Epitaxial Growth and Applications of New Dissimilar Heterostructures

新型异种异质结构的外延生长及其应用

• 批准号: 08044120
• 负责人: TANAKA Masaaki
• 金额: $ 2.69万
• 依托单位: The University of Tokyo
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for international Scientific Research
• 财政年份: 1996
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 1996 至 1997
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-08044120/
• 关键词: dissimilar heterostructures; MnGa; MnAs; ErAs; GaMnAs; molecular beam epitaxy (MBE); ferromagnetic semiconductor; metal; semiconductor heterostructures; 異種物質ヘテロ接合; エピタキシャル成長

We have performed international collaborations on "Epitaxial Growth and Applications of New Dissimilar Heterostructures". Recent progress of epitaxial growth technology has made it possible to prepare a variety of new artificial thin films and heterostructures (HS's) consisting of dissimilar materials. The dissimilar HSs include epitaxial ferromagnet/semiconductor HSs such as MnGa/GaAs, MnAs/GaAs, ferromagnetic-semiconductor (GaMnAs)/nonmagnetic-semiconductor (GaAs, AlAs), and semimetal (ErAs)/III-V (GaAs/AlAs). We have succcessfully grown these new artificial HSs by using molecular beam epitaxy (MBE), and revealed their structural, electronic, optical and magnetic properties. Some of the properties clarified by our research are found to be useful for some device applicatiopns, such as nagnetic nonvolitile memory, optical isolators coupled III-V semiconducror electronic/optical circuitry, as well as three terminal resonant tunneling devices and high speed metal-base transistors.

我们在“新型异质结构的外延生长和应用”方面进行了国际合作。外延生长技术的最新进展使得制备各种新型人造薄膜和由异种材料组成的异质结构（HS）成为可能。异种HS包括外延铁磁体/半导体HS，例如MnGa/GaAs、MnAs/GaAs、铁磁半导体(GaMnAs)/非磁半导体(GaAs、AlAs)和半金属(ErAs)/III-V族(GaAs/AlAs)。我们利用分子束外延（MBE）成功生长了这些新型人造HS，并揭示了它们的结构、电子、光学和磁性特性。我们的研究阐明的一些特性对于某些器件应用非常有用，例如磁性非易失性存储器、耦合 III-V 族半导体电子/光学电路的光学隔离器，以及三端子谐振隧道器件和高速金属基晶体管。

项目成果

M.Tanaka,M.Tsuda,T.Nishinaga and C.J.Palmstrom: ""Room Temperature Negative Differential Resistance in AlAs/ErAs/AlAs Heterostructures Grown on (001) GaAs"" Applied Physics Letters.68. 84-86 (1996)

M.Tanaka、M.Tsuda、T.Nishinaga 和 C.J.Palmstrom：“在 (001) GaAs 上生长的 AlAs/ErAs/AlAs 异质结构中的室温负微分电阻”《应用物理快报》68。

田中 雅明: "「半導体と不揮発性磁気メモリのハイブリッド化」" オプトロニクス. 3月号(No.3). 123-128 (1998)

Masaaki Tanaka：“半导体和非易失性磁存储器的混合”Optronics 三月号（第 3 期）（1998 年）。

M.Tanaka: "Structures,Properties and Functions of Epitaxial Ferromagnetic Metal/Semiconductor Heterostructures" J.Magnetics Society of Japan. 20. 950-959 (1996)

M.Tanaka：“外延铁磁金属/半导体异质结构的结构、性质和功能”J.Magnetics Society of Japan。

K.Akeura, M.Tanaka, T.Nishinaga, and J.De Boeck: "Epitaxial Growth and Magnetic Properties of MnAs Thin Films Directly Grown on Si (001)" J.Appl.Phys.79. 4957-4959 (1996)

K.Akeura、M.Tanaka、T.Nishinaga 和 J.De Boeck：“直接在 Si (001) 上生长的 MnAs 薄膜的外延生长和磁性”J.Appl.Phys.79。

田中 雅明: "「半導体と磁性体の一体化による新機能ヘテロ構造材料の形成」" 機能材料. 1997年7月号. 5-12 (1997)

Masaaki Tanaka：“通过集成半导体和磁性材料形成新的功能异质结构材料”，功能材料，1997 年 7 月 5-12 日。