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アモルファスシリコン上のイットリウムシリサイドの形成と評価

非晶硅上硅化钇的形成及评价

基本信息

批准号：
07750354
负责人：
服部励治
金额：
$ 0.58万
依托单位：
Osaka University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
财政年份：
1995
资助国家：
日本
起止时间：
1995 至无数据
项目状态：
已结题

项目摘要

イットリウムシリサイド形成のアニール温度の最適条件を求めるために、(111)結晶シリコンおよびアモルファスシリコンに金属イットリウムを蒸着し、アニール温度をパラメータとして作製した。作製したイットリウムシリサイドの構造や電気的特性を評価するため、X線回折による結晶構造解析、XPSによるイットリウム、シリコン、酸素などの原子の深さ方向プロファイル測定、電流-電圧測定を行い、以下の結論を得た。1)Si(111)面上では約300℃を越えるアニール温度でイットリウムダイシリサイドが形成され始め、n形シリコンとのショットキー障壁高さは低くなる。2)Si(111)面上では450℃以上のアニール温度ではシリサイドの酸化が進行し、障壁高さの増大とon電流の低下をもたらす。3)n形a-Si上では300℃以上のアニール温度で種々のシリサイドが形成され、400℃のアニール温度で最も良好なオーミック特性を示す。4)結晶Siに比べa-Siではアニール温度が400℃以上でもシリサイドの酸化が進まない。また、実際にガラス基板上にpoly-Siを用い以上のプロセスで作製したソース・ドレインにショットキー障壁を持つTFTを形成し、その特性を評価した。その結果、通常のTFTに近い特性を持つ持つものが得られた。

The optimum conditions for the formation of metal crystals are determined. The optimum conditions for the formation of metal crystals are determined. The following conclusions were obtained from the evaluation of structural and electrical characteristics of the system, X-ray diffraction, crystal structure analysis, XPS, atomic depth measurement, current-voltage measurement. 1) On Si(111) surface, the temperature increases from about 300℃ to about 300℃, and the barrier height decreases from about 300 ℃ to about 300 ℃. 2) On the Si(111) plane, the temperature is above 450℃, and the acidification of the silicon layer proceeds, the barrier height increases, and the current decreases. 3) On n-type a-Si, the temperature of 300℃ or more is the best temperature, and the temperature of 400℃ is the best temperature. 4)Crystalline Si has a higher temperature than a-Si, and the temperature is higher than 400℃. In fact, the formation of TFT with poly-Si on substrate and its characteristics were evaluated. As a result, the TFT's near-middle characteristics are usually maintained.