Spektroskopie an GaInNAs/GaAs-Quantentrogstrukturen sowie Untersuchungen zur optischen Verstärkung und optisch gepumpten Halbleiterlasern mit Lamda ungefähr 1.3 Mikrometer

GaInNAs/GaAs量子阱结构的光谱学以及Lamda约1.3微米的光放大和光泵浦半导体激光器的研究

基本信息

项目摘要

Im Rahmen des Projektes sollen zunächst die elektronischen Zustände in GaInNAs/GaAs-Quantentrogstrukturen eingehend untersucht werden, um Informationen über die bisher nur unzulänglich bekannten Materialparameter dieses Systems (effektive Elektronenmasse von GaInNAs, Bandanordnung usw.) zu gewinnen. Dazu werden eine Reihe von spektroskopischen Methoden verwendet, insbesondere Tieftemperatur-Photolumineszenz und -Photolumineszenzanregung. Wichtig ist dabei u.a. der Einfluß von Stickstoff auf die Leitungsbandstruktur. Mittels Fourier-Spektroskopie sollen deshalb auch elektronische Intersubband-Übergänge untersucht werden. Darüber hinaus ist der Aufbau eines Meßplatzes für elektrisch und optisch modulierte Reflexionsspektroskopie geplant, der die Messung elektronischer Übergangsenergien auch noch bei Raumtemperatur, d.h. unter technisch relevanten Bedingungen, erlaubt. Hochanregungsexperimente sollen im nächsten Schritt Aussagen über die Größe, spektrale Verteilung und Temperaturabhängigkeit der optischen Verstärkung (T0) liefern. Im letzten Projektabschnitt werden die gewonnenen Ergebnisse auf die Untersuchung optisch gepumpter Halbleiterlaser angewandt.
GaInNAs/GaAs-量子化学结构的电子学研究项目解决了材料参数系统(GaInNAs的有效电子学研究,通常采用半导体器件)的信息化(Informationen über bisher努尔unzulänglich)韦尔登。你会明白的。本文介绍了韦尔登的一种光谱分析方法,包括温度-光致发光和光致发光。Wichtig is dabei u.a.施蒂克斯托夫的影响力。傅立叶频谱仪的中间部分也需要电子子带间的韦尔登。这是一种用于电和光调制反射光谱的装置,用于测量电子的能量也可以在室温下测量。在技术上与贝丁根有关。Hochanregungsexperimente sollen im nächsten Schritt Aussagen über die Größe,spektrale Verteilung und Temperaturabhängigkeit der optischen Verstärkung(T0)liefern.我让项目韦尔登在半导体激光器的光学泵浦角度上获得了更好的效果。

项目成果

期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ patent.updateTime }}

Privatdozent Dr. Michael Hetterich其他文献

Privatdozent Dr. Michael Hetterich的其他文献

{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

相似国自然基金

1.7-2.5μm GaInNAs(Sb)/GaAs近红外材料生长及其器件应用
  • 批准号:
    60607016
  • 批准年份:
    2006
  • 资助金额:
    27.0 万元
  • 项目类别:
    青年科学基金项目
Sb元素诱导分子束外延生长GaInNAs长波长量子阱材料
  • 批准号:
    90201026
  • 批准年份:
    2002
  • 资助金额:
    24.0 万元
  • 项目类别:
    重大研究计划
新一代的GaInNAs长波长光电子功能器件及基础问题研究
  • 批准号:
    60137020
  • 批准年份:
    2001
  • 资助金额:
    150.0 万元
  • 项目类别:
    重点项目

相似海外基金

有機金属気相成長法によるGaInNAs系自己形成量子ドットと面発光レーザ応用
使用金属有机气相外延和表面发射激光应用的基于 GaInNAs 的自形成量子点
  • 批准号:
    07J06925
  • 财政年份:
    2007
  • 资助金额:
    --
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
GaAs基板上におけるGaInNAs結晶の高品質分子線エピタキシー成長
GaInNAs 晶体在 GaAs 衬底上的高质量分子束外延生长
  • 批准号:
    06F06129
  • 财政年份:
    2006
  • 资助金额:
    --
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
Long wavelength GaInNAs Quantum Wells and Quantum Dots for GaAs based lasers up to 1.6 µm
用于高达 1.6 µm 的 GaAs 激光器的长波长 GaInNA 量子阱和量子点
  • 批准号:
    5453588
  • 财政年份:
    2005
  • 资助金额:
    --
  • 项目类别:
    Research Grants
光通信用面発光レーザ高性能化のためのGaInNAs薄膜量子井戸構造に関する研究
提高光通信用面发射激光器性能的GaInNAs薄膜量子阱结构研究
  • 批准号:
    04J04384
  • 财政年份:
    2004
  • 资助金额:
    --
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
波長1.55μm帯GaInNAs/GaAsレーザに関する研究
1.55 μm波段GaInNAs/GaAs激光器研究
  • 批准号:
    14750257
  • 财政年份:
    2002
  • 资助金额:
    --
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
GaInNAs vertical cavity surface emitting laser arrays for ultra-high speed and parallel data-links
用于超高速并行数据链路的 GaInNA 垂直腔表面发射激光器阵列
  • 批准号:
    13555091
  • 财政年份:
    2001
  • 资助金额:
    --
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
化学ビーム成長GaInNAs/GaAs量子井戸の高品質化と面発光レーザへの応用
高质量化学束生长GaInNAs/GaAs量子阱及其在表面发射激光器中的应用
  • 批准号:
    00J10143
  • 财政年份:
    2000
  • 资助金额:
    --
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
{{ showInfoDetail.title }}

作者:{{ showInfoDetail.author }}

知道了