Der Tunneltransistor in matrixförmigen Schaltungen und Sensoren

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Mit den neuen Bauelementen aus der Forschergruppe, dem vertikalen MOSFET, double-Gate-MOSFET und Esaki-Tunneltransistor, sollen Grundschaltungen für digitale, analoge und Speicherfunktionen in ULSI-Bausteinen entworfen werden. Dazu gehört die Entwicklung der Schaltungssimulation mit diesen Bauelementen und die Untersuchung der Robustheit gegenüber Parameterschwankungen. Für vertikale MOSFETs und Dual Gate-Transistoren müssen neue Anschlußtopologien entwickelt werden. Der Vergleich derparasitären Einflüsse verschiedener Transistor-Konstruktionen auf die Schaltungen wird zur Bauelementeoptimierung, besonders im Kompromiß von kleinen Kapazitäten und niedrigem Anschlußwiderstand, herangezogen. Für den Esaki-Tunneltransistor gibt es noch keine Schaltungstechnik. Die direkte Koppelung von Bauelement- und Schaltungsentwicklung in der Gruppe ermöglicht die frühzeitige Erforschung neuer Schaltungsanordnungen und dieGesamtoptimierung von Bauelement- und Schaltungseigenschaften hinsichtlich Schalteigenschaften, Verlustleistung und Robustheit. Die für hochintegrierte Schaltungen wesentliche Möglichkeit einer Komlementärtechnik mit n- und p-leitenden Transistoren soll von Beginn an berücksichtigt werden.