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化学蒸着(CVD)法によるシリカ超薄層の精密調整と酸性質

化学气相沉积（CVD）法对超薄二氧化硅层的精确调节和酸性特性

基本信息

批准号：
06750812
负责人：
片田直伸
金额：
$ 0.58万
依托单位：
Tottori University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
财政年份：
1994
资助国家：
日本
起止时间：
1994 至无数据
项目状态：
已结题

项目摘要

従来から用いてきた方法により、γ-アルミナを担体としてテトラメトキシシランを320℃で蒸着させ、シリカ超薄層を形成した。シリカは積み重なることなくモノレイヤーを形成したが、平面方向には重合してシロキサンネットワークをつくった。つぎに、蒸着温度を200℃以下にすると、分散したシリコン種が得られた。320℃で表面カチオン密度が低いジルコニア・チタニア・酸化スズを担体とした場合も、シリコン密度の低いモノレイヤーが得られ、重合の程度は低かった。シラン化剤として、モノメトキシトリメチルシランをはじめとするメトキシメチルシラン類を用いた場合も、重合度の低いよく分散したシリコン種が得られた。最後に、あらかじめ吸着させたベンズアルデヒドをテンプレートとして利用し、その後シリカの蒸着を行ったところ、やはり高分散したシリコン種が得られた。以上の構造解析はベンズアルデヒド-アンモニア滴定、赤外分光などで行なった。以上の試料の中で、比較的強い酸性を示したのは最初に述べたネットワークを持つもののみであった。このことから、シリカ薄層の酸点は界面に接する表面水酸基(Al-O-Si-OH)のうち、シロキサンネットワークによって2次元的につながったものであることがわかった。アルミナ上に発達したシロキサンネットワークにおいては、構造的な歪みが発生すると思われる。したがって、酸性が発現するためには、単なる2種の酸化物の界面のみでなく、構造的な歪みが必要と結論される。

従来から用いてきた法により, γ-アルミナを荨してテトラThe メトキシシランを is steamed at 320℃ and the シリカ ultra-thin layer is formed.したが, The plane direction coincides with the same direction.つぎに, steaming temperature を200℃ or less にすると, dispersed したシリコンkind られた. 320℃, surface density and low density, いジルコニア・チタニア・acidified スズをsupport body としThe situation is low, the density of the material is low, and the degree of overlap is low.シラン剤として、モノメトキシトリメチルシランをはじめとするメトキシメチThe use of ルシランをいたoccasionも, the degree of overlap is low and the いよくdispersionしシリコンkindがgetsられた. In the end, I sucked it and used it, The その后シリカの steamed を行ったところ, やはりhighly dispersed したシリコンkind られた. The above structural analysis was carried out by titration of はベンズアルデヒド-アンモニア and infrared spectroscopy by などで行なった. The above-mentioned sample is medium and relatively strong acidic.このことから、シリカ thin layer の acid point は interface にする surface water acid group (Al-O-Si-OH) のうち, シロキサンネットワークによってにつながったものであることがわかった in 2 dimensions.アルミナ上に発达したシロキサンネットワークにおいては, structured な crooked みが発生すると思われる.したがって, acidic が発 appear するためには, 単なる2 kinds of acid compounds のinterface のみでなく, structural なskew みがと Conclusion される.