Spektroskopie an GaInNAs/GaAs-Quantentrogstrukturen sowie Untersuchungen zur optischen Verstärkung und optisch gepumpten Halbleiterlasern mit Lamda ungefähr 1.3 Mikrometer

点击翻译按钮获取中文摘要

Im Rahmen des Projektes sollen zunächst die elektronischen Zustände in GaInNAs/GaAs-Quantentrogstrukturen eingehend untersucht werden, um Informationen über die bisher nur unzulänglich bekannten Materialparameter dieses Systems (effektive Elektronenmasse von GaInNAs, Bandanordnung usw.) zu gewinnen. Dazu werden eine Reihe von spektroskopischen Methoden verwendet, insbesondere Tieftemperatur-Photolumineszenz und -Photolumineszenzanregung. Wichtig ist dabei u.a. der Einfluß von Stickstoff auf die Leitungsbandstruktur. Mittels Fourier-Spektroskopie sollen deshalb auch elektronische Intersubband-Übergänge untersucht werden. Darüber hinaus ist der Aufbau eines Meßplatzes für elektrisch und optisch modulierte Reflexionsspektroskopie geplant, der die Messung elektronischer Übergangsenergien auch noch bei Raumtemperatur, d.h. unter technisch relevanten Bedingungen, erlaubt. Hochanregungsexperimente sollen im nächsten Schritt Aussagen über die Größe, spektrale Verteilung und Temperaturabhängigkeit der optischen Verstärkung (T0) liefern. Im letzten Projektabschnitt werden die gewonnenen Ergebnisse auf die Untersuchung optisch gepumpter Halbleiterlaser angewandt.