Spektroskopie an GaInNAs/GaAs-Quantentrogstrukturen sowie Untersuchungen zur optischen Verstärkung und optisch gepumpten Halbleiterlasern mit Lamda ungefähr 1.3 Mikrometer

GaInNAs/GaAs-量子化学结构的电子学研究项目解决了材料参数系统（GaInNAs的有效电子学研究，通常采用半导体器件）的信息化（Informationen über bisher努尔unzulänglich）韦尔登。你会明白的。本文介绍了韦尔登的一种光谱分析方法，包括温度-光致发光和光致发光。Wichtig is dabei u.a.施蒂克斯托夫的影响力。傅立叶频谱仪的中间部分也需要电子子带间的韦尔登。这是一种用于电和光调制反射光谱的装置，用于测量电子的能量也可以在室温下测量。在技术上与贝丁根有关。Hochanregungsexperimente sollen im nächsten Schritt Aussagen über die Größe，spektrale Verteilung und Temperaturabhängigkeit der optischen Verstärkung（T0）liefern.我让项目韦尔登在半导体激光器的光学泵浦角度上获得了更好的效果。

Im Rahmen des Projektes sollen zunächst die elektronischen Zustände in GaInNAs/GaAs-Quantentrogstrukturen eingehend untersucht werden, um Informationen über die bisher nur unzulänglich bekannten Materialparameter dieses Systems (effektive Elektronenmasse von GaInNAs, Bandanordnung usw.) zu gewinnen. Dazu werden eine Reihe von spektroskopischen Methoden verwendet, insbesondere Tieftemperatur-Photolumineszenz und -Photolumineszenzanregung. Wichtig ist dabei u.a. der Einfluß von Stickstoff auf die Leitungsbandstruktur. Mittels Fourier-Spektroskopie sollen deshalb auch elektronische Intersubband-Übergänge untersucht werden. Darüber hinaus ist der Aufbau eines Meßplatzes für elektrisch und optisch modulierte Reflexionsspektroskopie geplant, der die Messung elektronischer Übergangsenergien auch noch bei Raumtemperatur, d.h. unter technisch relevanten Bedingungen, erlaubt. Hochanregungsexperimente sollen im nächsten Schritt Aussagen über die Größe, spektrale Verteilung und Temperaturabhängigkeit der optischen Verstärkung (T0) liefern. Im letzten Projektabschnitt werden die gewonnenen Ergebnisse auf die Untersuchung optisch gepumpter Halbleiterlaser angewandt.