Herstellung und Charakterisierung von neuen SiGeC modulationsdotierten Feldeffekttransistoren

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Hochfrequenz Anwendungen von Halbleiterbauelementen stellen zukünftig hohe Anforderungen an die Schaltgeschwindigkeit. Deutliche Verbesserungen in dieser Hinsicht werden mit modulationsdotierten Heterostrukturen erreicht. In den letzten Jahren wurden hierzu vermehrt Si-Ge-Verbindungen untersucht. Dünne Schichten dieses Materials können unter Verspannung bis zu einer kritischen Schichtdicke epitaktisch auf ein Si-Substrat aufgebracht werden. Durch das Hinzufügen von C kann die Verspannung reduziert oder sogar kompensiert werden. Somit können erstens dickere Schichten hergestellt werden und zweitens wichtige Eigenschaften des Materials wie Bandlücke und Beweglichkeit beeinflußt werden, die die Leistungsfähigkeit neuer Bauelemente weiter steigern können.Im Rahmen dieses Vorhabens sollen modulationsdotierte Feldeffekttransistoren auf SiGeC hergestellt und charakterisiert werden. Durch eine systematische Variation von Herstellungs- und Bauelementparametern soll anschließend auf die Eigenschaften dieses Materials rückgeschlossen werden und festgestellt werden, ob durch den Einbau von C die Leistungsfähigkeit von Bauelementen weiter gesteigert werden kann.