiterbauelementen stellen zukünftig hohe Anforderungen an die Schaltgeschwindigkeit. Deutliche Verbesserungen in dieser Hinsicht werden mit modulationsdotierten Heterostrukturen erreicht. In den letzten Jahren wurden hierzu vermehrt Si-Ge-Verbindungen untersucht. Dünne Schichten dieses Materials können unter Verspannung bis zu einer kritischen Schichtdicke epitaktisch auf ein Si-Substrat aufgebracht werden. Durch das Hinzufügen von C kann die Verspannung reduziert oder sogar kompensiert werden. Somit können erstens dickere Schichten hergestellt werden und zweitens wichtige Eigenschaften des Materials wie Bandlücke und Beweglichkeit beeinflußt werden, die die Leistungsfähigkeit neuer Bauelemente weiter steigern können.Im Rahmen dieses Vorhabens sollen modulationsdotierte Feldeffekttransistoren auf SiGeC hergestellt und charakterisiert werden. Durch eine systematische Variation von Herstellungs- und Bauelementparametern soll anschließend auf die Eigenschaften dieses Materials rückgeschlossen werden und festgestellt werden, ob durch den Einbau von C die Leistungsfähigkeit von Bauelementen weiter gesteigert werden kann.