Lichtemitter auf der Basis von Intersubband-Übergängen

在子带间的所有子带中，所有的子带都不同，所有的子带之间都不会有激光发射。Kaskaden-Diese genannen Quanten-Kaskaden-激光适用于各种类型的激光，包括双极光和双极光，并在频段间传输。德沙尔布·埃沃特人，麻省理工学院柴油工匠艺术·冯·拉森·韦森特利希·赫勒在这里的数据是错误的。量子-卡斯卡登-激光Bisher für材料系统(In，Ga)As/(In，Al)As auf InP和GaAs/(Al，Ga)As auf GaAs.Für die Nachrichtenübergangung sind jedoch Wellenlängen im Bereich von 1，55 um von Bedeutung.从材料体系和材料体系的角度来看，这是一种新的材料体系，但不适用于其他国家。他说：“这是一件很重要的事情，我不知道怎么做才好。”从理论和实验两个方面，从理论和实验两个方面分析了国际上最优技术和技术的发展趋势。我们在此基础上提出了一种新的解决方案。

In den letzten Jahren sind auf der Grundlage von Intersubbandübergängen unipolare Lichtemitter entwickelt worden, die im mittleren Infrarotbereich als Laser eingesetzt werden können. Diese so genannten Quanten-Kaskaden-Laser besitzen wesentlich kürzere Schaltzeiten als die konventionellen, bipolaren Halbleiterlaser, in denen die Lichtemission auf Interbandübergängen beruht. Deshalb erwartet man, dass mit dieser Art von Lasern wesentlich höhere Datenübertragungsraten erreicht werden können. Quanten-Kaskaden-Laser existieren bisher für die Materialsysteme (In,Ga)As/(In,Al)As auf InP und GaAs/(Al,Ga)As auf GaAs. Für die Nachrichtenübertragung sind jedoch Wellenlängen im Bereich von 1,55 um von Bedeutung. Um diesen Wellenlängenbereich zu erreichen, sollen die existierenden Konzepte auf Materialsysteme mit höheren Diskontinuitäten im Leitungsband wie zum Beispiel (In,Ga)As/Al(As,Sb) auf InP, spannungskompensierte Systeme und möglicherweise Gruppe-III-Nitride übertragen werden. Die Forschergruppe verfolgt das Ziel, die physikalischen Pozesse in diesen unipolaren Lichtemittern im Detail zu verstehen, um die Übertragbarkeit auf andere Materialsysteme zu erreichen. Neben der theoretischen und experimentellen Untersuchung der Ladungstägerinjektion, der Bedingungen für die Besetzungsinversion sowie der optischen Übergänge ist eine materialwissenschaftliche und technologische Entwicklung von Intersubbandemittern für kürzere Emissionswellenlängen von besonderem Interesse. Es sollen letztendlich Emitterstrukturen auf der Basis von Sb-haltigen und spannungskompensierten Systemen entwickelt werden.